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公开(公告)号：CN112071906B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010675829.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H10D18/00 , H10D18/01 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN111599664B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910130103.2
申请日：2019-02-21
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
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公开(公告)号：CN111128931B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811276213.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种整流器管壳，整流器管壳包括彼此连接的整流器管盖和整流器管座、包括在整流器管盖内的阴极电极、包括在整流器管座内的阳极电极、阴极法兰和阳极法兰。阴极电极包括第一铝块和贴合在所述第一铝块下表面的第一铜片，阳极电极包括第二铝块和贴合在所述第二铝块上表面的第二铜片，阴极法兰与第一铜片连接；阳极法兰与第二铜片连接。本发明在保证整流器高强度、良好气密性、耐高压、良好绝缘性能的情况下，还降低了整流器管壳的重量，满足了对重量要求严格的领域的使用需求。
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公开(公告)号：CN111883587A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010677130.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及其制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN111883587B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010677130.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H10D18/00 , H10D18/01 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及其制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN111341730B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811548263.0
申请日：2018-12-18
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种轻型晶闸管元件管壳，包括依次层叠设置的阴极电极、阴极钼片、芯片、阳极钼片和阳极电极，阳极电极包括沿管壳厚度方向设置的铜层和铝层，阳极电极中的铜层靠近所述芯片一侧，阴极电极的厚度小于所述阳极电极的厚度。通过本申请提供的管壳结构，用纯铝代替大部分铜，达到了管壳减重的目的，利于器件及组件的轻型化。将纯铝设置在阳极电极，与阳极电极中的铜层组装在一起，所形成的铝层与单面的铜层接触的非对称结构减小了接触电阻，降低了接触压降。此外，阳极电极中的铝层更适合与铝散热器直接压接，能够降低接触压降，拓宽了器件的应用领域。
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公开(公告)号：CN112071906A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010675829.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN212659546U
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202021378945.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212659547U
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202021381028.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管芯片和晶闸管，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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