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公开(公告)号：CN112447526B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010625725.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/66
Abstract: 本发明实施例涉及用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体结构及其形成方法。一种制造所述半导体结构的方法包含：提供衬底；在所述衬底上方沉积第一电介质层；将波导附接到所述第一电介质层；沉积第二电介质层以横向包围所述波导；及在所述第二电介质层及所述波导上方形成第一导电部件及第二导电部件，其中所述第一导电部件及所述第二导电部件与所述波导接触。所述波导经配置以在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间传输电磁信号。
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公开(公告)号：CN113161444B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202011371956.4
申请日：2020-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0232
Abstract: 一种方法包括：蚀刻硅层以形成硅板和位于硅板上方的上部硅区域，以及注入硅板和上部硅区域以形成p型区域、n型区域以及位于p型区域和n型区域之间的本征区域。该方法还包括蚀刻p型区域、n型区域和本征区域以形成沟槽。上部硅区域的剩余部分形成多模干涉仪(MMI)区域。实施外延工艺以在沟槽中生长锗区域。制造连接至p型区域和n型区域的电连接。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN115268542B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210658241.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明的实施例公开了输入/输出器件、低压差稳压器电路及其操作方法。该低压差稳压器电路包括被配置为根据输出电压生成反馈电压的分压器电路、被配置为根据反馈电压和参考电压输出驱动信号的运算放大器以及包括多个电流路径的传输门电路。电流路径由驱动信号控制并且并联在分压器电路和电源参考节点之间。
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公开(公告)号：CN106888027B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201611051004.8
申请日：2016-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于射频互连件RFI的发射器，其包含经配置以产生时钟恢复信号且将所述时钟恢复信号发射到接收器的载波产生器。所述载波产生器包含经配置以接收第一信号且基于所述第一信号而产生第一载波信号的第一调谐布置。所述载波产生器包含经配置以接收不同于所述第一信号的第二信号且基于所述第二信号而产生第二载波信号的第二调谐布置。所述发射器包含经配置以产生第一经调制数据信号的第一调制器。所述发射器进一步包含经配置以产生第二经调制数据信号的第二调制器。所述发射器包含经配置以将所述第一经调制数据信号及所述第二经调制数据信号选择性地发射到所述接收器的输出。
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公开(公告)号：CN106685875B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201610770025.9
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04L27/26
Abstract: 本发明公开了一种解调装置及操作解调装置的方法。该装置包括数据接收电路和振荡信号发生器。数据接收电路被配置为根据振荡信号和调制信号输出第一输出信号、第二输出信号和相位误差信号，其中，所述相位误差信号表示所述振荡信号和所述调制信号之间的相位差。振荡信号发生器被配置为根据相位误差信号延迟第一参考信号的相位，从而生成振荡信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110658596A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910573098.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于利用高效的光纤到芯片光栅耦合器以高耦合效率进行通信的系统及方法。在一个实施例中，一种用于通信的方法包括：在位于衬底上的半导体光子管芯与贴合到衬底的光纤阵列之间利用半导体光子管芯上的至少一个对应的光栅耦合器传送光学信号，其中所述至少一个光栅耦合器各自包括多个耦合光栅、波导、包覆层、第一反射层及第二反射层，其中所述多个耦合光栅各自在第一横向方向上包括至少一个台阶且在第二横向方向上延伸，其中第一横向方向与第二横向方向平行于衬底的表面且在光栅平面中相互垂直，其中第一反射层被配置成使所述多个耦合光栅设置在第一反射层与包覆层之间，其中第二反射层被配置成使包覆层设置在第二反射层与波导之间。
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公开(公告)号：CN104052451B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310695758.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提供了MiM电容器以及控制一个或多个电子设备的一个或多个系统和技术。确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷。根据该确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。
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公开(公告)号：CN107070829A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611071030.7
申请日：2016-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04L27/152 , H04L27/148 , H04L27/12 , H04L5/00 , H04B3/50
CPC classification number: H04B3/50 , H04L5/0048 , H04L27/12 , H04L27/148 , H04L27/152 , H04L27/2657
Abstract: 射频互连件包括与传输线的输入端耦合的发射器以及与传输线的输出端耦合的接收器。发射器包括第一载波生成器，该第一载波生成器配置为基于载波信号生成时钟恢复信号，以输出参考时钟信号、并且将时钟恢复信号传输至接收器。发射器还包括调制器，该调制器配置为基于载波信号调制数据包。发射器还包括前导码生成器，该前导码生成器配置为生成前导码并且将前导码添加至数据以生成数据包。前导码包括与参考时钟信号相关联的数据序列。发射器还包括发射器输出端，该发射器输出端配置为通过传输线将调制的数据包传输至接收器。本发明还提供了具有前导码生成器的射频互连件以及其中的数据通信方法。
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公开(公告)号：CN106888027A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611051004.8
申请日：2016-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H04J3/0658 , H03L7/099 , H03L7/0991 , H03L7/18 , H03L2207/50 , H04L7/0087 , H04L7/0331 , H04L7/04 , H04L27/0014 , H04L27/2637 , H04L27/2657 , H04B1/04 , H04B1/0067
Abstract: 本发明实施例提供一种用于射频互连件RFI的发射器，其包含经配置以产生时钟恢复信号且将所述时钟恢复信号发射到接收器的载波产生器。所述载波产生器包含经配置以接收第一信号且基于所述第一信号而产生第一载波信号的第一调谐布置。所述载波产生器包含经配置以接收不同于所述第一信号的第二信号且基于所述第二信号而产生第二载波信号的第二调谐布置。所述发射器包含经配置以产生第一经调制数据信号的第一调制器。所述发射器进一步包含经配置以产生第二经调制数据信号的第二调制器。所述发射器包含经配置以将所述第一经调制数据信号及所述第二经调制数据信号选择性地发射到所述接收器的输出。
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公开(公告)号：CN103187393B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210103817.2
申请日：2012-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F5/003 , H01F2027/2809 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：形成在第一衬底上第一电感器；形成在第二衬底上并且与第一电感器电感耦合作为变压器到的第二电感器；以及多个微凸块元件，被配置在第一衬底和第二衬底之间。多个微凸块元件包括：具有基本大于1的磁导率并且被配置成增强第一电感器和第二电感器之间的耦合的磁性材料。本发明还提供了一种用于具有磁性元件的变压器的结构和方法。
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