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公开(公告)号：CN115488515A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211139725.X
申请日：2022-09-19
Applicant: 复旦大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70 , H01L21/461
Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种二维材料的刻蚀方法。本发明方法包括：硅/二氧化硅或蓝宝石等衬底上的单层或多层二维材料的制备、高光束质量的小功率激光聚焦进行图案化刻蚀。本发明利用激光刻蚀方法对二维材料进行图形化，相较于传统的光刻图形化方法，激光刻蚀图形化省略了光刻胶的涂胶、显影、去胶等步骤，避免了以上步骤对二维材料的沾污和破坏，并将图形化和刻蚀同时完成，在实现高精度图形化的同时有效保留了二维材料的本征电学性能。因此，本发明方法在尺寸不断微缩的二维材料先进工艺中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112490289B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202011316239.1
申请日：2020-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法。随着集成电路中半导体晶体管制程的逐步缩小，由于短沟道效应的存在，器件性能的提升受到严峻的挑战。在3‑5 nm工艺节点下，器件的具体结构从鳍型场效应晶体管逐步转变为环栅叠层纳米片晶体管，其使得晶体管拥有更小的导通电阻与更强的栅控能力。本发明利用自有的栅极、源极、漏极金属作为自对准掩膜，制备得到叠层沟道纳米片晶体管。本发明具有制备工艺简单，成本低廉，兼容以硅基、锗基、三五族、IGZO、二维半导体等材料作为沟导电道的晶体管架构等等一系列优点，大大提升了器件性能。
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公开(公告)号：CN108376711B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810014816.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于二维半导体晶体管技术领域，具体为一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法。本发明方法包括制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的电解质介质薄膜、充当栅极的金属电极材料。所述电解质与传统介质材料相比具有更大的比电容，且所述栅极为顶栅的拓扑结构。因此，本发明方法可以解决二维半导体场效应晶体管在低工作电压、低功耗、高速电路和柔性电路上的应用问题。
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公开(公告)号：CN111293091A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010083085.X
申请日：2020-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , G01N27/327
Abstract: 本发明属于生物化学传感技术领域，具体为一种基于二维材料的生物化学传感模块的制备方法。本发明方法包括：在硅/二氧化硅衬底上沉积二维材料；制备与二维材料连接或者不连接的金属电极；二维材料和金属电极周边封装树脂材料；以及硅片下面附着印刷线路板。二维材料作为一种外界敏感材料，适用于多种传感领域，特别是作为气态或者液态的感应器或探测器。本发明解决了制造基于二维材料的生物化学传感芯片模块的问题，可以广泛的应用于生物化学感应和测量应用中。
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公开(公告)号：CN110993528A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911084203.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于湿法刻蚀技术领域，具体为一种湿法刻蚀单面基板的装置。本发明装置主要包括导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器；其中导热底座是槽壁顶端带关卡的导热浅槽底座及防刻蚀液渗漏的垫子等组成；溶液刻蚀杯是略比底座小的通孔刻蚀容器；防液体蒸发盖为带圆孔的容器盖。本发明设计的湿法刻蚀平板的装置，具有装置结构简单、重复使用性较高、成本低、可实现平板的大面积刻蚀等优势，能满足各领域对大面积单面平板材料的刻蚀的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635565B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202011555330.9
申请日：2020-12-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116632011A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310564444.7
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于SOI—石墨烯共源共栅电路的高增益异质放大器及其制备方法。本发明益异质放大器包括：衬底、氧化埋层、顶层硅沟道区、氧化层隔离区，以及在沟道区上的栅氧化层、栅极、栅极金属接触、源极金属接触、漏极金属接触，和在氧化层隔离区上的石墨烯沟道区、栅氧化层、栅极、栅极金属接触、源极金属接触、漏极金属接触。本发明在共源共栅电路的基础上采用SOI—石墨烯异质结，器件输入端栅极连接石墨烯，利用石墨烯的高gm，输出端连接SOI晶体管的高输出电阻，以提高输出电阻、提高电压和功率增益；器件工艺成本更低，可应用于射频晶体管。
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公开(公告)号：CN115831726A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211582913.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/223 , H01L21/31
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于等离子体掺杂调控低维半导体材料电学性能的方法。本发明方法包括提供具有低维半导体材料的工件，对低维半导体材料进行等离子体掺杂，原位沉积钝化层形成封装结构，其中形成封装结构的步骤包括：向真空工艺腔室中通入气体，使气体电离形成等离子体，对低维半导体材料进行掺杂，后在原位真空下沉积钝化层。本发明对低维半导体材料进行等离子体掺杂后原位沉积钝化层，降低杂质对等离子体掺杂后活化的低维半导体材料表面的影响，降低低维半导体材料与钝化层之间界面态缺陷密度，通过等离子体掺杂改变低维半导体材料载流子浓度和类型，进而调控低维半导体材料电学性能。
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公开(公告)号：CN115694377A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211269333.5
申请日：2022-10-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种与二维光导型探测器适配的CTIA型读出电路。本发明中，光导型探测器是以二维材料做沟道的二端口器件，感光器件做光敏像素、经遮光处理的器件做盲元像素，光敏像素与可调补偿电阻串联，与盲元像素相互配合作为后边CTIA电路的输入级。CTIA型读出电路由一个高增益的运算放大器、档位可调的积分电容Cint以及电容复位开关Rst构成。运算放大器为两级运放结构。本发明突破了目前难以将硅以外的半导体与硅基电路进行结合的难题。CTIA注入级采用两级运放，极大提高了电路增益；使用档位可调的积分电容，提高了读出电路与不同类型、不同性能光电探测器耦合的适配性；并且具有单元电路面积小、集成度高等优点。
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公开(公告)号：CN111446288B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010154718.1
申请日：2020-03-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法。本发明的NS叠层晶体管由两层或数层二维材料的活性层，三层或数层石墨烯或者金属的栅极堆叠共栅组成。本发明的制备方法包括硅/二氧化硅埋栅的制备；硅/二氧化硅衬底上的二维材料的制备；与二维材料不连接的石墨烯或金属电极的制备；二维材料的氧化或者选择性刻蚀和金属电极的选择性刻蚀；与二维材料边缘接触的金属电极以及和金属电极接触的连接电极的制备。本发明提出一种二维材料的新型晶体管结构，不仅解决了硅基晶体管在极小尺度下的短沟道效应问题，而且此类型晶体管可适应5nm以下先进制程工艺，为二维材料在集成电路先进工艺中的应用提供了基础。
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