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公开(公告)号:CN1505459A
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:CN200310119708.0
申请日:2003-12-03
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种电路装置(10)。其在内部构成复杂的电路,且容易进行电连接。该电路装置在构成多层配线的导电图形(12)的最上层的导电图形(12A)上安装第一电路元件(13);在作为最下层的导电图形,在装置里面露出的第四导电图形(12D)上安装第二电路元件(14)和连接器(15)。因此,可以提供具有更多个电路元件的电路装置(10)。而且,通过在装置里面安装连接器(15),可以很容易进行与外部电连接。
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公开(公告)号:CN1351376A
公开(公告)日:2002-05-29
申请号:CN01116882.X
申请日:2001-02-10
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/4832 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18165 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/0204 , H05K1/021 , H05K1/182 , H05K1/189 , H05K3/26 , H05K3/281 , H05K3/303 , H05K2201/10416 , H05K2201/10727 , H05K2201/10734 , H05K2201/2036 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/05599
Abstract: 在硬盘中安装有固定粘接了读写放大用IC的FCA,在由Al构成的散热基板13A的上面形成由镀Cu构成的第一金属被覆膜14,粘牢在半导体装置10的背面露出来的岛状物15。这时,半导体装置10的背面接触接触区域CT,其外的第一开口部OP开口大于半导体装置10的配置区域。因此,能够经从半导体装置10周围露出表面来的第一开口部OP进行清洗,而且从半导体元件16产生的热能够从岛状物15经第二支持件13A良好地散发出去。
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公开(公告)号:CN1348215A
公开(公告)日:2002-05-08
申请号:CN01117384.X
申请日:2001-02-10
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , G11B5/4826 , G11B33/1406 , H01L21/4821 , H01L21/4832 , H01L21/563 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2221/68377 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18165 , H01L2924/3011 , H05K1/0204 , H05K1/021 , H05K1/182 , H05K1/189 , H05K2201/10416 , H05K2201/10727 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 在硬盘中安装有固定粘接了读写放大用IC的FCA,但是,因为读写放大用IC的散热性不好,所以该读写放大用IC的温度上升,读写速度大大降低。而且硬盘本身的特性大受影响。在由Al构成的第二支持件13的上面形成由镀Cu构成的第一金属被覆膜14,粘牢露出半导体装置10背面的金属体15。因此,从半导体元件16产生的热能够从金属体15经第二支持件13A良好地散发出去。
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公开(公告)号:CN1348205A
公开(公告)日:2002-05-08
申请号:CN01137970.7
申请日:2001-10-02
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/85001 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H05K3/0058 , H05K3/06 , H05K3/20 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及电路装置的制造方法。先有技术有将陶瓷基板、柔性片等作为支撑基板来安装电路元件的电路装置。但是,在该电路装置中,存在未确立实现多层布线的批量生产性高的制造方法的问题。可实现下述的极为节省资源且适合于大量生产的电路装置的制造方法:在导电箔30上形成了被分离槽31分离的第1层导电图形41后,在其上形成多层导电图形43,制成多层布线结构,再安装电路元件46,用绝缘性树脂50进行模塑,对导电箔30的背面进行刻蚀而具有多层结构的导电图形41、43。
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公开(公告)号:CN1184684C
公开(公告)日:2005-01-12
申请号:CN01117311.4
申请日:2001-02-10
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , G11B5/4853 , H01L21/4832 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/4334 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/05599 , H01L2224/16 , H01L2224/32013 , H01L2224/32059 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2224/85399 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/0204 , H05K1/021 , H05K1/182 , H05K1/189 , H05K2201/10416 , H05K2201/10727 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在硬盘中安装有固定粘接了读写放大用IC的FCA,但是,因为读写放大用IC的散热性不好,所以该读写放大用IC的温度上升,读写速度大大降低。而且硬盘本身的特性受大的影响。散热用的电极(15)露出在绝缘性树脂13的背面,金属板(23)固定粘接在该散热用的电极(15)上,该金属板(23)的背面与柔性片的背面实质上处于同一平面,能够与第二支持件(24)简单地固定粘接在一起。因此,半导体元件产生的热能够经散热用的电极(15)、金属板(23 )、第二支持件(24)良好地散出。
