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公开(公告)号：CN120035173A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510186036.1
申请日：2025-02-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种鳍式沟道和平面沟道混合式碳化硅MOSFET及其制备方法。该器件包括：碳化硅衬底；N型漂移区，形成在碳化硅衬底上；沟道层，形成在N型漂移区上，沟道层包括平面沟道和鳍式沟道，且鳍式沟道位于平面沟道上；底部P型基区，形成在平面沟道上部的两侧区域，与鳍式沟道保持一定距离；底部N+区，形成在底部P型基区的上部；顶部P型基区，形成在鳍式沟道上；顶部N+区，形成在顶部P型基区上；栅介质层，形成在鳍式沟道两侧，覆盖顶部N+区、顶部P型基区和鳍式沟道的侧壁和平面沟道表面；多晶硅栅，形成在栅介质层上；氧化物层，覆盖多晶硅栅；源极欧姆接触，与底部N+区表面和顶部的N+区表面相接触。有效提升器件电流通道密度、降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN119212550A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411340103.2
申请日：2024-09-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种基于氧化物电极的铪基铁电存储器及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上生长金属底电极；生长铪基铁电材料层；生长TiN层作为覆盖层，并进行退火，然后去除TiN覆盖层；形成氧化物顶电极；其中，通过调控氧化物电极中的氧空位含量和厚度，优化电极和铁电功能层界面特性。
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公开(公告)号：CN119170627A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411294364.5
申请日：2024-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种含有N+阱区和隧穿结的高工作温度IGBT器件及其制备方法。该IGBT器件自下而上依次包括集电极，含有N+阱区的P+集电区，N+掺杂的隧穿层，N型场阻止层，N型漂移区，N型载流子存储层，P型基区；沟槽栅贯穿P型基区和N型载流子存储层，N+发射区形成在P型基区上部、位于沟槽栅的两侧，发射极覆盖器件表面；其中，含有N+阱区的P+集电区中，N+阱区的厚度小于P+集电区，其下部与P+集电区平齐并外接集电极电位，其上方为薄层P+集电区；N+掺杂的隧穿层与P+集电区组成隧穿结。N+阱混合集电极结构和重掺杂隧穿结集电极结构协同降低IGBT的器件漏电流，从而提高工作温度。
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公开(公告)号：CN119012694A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411103093.0
申请日：2024-08-12
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明公开了一种基于ALD技术的三维堆叠3T0C DRAM的制造方法，涉及计算机制造领域。基于一套工艺制程实现两个晶体管的制作，利用一个写晶体管控制两个读晶体管，实现更加灵活的器件和存储应用。同时，还可以制作背栅和双栅结构的读晶体管，工艺上更加灵活。将具有平面双栅或背栅结构的读晶体管和垂直沟道结构的写晶体管实现三维堆叠，提高无电容DRAM的应用场景，工艺稳定性。背栅基础上制作顶栅器件，能够提高读晶体管性能，实现灵活读取，并与其他器件更方便互联，拓宽无电容DRAM应用范围。本发明设计的工艺流程具有较好工艺可行性，提供了更广泛的应用可能。
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公开(公告)号：CN118921993A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974693.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氨气检测的柔性有机晶体管阵列及其制备方法，包括衬底、栅极、介电层、有机小分子半导体异质结、源极和漏极，栅极覆盖衬底的一面，介电层覆盖栅极背向衬底的一面；有机小分子半导体异质结包括上层材料和下层材料，下层材料覆盖介电层背向栅极的一面，上层材料覆盖下层材料背向介电层的一面，源极和漏极覆盖上层材料背向下层材料的一面的一部分。本发明利用叠层的有机小分子半导体异质结对氨气进行感知，该上层材料能够增强源极和漏极到下层材料的空穴载流子注入，从而提高有机异质结晶体管的性能。该下层材料能够促进表面有机小分子材料的生长，提高阵列器件对氨气检测的响应度和灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113964231B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111156457.8
申请日：2021-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种感光增强的视觉神经形态器件及其制备方法。该感光增强的视觉神经形态器件包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；底层介质/钙钛矿量子点/顶层介质叠层结构，形成在所述背栅电极上，其中，所述底层介质和所述顶层介质为致密的氧化物，并且具有氧空位缺陷，所述底层介质作为存储功能层；二维材料层，其为能带可与可见光波段进行匹配，在光照的作用下可以产生空穴电子对，并且电子占据主导作用的n型二维材料，作为沟道，实现基础感光功能，形成在所述顶层介质上；源电极和漏电极，形成在所述二维材料层的两端；利用钙钛矿量子点与二维材料的耦合作用增强器件感光效应，在同一器件实现光学信息的感知、计算与存储功能。
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公开(公告)号：CN115078489B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210608899.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种嗅觉与视觉集成的仿生感知器件及其制备方法。该嗅觉与视觉集成的仿生感知器件包括：柔性衬底；MXene纳米片薄膜，形成在所述柔性衬底上；透明电极，其为叉指状，形成在所述MXene纳米片薄膜上，向MXene纳米片薄膜的表面施加光学信号与气体信号的多模式刺激，获得仿生嗅觉与视觉感知功能，以及对感知得到的信息的处理计算和对计算结果的存储功能，实现在同一器件的感存算功能的集成。
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公开(公告)号：CN118156294A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410381247.6
申请日：2024-04-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种逆导型IGBT结构及其制造方法。该逆导型IGBT结构自下而上包括集电极，彼此相接的N+集电极区和P+集电极区，N‑层，P型浮空层，N型场阻止层和N型漂移区；P型基区，形成在N型漂移区上部的一端；N阱区，形成在P型基区上部的部分区域；栅氧化层和氧化层，分别形成在N型漂移区上方的两端，使部分N阱区表面露出，形成欧姆接触孔；多晶硅层，形成在栅氧化层上；发射极，形成在氧化层上，并在欧姆接触孔处与N阱区相接触。
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公开(公告)号：CN117727797A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311748792.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法。该器件包括：Si/SiO2衬底，其中，SiO2层形成有凹槽；底电极，形成在所述SiO2层的凹槽中，其顶部高出所述SiO2层的表面；铁电栅介质层，其为HfLaO铁电薄膜，形成在所述衬底上，覆盖所述底电极；沟道层，其为ITO薄膜，形成在所述HfLaO铁电薄膜上；源电极和漏电极，形成在所述ITO薄膜两侧。该器件具有高速和低功耗的优点，有望成为新一代人工突触的有力竞争者，在未来类脑芯片中得到应用。
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公开(公告)号：CN117693287A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311625610.6
申请日：2023-11-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种光子突触器件及其制备方法。该光子突触器件包括：衬底；底电极，其为易氧化金属，形成在所述衬底上；具有光电导效应的异质结，形成在所述底电极上，包括第一介质层和第二介质层，均为具有感光特性的氧化物；顶电极，其为透明电极，形成在所述异质结上。
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