公开(公告)号：CN115488515A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211139725.X

申请日：2022-09-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  朱宇轩 ,  夏银 ,  邵仁锦 ,  浦东林

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/70 ,  H01L21/461

Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种二维材料的刻蚀方法。本发明方法包括：硅/二氧化硅或蓝宝石等衬底上的单层或多层二维材料的制备、高光束质量的小功率激光聚焦进行图案化刻蚀。本发明利用激光刻蚀方法对二维材料进行图形化，相较于传统的光刻图形化方法，激光刻蚀图形化省略了光刻胶的涂胶、显影、去胶等步骤，避免了以上步骤对二维材料的沾污和破坏，并将图形化和刻蚀同时完成，在实现高精度图形化的同时有效保留了二维材料的本征电学性能。因此，本发明方法在尺寸不断微缩的二维材料先进工艺中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN114899105A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210493870.1

申请日：2022-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  朱宇轩 ,  夏银 ,  缑赛飞 ,  张卫

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法。本发明制备方法包括：硅/二氧化硅或蓝宝石衬底上的单层或多层二维半导体材料的制备、氧化物介质层的生长、氧化物介质层上的顶栅金属电极的沉积、氧化物介质层选择性刻蚀以及与二维材料边缘接触的源漏金属电极的自对准沉积。本发明利用选择性腐蚀所形成的微结构作为硬掩膜自对准沉积源漏的金属材料，相较于非自对准工艺省略了源漏图形化套刻的步骤，避免因尺寸缩小所导致的对准偏差问题，更易于制备短沟道场效应晶体管，因此，该制备方法在尺寸不断微缩的先进工艺中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112466930B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202011282535.4

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN112466930A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011282535.4

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN213782022U

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202022650559.2

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本实用新型采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。