公开(公告)号：CN119584855A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202410974703.8

申请日：2024-07-19

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 陈琳 ,  于佳杰 ,  王天宇 ,  孟佳琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明提供了一种三维集成铪基铁电器件及其制备方法，包括：衬底；底电极层包括多个叠层结构，底电极层包括多个并列的台阶结构，所有台阶结构设于衬底上；每一个台阶结构包括第一金属层、多个叠层结构和第一绝缘层；第一金属层设于衬底上，所有叠层结构依次堆叠于第一金属层上，第一绝缘层设于顶部的叠层结构上；铁电材料层覆盖于底电极层；顶电极层覆盖于铁电材料层。本发明具有能在平面器件的面积不减小的前提下，提高剩余极化和电容值，提高铁电存储器的性能。

公开(公告)号：CN119212549A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411340099.X

申请日：2024-09-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  宋逸凡 ,  于佳杰 ,  王晨 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明公开一种具有快速响应速度的铪基铁电叠层结构及其制备方法。该铪基铁电叠层结构，包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上，沿第一方向间隔排列；铁电功能叠层，形成在所述底电极上，由不同掺杂比例的多层铪基铁电薄膜构成；顶电极，形成在所述铁电功能叠层上，沿第二方向间隔排列，与第一方向垂直。

公开(公告)号：CN115261793A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210918683.3

申请日：2022-08-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  于佳杰 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开一种基于PVD的Hf基铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：在腔体中通入氧气作为氧离子来源，通入氩气作为等离子体源，同时打开Hf靶和掺杂用金属靶，两个靶使用不同电源控制，分别改变两靶的功率调控掺杂元素含量，实现掺杂元素与Hf元素的任意比例的掺杂，通过调整通入氧气和氩气的比例来调整薄膜的氧空位含量。

公开(公告)号：CN119212550A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411340103.2

申请日：2024-09-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  张金娜 ,  于佳杰 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明公开一种基于氧化物电极的铪基铁电存储器及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上生长金属底电极；生长铪基铁电材料层；生长TiN层作为覆盖层，并进行退火，然后去除TiN覆盖层；形成氧化物顶电极；其中，通过调控氧化物电极中的氧空位含量和厚度，优化电极和铁电功能层界面特性。