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公开(公告)号:CN1377215A
公开(公告)日:2002-10-30
申请号:CN01137593.0
申请日:2001-10-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H05K1/00
CPC classification number: H05K1/188 , H01L21/4821 , H01L21/4832 , H01L23/3107 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H05K3/06 , Y10T29/49117 , Y10T29/49144 , Y10T29/49146 , Y10T29/49155 , Y10T29/49171 , Y10T29/49172 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的课题是以陶瓷基板、柔性薄片等作为支撑基板安装电路元件的电路器件。但是存在这些支撑基板的厚度构成了电路器件小型、薄型化的障碍的问题。利用分离槽61,在导电箔60上形成每一区块的导电图形51之后,由于在导电图形51上有选择地配置了电镀层81,所以可以实现能稳定地进行电路元件52的小片键合,并且能稳定地进行引线键合的节省资源的、适于批量生产的电路器件的制造方法。
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公开(公告)号:CN1348328A
公开(公告)日:2002-05-08
申请号:CN01117312.2
申请日:2001-02-15
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , G11B5/4853 , H01L21/4832 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2221/68377 , H01L2224/02166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/351 , H05K1/0204 , H05K1/021 , H05K1/182 , H05K1/189 , H05K2201/10416 , H05K2201/10727 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在硬盘中安装了固定连接着读写放大用IC的FCA。但是,由于读写放大用IC的散热性较差,该读写放大用IC的温度上升,则读写速度大大降低。这样对硬盘本身的特性产生了很大的影响。在绝缘性树脂13的里面露出散热用的电极15,在该散热用的电极15上固定连接金属板23。该金属板23的里面成为与柔性片的里面实质上同面的位置,而能够与第二支撑部件24简单地固定连接。这样,从半导体器件产生的热量可以通过散热用的电极15、金属板23、第二支撑部件24而良好地释放。
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公开(公告)号:CN1347154A
公开(公告)日:2002-05-01
申请号:CN01116226.0
申请日:2001-02-15
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/34 , H01L23/488 , H05K1/00
Abstract: 在硬盘中安装贴附有读写放大用IC的FCA。但是,由于读写放大用IC的散热性差,所以该读写放大用IC的温度上升,导致读写速度极大地下降。而且,对硬盘本身的特性会产生极大影响。使散热电极15露出在绝缘性树脂13的背面,使金属板23固定在该散热电极15上。该金属板23的背面与柔性片背面实质上处于同一个面的位置,可以与第2支撑部件24简单地粘合。此外,可使散热电极15的表面比焊区14的表面突出,使半导体元件16和散热电极15之间的间隙变窄。因此,从半导体元件产生的热量可以通过散热电极15、金属板23、第2支撑部件24而良好地释出。
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公开(公告)号:CN1343086A
公开(公告)日:2002-04-03
申请号:CN01116595.2
申请日:2001-01-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/48 , H01L21/4821 , H01L21/4832 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/165 , H01L25/50 , H01L2221/68377 , H01L2224/05554 , H01L2224/16 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48639 , H01L2224/48739 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83815 , H01L2224/83851 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/97 , H01L2225/1029 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/3511 , H05K1/187 , H05K1/188 , H05K3/06 , H05K3/202 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/07811 , H01L2224/83205
Abstract: 在于导电箔(60)上形成分离槽(54)之后,装配电路元件,以该导电箔(60)作为支承主板,覆盖绝缘性树脂(50),在将其反转之后,将绝缘性树脂(50)作为支承主板,对导电箔进行研磨,作为电路分离。因此,在不采用支承主板的情况下,可获得电路(50),电路元件(52)支承于绝缘性树脂(50)上的电路装置。另外,电路上,具有绝对必要的导线(L1~L3),由于具有弯曲结构(59)或凸缘(58),可防止脱落。
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公开(公告)号:CN1341963A
公开(公告)日:2002-03-27
申请号:CN01104552.3
申请日:2001-02-15
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 以印刷电路板、陶瓷板、软性板等作为支持基板装配半导体元件的BGA型的半导体装置。但这些支持基板是多余的,支持基板的厚度使半导体装置大型化,并使组装到其中的半导体元件难于放热。本发明通过将导电图形11A~11D埋入到绝缘性树脂10中而且导电箔20进行半蚀刻后而形成,使其厚度充分薄。由于设置了放热用的电极11D,可提供放热性能优异的半导体装置。
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