公开(公告)号：CN112309855A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910680254.5

申请日：2019-07-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  郭继军 ,  操国宏 ,  李勇 ,  朱为为 ,  王政英 ,  宋胜兰 ,  姚震洋 ,  王东东 ,  吴志华

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/228 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法通过工艺流程的巧妙设计实现了铝杂质在硅圆片上的单面扩散，从而规避了单面机械研磨工艺，提高了芯片成品率及长期可靠性；采用液态硼源涂敷工艺进行硼杂质掺杂，该工艺成本更低，效率更高；采用质子辐照工艺精确控制FRD芯片的纵向少子寿命，该工艺的重复性高，器件参数的一致性好，采用该工艺的FRD的反向恢复软度因子大于0.7，有效降低了反向恢复峰值电压VRM，降低了器件工作过程中所需承受的电应力。

公开(公告)号：CN112309842A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910681759.3

申请日：2019-07-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  郭继军 ,  操国宏 ,  李勇 ,  朱为为 ,  王政英 ,  宋胜兰 ,  姚震洋 ,  王东东 ,  吴志华

IPC: H01L21/228 ,  H01L21/42 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法采用液态硼源涂敷工艺替代硼离子注入工艺，在现有生产线条件下即可实现硼源涂敷及扩散，且液态硼源的成本远低于硼离子注入用靶材，最重要的是避免了价格高昂的离子注入设备投入，显著降低了生产成本及固资投入费用；采用控制精度更高的质子辐照工艺以替换存在污染生产线风险且可控性差、重复性差的掺金/铂工艺，精确控制FRD芯片的少子寿命，提高了器件的参数一致性，同时将FRD的反向恢复软度因子提高到0.7以上，降低了FRD反向恢复峰值电压，进而降低了其工作中所需承受的电应力，提高了FRD的应用长期可靠性。