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公开(公告)号：CN117913127A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311708465.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/28
Abstract: 本发明提出了一种软恢复二极管及其制作方法。所述软恢复二极管包括阳极金属片，所述阳极金属片的一侧设置有第一金属层；半导体芯片，所述半导体芯片的阳极面设置有第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层均包括至少一个子层；焊接层，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述焊接层连接，所述焊接层靠近所述第一金属层的一侧具有与所述第一金属层形成的金属间化合物，所述焊接层靠近所述第二金属层的一侧具有与所述第二金属层形成的金属间化合物。该软恢复二极管能够有效改善现有软恢复二极管工作结温低、直流阻断能力弱、反向雪崩电压耐受能力弱、通流能力低的问题。
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公开(公告)号：CN112071906A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010675829.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN109119352B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710498176.8
申请日：2017-06-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种管芯参数测试方法、适配装置及该装置的安装方法，装置包括：阴极适配器和阳极适配器，管芯设置于阴极适配器与阳极适配器之间。阴极适配器包括阴极垫板、阴极块和门极件，阴极垫板、阴极块采用导电材料。阴极垫板设置有与管芯的门极图形对应的阴极垫板槽。门极件设置于阴极垫板槽中，并在测试时与管芯的门极相连。阴极垫板的一面与管芯的阴极相装配，另一面与阴极块相装配。阳极适配器进一步包括阳极块，及用于固定管芯的定位圈，阳极块采用导电材料，定位圈设置于阳极块的一面。阳极块设置有定位圈的一面在管芯测试时与管芯的阳极相装配。本发明能够解决传统管芯测试适配器需逐片装放与拆卸，测试效率和准确性不高的技术问题。
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公开(公告)号：CN111883587B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010677130.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H10D18/00 , H10D18/01 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及其制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071906B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010675829.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H10D18/00 , H10D18/01 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN111599664B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910130103.2
申请日：2019-02-21
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
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公开(公告)号：CN111883587A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010677130.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及其制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN212659546U
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202021378945.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212659547U
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202021381028.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管芯片和晶闸管，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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