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公开(公告)号：CN119496483B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510081012.X
申请日：2025-01-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种集总式同相功率合成电路及功率放大器，包括第一信号输入端、第二信号输入端、输入阻抗匹配电路、第一谐波抑制电路、第二谐波抑制电路、第一低通滤波电路、第二低通滤波电路、高通滤波电路以及信号合成输出端；输入阻抗匹配电路用于提供电源和阻抗匹配；第一谐波抑制电路用于对输入阻抗匹配电路的第一端输出的信号实现二次谐波滤除；第二谐波抑制电路用于对输入阻抗匹配电路的第二端输出的信号实现二次谐波滤除；第一低通滤波电路用于对输入阻抗匹配电路的第一端输出的信号进行滤波处理。本发明的集总式同相功率合成电路具备阻抗变换特性，同时具备低成本，高隔离和高集成度等优势。
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公开(公告)号：CN115266844B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210896284.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种低维感存算一体化器件及其制备方法。该低维感存算一体化器件包括：衬底，其为具有氧化层的高掺杂硅片；存储功能层，其为金属纳米晶颗粒，形成在所述衬底上；过渡层，形成在所述存储功能层上；气体探测层，其为经金属纳米晶颗粒修饰的二维半导体层，以提高对二氧化氮气体的探测灵敏度，形成在所述过渡层上；源电极和漏电极，形成在所述气体探测层两侧，在同一器件单元实现对二氧化氮气体的探测、识别与记录。
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公开(公告)号：CN119212549A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411340099.X
申请日：2024-09-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种具有快速响应速度的铪基铁电叠层结构及其制备方法。该铪基铁电叠层结构，包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上，沿第一方向间隔排列；铁电功能叠层，形成在所述底电极上，由不同掺杂比例的多层铪基铁电薄膜构成；顶电极，形成在所述铁电功能叠层上，沿第二方向间隔排列，与第一方向垂直。
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公开(公告)号：CN119170638A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411294363.0
申请日：2024-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET及其制备方法。该器件自下而上依次包括碳化硅衬底，N型漂移层和N型载流子存储层；N+区域和P+区域，交替分布在N型载流子存储层上部；深沟槽，贯穿所述N+区域和P+区域，底部位于N型载流子存储层中；P型掩埋层，形成在深沟槽底部的N型载流子存储层中；源极，填充中央N+区域两侧的深沟槽，在侧壁实现与N型载流子存储层的肖特基接触势垒；栅氧层，覆盖最外侧深沟槽的侧壁和底部；栅极，覆盖所述栅氧层并填充最外侧的深沟槽；P型基区，形成于栅极和源极间的N+区域和P+区域下方的N型载流子存储层中；钝化层，覆盖所述栅极表面；源极欧姆接触，覆盖器件表面。
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公开(公告)号：CN119133127A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411248908.4
申请日：2024-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明提供了一种面向大功率密度封装的低阻力微流道结构，所述微流道结构包括：载板，其上设有芯片堆叠体；壳体，盖设于所述载板上且容纳所述芯片堆叠体；散热微流道，由所述载板、所述芯片堆叠体及所述壳体围成且环绕所述芯片堆叠体，包括设于所述壳体远离所述载板一侧的供冷却液进出的入口及出口，所述微流道的内壁具有亲水表面。本发明可在保证散热效果的前提下降低泵送冷却液的功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118922060A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974683.4
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有高整流比和高选择性的神经形态器件及其制备方法，自下而上包括：衬底；底电极层；第一介电层；第二介电层；顶电极层；通过所述第一介电层和所述第二介电层的能带调控以及所述底电极层和所述顶电极层的金属功函数的调制作用，器件的电流‑电压特性可实现正向导通反向截止，从而获得超高的整流比，以及实现在正向小电压时截止大电压时导通，从而获得超高非线性度，继而达到抑制阵列漏电流的作用。在具备抑制漏电流的本征特性的基础上，该器件还可实现包括配对脉冲促进、兴奋性突触后电流和长期增强/抑制等神经突触形态学特征与功能。
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公开(公告)号：CN118900625A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410974707.6
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种异质结自供电突触器件及其制备方法，突触器件包括：依次设于衬底上的第一电极层、介质层和第二电极层；所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层，且所述第一子介质层和所述第二子介质层形成PN结，以产生内建电场，可以在内建电场的作用下，使光产生的电子‑空穴对被迅速分离，产生光生电流，从而实现自供电，有望在未来大规模集成电路制造中获得应用。
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公开(公告)号：CN113945611B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202111036238.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铈颗粒修饰的氧化铜纳米线结构的异质气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明采用共价键合法，将水热法制备得到的CeO2纳米颗粒修饰于热氧化法制备得到的CuO纳米线上，进一步煅烧后得到了异质气敏材料，其合成方法成本相对较低、制备效率高和可规模化生产；本发明采用电子束光刻技术制备了氧化铈颗粒修饰的氧化铜纳米线基新型单根纳米线气体传感器件，该制备方法重复性好、成功率高，单根纳米线气体传感器件能够对ppb级微量硫化氢气体实现超快超灵敏探测，同时具有较好的选择性和一致性，能够应用于工业生产、环境监测、食品安全检测和医疗健康等领域。
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公开(公告)号：CN112466930B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202011282535.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/44 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN118431293A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410888590.X
申请日：2024-07-04
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅器件及其制造方法，碳化硅器件包括N+型碳化硅衬底；设于所述N+型碳化硅衬底上的N型漂移区；设于所述N型漂移区上的阶梯形栅极结构，所述阶梯形栅极结构的底部具有阶梯形P型屏蔽区；设于所述N型漂移区上的源极金属层；设于所述N+型碳化硅衬底底部的漏极金属层。本发明提供的碳化硅器件及其制造方法，其制备工艺简单，且制备出的碳化硅器件降低了栅极氧化层附近的电场，提高了碳化硅器件使用的可靠性。
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