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公开(公告)号：CN114038808A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111264988.9
申请日：2021-10-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/552 , H01L25/07
Abstract: 本申请提供了一种大功率半导体器件。该大功率半导体器件包括：半导体芯片；半导体芯片位于大功率半导体器件的顶部；内部驱动板，其位于大功率半导体器件的底部；门极铜块，其设置在芯片门极区域与内部驱动板之间；铜块通过弹性导电组件下压位于内部驱动板上的MOSFET；弹性导电组件包括用于调节MOSFET所受压力大小的碟簧。利用该大功率半导体器件，其铜块通过弹性导电组件下压位于所述内部驱动板上的MOSFET，从而确保各个MOSFET所受压力的均匀一致，降低接触热阻与大功率半导体器件的内部压降，并通过控制弹性导电组件中碟簧的压缩量，将压力的大小控制在一定的范围内，防止压坏MOSFET。
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公开(公告)号：CN112309855A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910680254.5
申请日：2019-07-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/228 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法通过工艺流程的巧妙设计实现了铝杂质在硅圆片上的单面扩散，从而规避了单面机械研磨工艺，提高了芯片成品率及长期可靠性；采用液态硼源涂敷工艺进行硼杂质掺杂，该工艺成本更低，效率更高；采用质子辐照工艺精确控制FRD芯片的纵向少子寿命，该工艺的重复性高，器件参数的一致性好，采用该工艺的FRD的反向恢复软度因子大于0.7，有效降低了反向恢复峰值电压VRM，降低了器件工作过程中所需承受的电应力。
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公开(公告)号：CN111681995A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010355028.2
申请日：2020-04-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L29/74 , H02P1/02
Abstract: 本申请提供了一种晶闸管元件、晶闸管元件装配结构及软启动器，该晶闸管元件包括门极组件和芯片封装组件，芯片封装组件开设有至少部分固定接合门极组件的盲孔，盲孔的轴线垂直于芯片封装组件中的芯片，门极组件包括：门极针，其从门极组件的内部延伸出并抵靠芯片的芯片门极；接线片，其伸出门极组件的顶部以用于连接门极针和引线。晶闸管元件装配结构包括第一散热器、第二散热器以及夹在其中的晶闸管元件。第一散热器和第二散热器通过绝缘紧固件连接。绝缘紧固件的碟簧组套设在绝缘套管的外部且位于第一散热器和绝缘套管之间。利用该晶闸管元件，能够避免焊接且能够降低装配难度，有利于提高软启动器的使用寿命和降低其成本。
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公开(公告)号：CN112071906B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010675829.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H10D18/00 , H10D18/01 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN114220845B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111539843.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件，包括晶圆，以及设置于所述晶圆表面的多个第一阴极梳条和门极；其中，所述晶圆表面划分为具有相同圆心的多个同心圆环区和多个同心扇形区，所述多个同心圆环区和所述多个同心扇形区交叠以限定出多个图形区，所述多个第一阴极梳条间隔设置于所述多个图形区内；设置于同一所述图形区内的各个所述第一阴极梳条与该图形区的径向对称轴平行，且沿其所在的所述圆环区的内环排布；各个所述图形区内所述第一阴极梳条的排布间距沿与所述门极的径向距离的增加的方向先减小后增大。图形区内的阴极梳条的间距随其与门极的径向距离变化进行变化设计，提升了阴极梳条动态开关均匀性，有利于提升大面积芯片的关断能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111599664B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910130103.2
申请日：2019-02-21
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
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公开(公告)号：CN111681995B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010355028.2
申请日：2020-04-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L29/74 , H02P1/02
Abstract: 本申请提供了一种晶闸管元件、晶闸管元件装配结构及软启动器，该晶闸管元件包括门极组件和芯片封装组件，芯片封装组件开设有至少部分固定接合门极组件的盲孔，盲孔的轴线垂直于芯片封装组件中的芯片，门极组件包括：门极针，其从门极组件的内部延伸出并抵靠芯片的芯片门极；接线片，其伸出门极组件的顶部以用于连接门极针和引线。晶闸管元件装配结构包括第一散热器、第二散热器以及夹在其中的晶闸管元件。第一散热器和第二散热器通过绝缘紧固件连接。绝缘紧固件的碟簧组套设在绝缘套管的外部且位于第一散热器和绝缘套管之间。利用该晶闸管元件，能够避免焊接且能够降低装配难度，有利于提高软启动器的使用寿命和降低其成本。
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公开(公告)号：CN114220845A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539843.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/745
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件，包括晶圆，以及设置于所述晶圆表面的多个第一阴极梳条和门极；其中，所述晶圆表面划分为具有相同圆心的多个同心圆环区和多个同心扇形区，所述多个同心圆环区和所述多个同心扇形区交叠以限定出多个图形区，所述多个第一阴极梳条间隔设置于所述多个图形区内；设置于同一所述图形区内的各个所述第一阴极梳条与该图形区的径向对称轴平行，且沿其所在的所述圆环区的内环排布；各个所述图形区内所述第一阴极梳条的排布间距沿与所述门极的径向距离的增加的方向先减小后增大。图形区内的阴极梳条的间距随其与门极的径向距离变化进行变化设计，提升了阴极梳条动态开关均匀性，有利于提升大面积芯片的关断能力。
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公开(公告)号：CN114123726A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010879876.3
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种应用于晶闸管的功能模块，功能模块包括绝缘盒和电路板，电路板集成有均压电路、驱动电路和反馈电路；均压电路包括与阳极连接的第一均压端，以及与阴极连接的第二均压端；驱动电路包括与门极连接的驱动端；反馈电路包括与上位机连接以在晶闸管出现故障时发送报警信息的反馈端；绝缘盒包围限制出安装腔，电路板安装于安装腔中，绝缘盒开设有允许第一均压端、第二均压端、驱动端以及反馈端自安装腔露出的开口；绝缘盒在电路板安装于安装腔后填充有灌封胶。如此设计，将驱动功能、均压功能和状态反馈功能集中整合在一个模块中，功能丰富，且具有较好的通用性；另外还具有耐候性广、抗冲击振动能力强以及耐压绝缘性好等优势。
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公开(公告)号：CN111128931B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811276213.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种整流器管壳，整流器管壳包括彼此连接的整流器管盖和整流器管座、包括在整流器管盖内的阴极电极、包括在整流器管座内的阳极电极、阴极法兰和阳极法兰。阴极电极包括第一铝块和贴合在所述第一铝块下表面的第一铜片，阳极电极包括第二铝块和贴合在所述第二铝块上表面的第二铜片，阴极法兰与第一铜片连接；阳极法兰与第二铜片连接。本发明在保证整流器高强度、良好气密性、耐高压、良好绝缘性能的情况下，还降低了整流器管壳的重量，满足了对重量要求严格的领域的使用需求。
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