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公开(公告)号：CN1463038A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03104458.1
申请日：2003-02-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92224 , H01L2924/01006 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当半导体芯片并列地排列时，多个半导体芯片的每一个的电路形成表面可以容易地置于齐平的平面上，由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围，树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成表面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101131970A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710161946.6
申请日：2003-05-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24155 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/92224 , H01L2924/01006 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当半导体芯片并列地排列时，多个半导体芯片的每一个的电路形成面可以容易地置于齐平的平面上，由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围，树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成面。
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公开(公告)号：CN1206719C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02152681.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/0675 , G01R3/00 , H05K7/1069
Abstract: 本发明涉及接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法，其中，接触器具有接触器基片和在接触器基片上形成的多个接触电极。通过在金属引线的接合到接触器基片的一端和另一端之间弯曲金属引线而形成每一个接触电极。由切割面形成斜面。在接触电极的顶部形成因拉伸断裂而形成的断裂面。
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公开(公告)号：CN1449009A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02152681.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/0675 , G01R3/00 , H05K7/1069
Abstract: 本发明涉及接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法，其中，接触器具有接触器基片和在接触器基片上形成的多个接触电极。通过在金属引线的接合到接触器基片的一端和另一端之间弯曲金属引线而形成每一个接触电极。由切割面形成斜面。在接触电极的顶部形成因拉伸断裂而形成的断裂面。
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公开(公告)号：CN100435334C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN03138174.X
申请日：2003-05-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24155 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/24265 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/83132 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85399 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/19107 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当半导体芯片并列地排列时，多个半导体芯片的每一个的电路形成面可以容易地置于齐平的平面上，由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围，树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成面。
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公开(公告)号：CN1463043A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03138174.X
申请日：2003-05-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24155 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/24265 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/83132 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85399 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/19107 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当半导体芯片并列地排列时，多个半导体芯片的每一个的电路形成面可以容易地置于齐平的平面上，由此简化了形成重排布线的工艺。半导体芯片借助粘结剂层以两维布局安装在基板上。树脂层形成在基板上并位于半导体元件周围，树脂层的厚度基本上与半导体元件的厚度相同。有机绝缘层形成在树脂层表面以及半导体元件的电路形成面上。重排布线层形成在有机绝缘层以及半导体芯片的电极上。外部连接端子通过重排布线层中的布线电连接到半导体元件的电路形成面。
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