公开(公告)号：CN116313973A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202210419482.9

申请日：2022-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周崇斌 ,  庄凯麟 ,  黄圣文 ,  陈衍成 ,  刘俊秀

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体制程工具及其操作方法，本文所描述的一些实施方案提供用于半导体制程工具的技术及设备，该半导体制程工具包括静电卡盘，具有电压调整系统，该电压调整系统用于调整定位于该静电卡盘上方的半导体基板的整个区域中的电位。该电压调整系统可判定该半导体基板的一区域内的电位不满足临限值。该电压调整系统可基于判定整个该区域中的该电位不满足该临限值来将一或多个导电销定位于该区域内。该一或多个导电销在定位于该区域内时可改变该区域的该电位。

公开(公告)号：CN116895697A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310744230.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄宗翰 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄凯麟 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳米结构的第一沟道区域和第一伪区域的第一栅极结构。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN115206830A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210009803.8

申请日：2022-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周崇斌 ,  庄凯麟 ,  陈衍成 ,  赖瑞国 ,  刘俊秀

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 一种半导体元件的制造设备、半导体基材的检测方法及系统，半导体元件的检测设备包含配置以支撑基材的旋转座以及喷嘴臂。喷嘴臂包含喷嘴及光监测装置，光监测装置包含激光发射器以及多个光感测器的阵列排列在喷嘴臂中且朝向旋转座。光监测装置配置以从激光发射器向基材发射激光脉冲，其中激光脉冲照射在基材上；接收来自基材的反射的激光脉冲；计算一或多个光感测器是否接收到激光脉冲，并利用往返时间计算光监测装置与基材之间的距离，以决定基材上的制程品质。

公开(公告)号：CN115842037A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210585879.5

申请日：2022-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  姚茜甯 ,  庄宗翰 ,  庄凯麟 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了用于形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括多个第一纳米结构，其沿着垂直方向堆叠在衬底上方。半导体器件结构还包括：第一底层，其形成为邻接第一纳米结构；以及第一介电衬垫层，其形成在第一底层上方，并且邻接第一纳米结构。半导体器件结构还包括第一源极/漏极(S/D)结构，其形成在介电衬垫层上方，并且第一S/D结构通过第一介电衬垫层与第一底层隔离。

公开(公告)号：CN106601649A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610784906.6

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐暐智 ,  庄凯麟 ,  简渊基 ,  杨政辉 ,  刘俊秀

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B08B3/04 ,  B08B13/00 ,  B08B17/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明的实施例提供了处理半导体衬底的设备，包括卡盘、夹持器、液体供给系统以及正压单元。卡盘具有主面和在卡盘上形成的至少一个孔。夹持器能够将半导体衬底保持在主面上面的位置处。液体供给系统配置为通过孔将液体膜提供至主面上。正压单元配置为将气流提供至卡盘上方的空间。本文还公开了处理半导体衬底的方法。

公开(公告)号：CN115881770A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210989882.3

申请日：2022-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄宗翰 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄凯麟 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括邻近第一纳米结构形成的第一底层，以及形成在第一底层上方的第一绝缘层。半导体器件结构包括形成在第一绝缘层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一绝缘层与第一纳米结构中的一个直接接触。本申请的实施例还涉及半导体器件结构。

公开(公告)号：CN115527885A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210031633.3

申请日：2022-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨祐任 ,  周崇斌 ,  庄凯麟 ,  陈衍成 ,  高胜清 ,  刘俊秀

IPC: H01L21/67 ,  G01N21/01 ,  G01N21/95

Abstract: 一种制程管装置、流体检查系统以及检测管内流体内的外部材料的方法，制程管装置可检测可存在于在管中流动的流体内的任何外部材料的存在。制程管装置现场检测外部材料，此举排除对用以在将流体施加在晶圆的表面上之后检查晶圆的表面的分离检查装置的需要。该制程管装置利用检测外部材料的存在的至少两个方法。第一为使用光检测感测器的直接量测方法。第二为使用利用多普勒频移的原理的感测器的间接量测方法。在此，与至少部分使用反射或折射光的第一方法相反，第二方法使用都卜勒频移感测器以通过量测在管中流动的流体的速度来检测外部材料的存在。