-
公开(公告)号：CN112309855A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910680254.5
申请日：2019-07-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/228 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法通过工艺流程的巧妙设计实现了铝杂质在硅圆片上的单面扩散，从而规避了单面机械研磨工艺，提高了芯片成品率及长期可靠性；采用液态硼源涂敷工艺进行硼杂质掺杂，该工艺成本更低，效率更高；采用质子辐照工艺精确控制FRD芯片的纵向少子寿命，该工艺的重复性高，器件参数的一致性好，采用该工艺的FRD的反向恢复软度因子大于0.7，有效降低了反向恢复峰值电压VRM，降低了器件工作过程中所需承受的电应力。
-
公开(公告)号：CN111599664B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910130103.2
申请日：2019-02-21
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
-
公开(公告)号：CN111128931B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811276213.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种整流器管壳，整流器管壳包括彼此连接的整流器管盖和整流器管座、包括在整流器管盖内的阴极电极、包括在整流器管座内的阳极电极、阴极法兰和阳极法兰。阴极电极包括第一铝块和贴合在所述第一铝块下表面的第一铜片，阳极电极包括第二铝块和贴合在所述第二铝块上表面的第二铜片，阴极法兰与第一铜片连接；阳极法兰与第二铜片连接。本发明在保证整流器高强度、良好气密性、耐高压、良好绝缘性能的情况下，还降低了整流器管壳的重量，满足了对重量要求严格的领域的使用需求。
-
公开(公告)号：CN111106071B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201811261306.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/057 , H01L21/52
Abstract: 本发明提出了一种适用于紧凑型高功率模块的晶闸管及其制备方法，本发明的晶闸管包括依次连接的晶闸管管盖、晶闸管芯片及晶闸管管座，所述晶闸管的门极信号从位于晶闸管管盖的阴极电极轴向或与轴向平行的方向引出。本发明的晶闸管的门极信号从阴极电极轴向或与轴向平行的方向引出，在具备传统晶闸管元件强度高、气密性好、耐高压、绝缘性能好的优点的同时，门极采用插接方式，在使用过程中无需再焊接门极引线。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111341730B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811548263.0
申请日：2018-12-18
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种轻型晶闸管元件管壳，包括依次层叠设置的阴极电极、阴极钼片、芯片、阳极钼片和阳极电极，阳极电极包括沿管壳厚度方向设置的铜层和铝层，阳极电极中的铜层靠近所述芯片一侧，阴极电极的厚度小于所述阳极电极的厚度。通过本申请提供的管壳结构，用纯铝代替大部分铜，达到了管壳减重的目的，利于器件及组件的轻型化。将纯铝设置在阳极电极，与阳极电极中的铜层组装在一起，所形成的铝层与单面的铜层接触的非对称结构减小了接触电阻，降低了接触压降。此外，阳极电极中的铝层更适合与铝散热器直接压接，能够降低接触压降，拓宽了器件的应用领域。
-
公开(公告)号：CN109119352B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710498176.8
申请日：2017-06-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种管芯参数测试方法、适配装置及该装置的安装方法，装置包括：阴极适配器和阳极适配器，管芯设置于阴极适配器与阳极适配器之间。阴极适配器包括阴极垫板、阴极块和门极件，阴极垫板、阴极块采用导电材料。阴极垫板设置有与管芯的门极图形对应的阴极垫板槽。门极件设置于阴极垫板槽中，并在测试时与管芯的门极相连。阴极垫板的一面与管芯的阴极相装配，另一面与阴极块相装配。阳极适配器进一步包括阳极块，及用于固定管芯的定位圈，阳极块采用导电材料，定位圈设置于阳极块的一面。阳极块设置有定位圈的一面在管芯测试时与管芯的阳极相装配。本发明能够解决传统管芯测试适配器需逐片装放与拆卸，测试效率和准确性不高的技术问题。
-
公开(公告)号：CN117913127A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311708465.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/28
Abstract: 本发明提出了一种软恢复二极管及其制作方法。所述软恢复二极管包括阳极金属片，所述阳极金属片的一侧设置有第一金属层；半导体芯片，所述半导体芯片的阳极面设置有第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层均包括至少一个子层；焊接层，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述焊接层连接，所述焊接层靠近所述第一金属层的一侧具有与所述第一金属层形成的金属间化合物，所述焊接层靠近所述第二金属层的一侧具有与所述第二金属层形成的金属间化合物。该软恢复二极管能够有效改善现有软恢复二极管工作结温低、直流阻断能力弱、反向雪崩电压耐受能力弱、通流能力低的问题。
-
公开(公告)号：CN111106069B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811259684.1
申请日：2018-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管管壳，其包括彼此连接的晶闸管管盖和晶闸管管座，晶闸管的门极信号沿所述晶闸管管盖包括的阴极电极的轴向或与该轴向平行的方向引出。应用本发明的晶闸管管壳，晶闸管的门极信号沿阴极电极的轴向或与该轴向平行的方向引出，而并非从位于阳极管座周向侧的瓷环引出，使得晶闸管能够应用于紧凑型高功率模块，大大拓宽了晶闸管的应用范围。
-
公开(公告)号：CN112309842A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910681759.3
申请日：2019-07-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/228 , H01L21/42 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法采用液态硼源涂敷工艺替代硼离子注入工艺，在现有生产线条件下即可实现硼源涂敷及扩散，且液态硼源的成本远低于硼离子注入用靶材，最重要的是避免了价格高昂的离子注入设备投入，显著降低了生产成本及固资投入费用；采用控制精度更高的质子辐照工艺以替换存在污染生产线风险且可控性差、重复性差的掺金/铂工艺，精确控制FRD芯片的少子寿命，提高了器件的参数一致性，同时将FRD的反向恢复软度因子提高到0.7以上，降低了FRD反向恢复峰值电压，进而降低了其工作中所需承受的电应力，提高了FRD的应用长期可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.031 seconds)
