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公开(公告)号：CN118921992A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974677.9
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多模态感存算一体类脑芯片及其制备方法，包括：依次设于衬底表面上的栅介质层和沟道层，以及设于所述沟道层的两端上的源漏电极；所述沟道层包括以一端相连并形成异质结的铁电半导体层和有机半导体层，所述源漏电极分设于所述铁电半导体层和所述有机半导体层上；所述铁电半导体层作为光信号与电信号的响应层，所述有机半导体层作为气体的响应层。本发明利用铁电半导体与有机半导体的异质结构建感存算一体型类脑芯片，获得具有光、电、气存储效果的神经形态电子器件，适合于多模态信息感知、存储与处理。
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公开(公告)号：CN118900571A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410974699.5
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种柔性铁电存储器件及其制备方法，通过提供柔性衬底；在所述衬底上生长第一金属层，作为存储器的栅极；通过原子层沉积法在所述第一金属层上掺杂二氧化铪形成铁电层；在所述铁电层上生长第二金属层，作为存储器的源极和漏极；将有机材料通过真空热蒸发沉积在所述第二金属层上，形成柔性可弯折的沟道，得到柔性铁电存储器件，通过真空热蒸发沉积有机材料形成柔性可弯折的沟道，简化了柔性铁电存储器件生产过程，降低了生产成本，通过掺杂二氧化铪形成铁电层，实现了高性能柔性铁电存储器件的制备，满足可穿戴设备的存储需求。
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公开(公告)号：CN118900560A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410974688.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种柔性2T0C‑DRAM及其制备方法，通过紫外光刻和物理气相沉积在柔性衬底上生长第一金属层，作为存储器的单个晶体管的栅极；通过原子层沉积法在第一金属层上沉积介质层；通过干法刻蚀形成连接通孔；通过紫外光刻和物理气相沉积生长第二金属层，作为存储器的单个晶体管的源漏电极；将有机材料通过真空热蒸发沉积在第二金属层上，形成柔性可弯折的晶体管沟道，得到柔性2T0C‑DRAM，降低了生产成本，而且通过有机蒸镀沉积有机材料实现柔性可弯折存储单元晶体管沟道，使得制备得到的2T0C‑DRAM在具有优异的存储性能同时具备出色的柔性和可弯折性，满足可穿戴设备的存储需求。
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公开(公告)号：CN118885752A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410974680.0
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于模拟信号处理的储备池计算方法及其系统，包括：S1、采集需要处理的模拟信号；S2、将模拟信号进行预处理，使其幅值在光电忆阻器阵列的弛豫时间的范围内，得到处理后的模拟信号；S3、将处理后的模拟信号进行数字化处理，得到脉冲信号；S4、使用光调制器或激光器将脉冲信号进行转换，得到光脉冲信号；S5、将光脉冲信号输入至光电忆阻器阵列，光电忆阻器阵列实现信号高维映射，得到映射结果，并将映射结果输出。本发明通过在光电忆阻器阵列的非线性映射特性来模拟储备池计算，从而实现对模拟信号的高维映射，简化信号处理流程，从而显著地降低计算成本。
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公开(公告)号：CN118883637A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410974674.5
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种感存算一体化神经形态器件及其制备方法，器件包括：设于衬底表面上的底电极；依次设于所述底电极表面上并形成异质结的氧化物半导体层和金属化合物层，所述氧化物半导体层作为气体感应层；设于所述金属化合物层表面上的顶电极。本发明可利用器件的忆阻效应实现神经形态存储与计算，并在器件本身实现气体类型的识别与记忆，即时实现信号判定，并能实现对低浓度气体的探测响应，具有气体信息感知增强效果，适合于信号内置增强型感存算一体化处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117727796A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311748787.5
申请日：2023-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种新型同源神经形态器件及其制备方法。该器件包括：柔性衬底；背部栅电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；阻挡层，其为高k材料薄膜，形成在所述背部栅电极上；同源电荷俘获层，其为具有双面不对称结构的二维材料薄膜，形成在所述阻挡层上；浮栅过渡层，其为高导电二维材料，形成在所述阻挡层上，一端搭接在所述同源电荷俘获层；电荷隧穿层，其为二维绝缘层材料，覆盖所述同源电荷俘获层，一端与所述浮栅过渡层相接触；同源沟道层，其为具有双面不对称结构的二维材料薄膜，形成在所述电荷隧穿层上；源端电极和漏端电极形成在所述同源沟道层两端，以及浮栅电极，形成在所述浮栅过渡层一端，实现神经形态功能与特性。
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公开(公告)号：CN116322285A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211603603.1
申请日：2022-12-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种同质结型感存算集成器件及其制备方法。该同质结型感存算集成器件包括：柔性衬底；底电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；第一功能层，其为经退火后的三元素n型氧化物半导体薄膜，具有光电响应的结晶相，形成在所述底电极上；第二功能层，其为未经退火的三元素n型氧化物半导体薄膜，与所述第一功能层的材料相同，共同构成同质结；多个彼此间隔分布的凹槽，贯穿所述第二功能层和所述第一功能层至底电极，其内填充有隔离层；顶电极，形成在所述第二功能层上，其中，第一功能层在光照下产生光生载流子，对光学信息进行感知，并以电流的形式反馈至器件，同时借助第二功能层的忆阻特性，以实现整体器件状态的记忆存储，通过对器件不断地施加光电信号，实现器件电导的连续调制，从而实现神经形态计算中权重更迭。
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公开(公告)号：CN115867120A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211489471.4
申请日：2022-11-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法。该柔性反铁电神经形态晶体管包括：柔性衬底；栅电极薄膜，形成在所述柔性衬底上；过渡层，其为高k介质材料，形成在所述栅电极薄膜上；反铁电性功能薄膜叠层，由多重铪基铁电薄膜和反铁电诱导层交叠而成，形成在所述过渡层上；硅纳米线，其表面包覆有二维半导体薄膜和二维铁电薄膜，相互间隔且平行排列，形成在所述反铁电性功能薄膜叠层上；源电极和漏电极，形成在各所述纳米线的两侧。
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公开(公告)号：CN112331668B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202011159688.X
申请日：2020-10-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本发明公开一种可见‑红外波段二维电荷俘获型存储器及其制备方法。该可见‑红外波段二维电荷俘获型存储器包括：衬底；背栅，形成在所述衬底上；电荷阻挡层，形成在所述背栅上；电荷俘获层，其为第一类二维材料，形成在所述电荷阻挡层上；电荷隧穿层，形成在所述电荷俘获层上；沟道层，其为第二类二维材料，形成在所述电荷隧穿层上，其中，所述第一类二维材料和所述第二类二维材料的光学响应波段互补，相互叠加后使得存储器的光响应范围可覆盖可见‑红外波段，实现可见‑红外电荷俘获型擦写功能。
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公开(公告)号：CN115275012A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210930716.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法。该高耐久性柔性神经形态器件包括：栅极织物，源极织物和漏极织物，其中，所述源极织物和所述漏极织物相互扭转缠绕，且所述栅极织物以螺旋方式缠绕在所述相互扭转缠绕的源极织物和漏极织物上，所述栅极织物包括：栅电极，其为金属织物；栅介质层，其为有机铁电聚合物薄膜，包覆在所述栅电极上；绝缘过渡层，其为有机绝缘聚合物薄膜，包覆在所述栅介质层上；所述源极织物/所述漏极织物包括：基底，其为金属织物；源极/漏极，其为有机导电聚合物薄膜，包覆在所述基底上；沟道层，其为有机半导体薄膜，包覆在所述有机导电聚合物薄膜。
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