-
公开(公告)号：CN120021382A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411647436.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了堆叠器件结构的源极/漏极制造方法。形成源极/漏极堆叠件的示例方法可包括前侧和背侧工艺。前侧工艺可以包括形成前侧源极/漏极沟槽，在该沟槽中形成伪源极/漏极，以及在伪源极/漏极上方的前侧源极/漏极沟槽内形成上部源极/漏极。背侧工艺可以包括暴露伪源极/漏极的背侧，去除(部分或完全)伪源极/漏极形成背侧源极/漏极沟槽，在该沟槽中形成下部源极/漏极。伪源极/漏极可以由半导体或介电材料形成，并且伪源极/漏极的部分可以保留在上部和下部源极/漏极之间。在一些实施例中，背侧工艺包括用背侧绝缘结构替换衬底/台面，并相对于背侧绝缘结构选择性地去除伪源极/漏极。本申请的实施例还涉及堆叠半导体结构及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN113156583B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202110345976.2
申请日：2021-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了制造具有高折射率材料的光学器件的方法。方法包括：在衬底上形成第一氧化物层；以及在第一氧化物层上形成具有第一沟槽和第二沟槽的图案化的模板层。图案化的模板层的材料具有第一折射率。方法还包括：在第一沟槽和第二沟槽内分别形成波导的第一部分和光耦合器的第一部分；在图案化的模板层的顶面上形成波导的第二部分和光耦合器的第二部分；以及在波导和光耦合器的第二部分上沉积包覆层。波导和光耦合器包括具有比第一折射率大的第二折射率的材料。本申请的实施例还涉及光学器件。
-
公开(公告)号：CN115881770A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210989882.3
申请日：2022-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括邻近第一纳米结构形成的第一底层，以及形成在第一底层上方的第一绝缘层。半导体器件结构包括形成在第一绝缘层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一绝缘层与第一纳米结构中的一个直接接触。本申请的实施例还涉及半导体器件结构。
-
公开(公告)号：CN115763376A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210911538.2
申请日：2022-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 器件包括半导体纳米结构的垂直堆叠件、栅极结构、第一外延区域和介电结构。栅极结构包裹半导体纳米结构。第一外延区域横向邻接半导体纳米结构的第一半导体纳米结构。介电结构横向邻接半导体纳米结构的第二半导体纳米结构并且垂直邻接第一外延区域。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN115566044A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210938017.6
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置结构，包含多个半导体层，并具有第一组半导体层、设置于第一组半导体层上且与之对准的第二组半导体层、设置于第二组半导体层上且与之对准的第三组半导体层。所述结构还包含第一源极/漏极外延部件，其与第一组半导体层的第一数量的半导体层接触，以及第二源极/漏极外延部件，其与第三组半导体层的第二数量的半导体层接触。所述第一组半导体层的第一数量的半导体层与第三组半导体层的第二数量的半导体层不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114512442A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210001471.9
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本公开的半导体装置包括第一通道构件的堆叠、直接设置在第一通道构件的堆叠上方的第二通道构件的堆叠、与前述第一通道构件的堆叠接触的一底部源极/漏极部件、设置在底部源极/漏极部件上方的一分隔层(separation layer)、与第二通道构件的堆叠接触并设置在分隔层上方的一顶部源极/漏极部件、以及延伸穿过顶部源极/漏极部件和分隔层而电性耦接至底部源极/漏极部件的一前侧接触件。
-
公开(公告)号：CN113540206A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110347295.X
申请日：2021-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 此处公开半导体装置的形成方法，具体地公开半导体装置与其形成方法。例示性的方法包括交错形成多个第一半导体层与多个第二半导体层于基板上，其中第一半导体层与第二半导体层包括不同材料，并沿着实质上垂直于基板的上表面的方向向上堆叠；形成虚置栅极结构于第一半导体层与第二半导体层上；沿着虚置栅极结构的侧壁形成源极/漏极沟槽；形成多个内侧间隔物于第一半导体层的边缘部分之间，其中内侧间隔物朝第二半导体层弯曲；以及外延成长源极/漏极结构于源极/漏极沟槽中，其中源极/漏极结构接触第一半导体层并包含多个晶面，以形成远离内侧间隔物的凹陷。
-
公开(公告)号：CN113484948A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110675284.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
-
公开(公告)号：CN112750775A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011184088.9
申请日：2020-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 此处说明采用介电结构的半导体装置与半导体装置的形成方法。半导体装置关于全绕式栅极装置，其形成于基板上并彼此隔有介电结构。介电结构形成于两个全绕式栅极装置之间的鳍状物上，并将形成于鳍状物上的栅极切割成两个分开的栅极。两个全绕式栅极装置亦具有底间隔物于全绕式栅极装置的源极/漏极区之下。底间隔物隔离源极/漏极区与基板。介电结构具有浅底部，其高于底间隔物的底部。
-
公开(公告)号：CN112447710A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010877370.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体装置，包括基板与鳍状堆叠，鳍状堆叠包括多个纳米结构、栅极装置以及多个内侧间隔物，栅极装置围绕每一纳米结构；多个内侧间隔物沿着栅极装置并位于纳米结构之间。鳍状堆叠的不同层的内侧间隔物的宽度不同。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
126
records
(took 0.046 seconds)
