公开(公告)号：CN113410305B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202110663157.2

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 宋坤 ,  王英民 ,  孙有民 ,  王小荷 ,  曹磊 ,  陈宝忠 ,  刘存生

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之间形成有场环；场环上形成有SiO2薄氮氧硅层；P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上形成有介质层。方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区；在P阱上依次生长SiO2栅氧层氮化形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层氮化形成HTO氮氧硅层，SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层形成复合栅介质结构，淀积多晶硅形成栅极；在漂移区上的场氧之间形成总剂量加固的场环，场环上依次生长SiO2薄氧化层，并氮化成SiO2薄氮氧硅层形成漂移区加固结构；在P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上淀积形成有介质层。

公开(公告)号：CN114927420A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210536682.2

申请日：2022-05-17

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王健 ,  李照 ,  侯斌 ,  杨晓文 ,  黄山圃 ,  胡长青 ,  王英民

IPC: H01L21/329 ,  H01L23/60 ,  H01L21/768 ,  H01L29/167

Abstract: 本发明公开了一种提高快恢复二极管抗静电能力的方法，属于半导体制作工艺技术领域，旨在解决现有技术中掺铂后因补偿掺杂作用器件有效浓度会有所降低，导致基区导通电阻升高，不利于静电电流泄放，造成器件的静电能力下降的缺陷性技术问题。本发明在主结区有抗静电孔，抗静电孔可以增加PN结周长，提供静电泄放通道。接触孔为实现金属连线与PN结互连，铂掺杂区实现少子寿命控制，提高器件开关速度。阳极形成后，后续通过铝丝将其与封装外壳连接，最终提高快恢复二极管的抗静电能力。其次，通过设计主结区面积有利于器件散热和提高可靠性；然后，增加8个一定尺寸的抗静电孔，有效PN结增加约1倍，有效提升静电泄放能力。

公开(公告)号：CN113990983A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111243682.5

申请日：2021-10-25

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王成熙 ,  王英民 ,  赵杰 ,  王勇 ,  陈斌 ,  孙有民 ,  王清波 ,  温富刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/102 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层；然后在晶圆表面淀积钝化层，并将受光区域上的钝化层去掉；然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺，去掉受光区域的金属薄膜，退火，得到光敏二极管，通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的，从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力，提高光敏二极管的电流传输比(CTR)，最终提升光电耦合器传输特性。

公开(公告)号：CN113013259A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110217571.0

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 赵杰 ,  王英民 ,  孙有民 ,  王成熙 ,  王清波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种低导通压降肖特基二极管结构及其制备方法，该结构在N型外延层中设置环状的P型增压环、N型引出区和N型区表面接触区，本发明为充分降低N型引出区串联电阻，设计环形结构的N型引出区，通过扩散工艺形成高浓度的N型深磷层，该工艺形成的肖特基二极管由于从N型表面接触区到N+埋层之间增加了高浓度的深磷层，即N型引出区，能有效降低二者之间的外延层串联电阻，增大接触面积，从而获得更低的导通电阻。

公开(公告)号：CN112510080A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011376406.1

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。起到抑制单粒子烧毁效应的作用，有效消除单粒子栅穿现象的产生。