公开(公告)号：CN111341730B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201811548263.0

申请日：2018-12-18

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 全靓 ,  刘军 ,  刘芹 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/48 ,  H01L29/74

Abstract: 本申请提供了一种轻型晶闸管元件管壳，包括依次层叠设置的阴极电极、阴极钼片、芯片、阳极钼片和阳极电极，阳极电极包括沿管壳厚度方向设置的铜层和铝层，阳极电极中的铜层靠近所述芯片一侧，阴极电极的厚度小于所述阳极电极的厚度。通过本申请提供的管壳结构，用纯铝代替大部分铜，达到了管壳减重的目的，利于器件及组件的轻型化。将纯铝设置在阳极电极，与阳极电极中的铜层组装在一起，所形成的铝层与单面的铜层接触的非对称结构减小了接触电阻，降低了接触压降。此外，阳极电极中的铝层更适合与铝散热器直接压接，能够降低接触压降，拓宽了器件的应用领域。

公开(公告)号：CN109427581B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201710765588.3

申请日：2017-08-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  刘锐鸣 ,  刘芹 ,  朱为为 ,  唐革 ,  姚震洋 ,  高军 ,  邹昌

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。

公开(公告)号：CN109494206B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201710816587.7

申请日：2017-09-12

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱为为 ,  刘芹 ,  谢腾飞 ,  唐革 ,  操国宏 ,  颜骥 ,  王政英 ,  姚震洋

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明公开了一种晶闸管，包括自上至下依次设置的管盖、上钼片、芯片、下钼片和管座，所述管盖上与所述上钼片接触的一侧设有用于引出门极线的预设路径，所述预设路径包括预设段长的第一引出孔，所述预设路径的其他段设有第二引出孔或引出槽。应用本发明公开的晶闸管，通过在管盖上设置第一引出孔将门极线引出，以防止上钼片旋转对门极线进行拉扯而影响晶闸管门极的导通，且在封装过程中，降低门极组装难度，且保证上钼片与芯片的直接接触，保证装置的散热。

公开(公告)号：CN112309842A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910681759.3

申请日：2019-07-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  郭继军 ,  操国宏 ,  李勇 ,  朱为为 ,  王政英 ,  宋胜兰 ,  姚震洋 ,  王东东 ,  吴志华

IPC: H01L21/228 ,  H01L21/42 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法采用液态硼源涂敷工艺替代硼离子注入工艺，在现有生产线条件下即可实现硼源涂敷及扩散，且液态硼源的成本远低于硼离子注入用靶材，最重要的是避免了价格高昂的离子注入设备投入，显著降低了生产成本及固资投入费用；采用控制精度更高的质子辐照工艺以替换存在污染生产线风险且可控性差、重复性差的掺金/铂工艺，精确控制FRD芯片的少子寿命，提高了器件的参数一致性，同时将FRD的反向恢复软度因子提高到0.7以上，降低了FRD反向恢复峰值电压，进而降低了其工作中所需承受的电应力，提高了FRD的应用长期可靠性。

公开(公告)号：CN112309855A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910680254.5

申请日：2019-07-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  郭继军 ,  操国宏 ,  李勇 ,  朱为为 ,  王政英 ,  宋胜兰 ,  姚震洋 ,  王东东 ,  吴志华

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/228 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法通过工艺流程的巧妙设计实现了铝杂质在硅圆片上的单面扩散，从而规避了单面机械研磨工艺，提高了芯片成品率及长期可靠性；采用液态硼源涂敷工艺进行硼杂质掺杂，该工艺成本更低，效率更高；采用质子辐照工艺精确控制FRD芯片的纵向少子寿命，该工艺的重复性高，器件参数的一致性好，采用该工艺的FRD的反向恢复软度因子大于0.7，有效降低了反向恢复峰值电压VRM，降低了器件工作过程中所需承受的电应力。

公开(公告)号：CN111599664B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201910130103.2

申请日：2019-02-21

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 高军 ,  朱为为 ,  操国宏 ,  银登杰 ,  唐革 ,  李勇 ,  刘军 ,  王政英 ,  王东东

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/673

Abstract: 本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。

公开(公告)号：CN111128931B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201811276213.1

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 全靓 ,  刘芹 ,  刘军 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10

Abstract: 本发明公开了一种整流器管壳，整流器管壳包括彼此连接的整流器管盖和整流器管座、包括在整流器管盖内的阴极电极、包括在整流器管座内的阳极电极、阴极法兰和阳极法兰。阴极电极包括第一铝块和贴合在所述第一铝块下表面的第一铜片，阳极电极包括第二铝块和贴合在所述第二铝块上表面的第二铜片，阴极法兰与第一铜片连接；阳极法兰与第二铜片连接。本发明在保证整流器高强度、良好气密性、耐高压、良好绝缘性能的情况下，还降低了整流器管壳的重量，满足了对重量要求严格的领域的使用需求。

公开(公告)号：CN109698234B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201710990256.5

申请日：2017-10-23

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 高军 ,  姚震洋 ,  操国宏 ,  唐革 ,  朱为为 ,  刘芹 ,  王东东

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及晶闸管及其制造方法。该晶闸管包括芯片，所述芯片包括板状的芯片主体，所述芯片主体构造有工作表面，所述芯片还包括从所述工作表面向外凸出的第一电极凸起和第二电极凸起，所述第一电极凸起和所述第二电极凸起相互间隔开，在所述第一电极凸起和所述第二电极凸起之间形成间隔空间。通过这种晶闸管能有效地确保电极之间的绝缘性。