-
公开(公告)号：CN113945611B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202111036238.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铈颗粒修饰的氧化铜纳米线结构的异质气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明采用共价键合法，将水热法制备得到的CeO2纳米颗粒修饰于热氧化法制备得到的CuO纳米线上，进一步煅烧后得到了异质气敏材料，其合成方法成本相对较低、制备效率高和可规模化生产；本发明采用电子束光刻技术制备了氧化铈颗粒修饰的氧化铜纳米线基新型单根纳米线气体传感器件，该制备方法重复性好、成功率高，单根纳米线气体传感器件能够对ppb级微量硫化氢气体实现超快超灵敏探测，同时具有较好的选择性和一致性，能够应用于工业生产、环境监测、食品安全检测和医疗健康等领域。
-
公开(公告)号：CN110589754B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910861740.7
申请日：2019-09-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于压力测量技术领域，具体为一种柔性水下压力传感器及其制备方法。本发明的压力传感器包括从下而上紧密贴合的下层柔性基底、力敏结构层和上层柔性封装层；下层柔性基底为聚酰亚胺薄膜，其下表面设有圆柱状空腔，空腔的腔壁上设置用以与外部水环境连通的微流道；力敏结构层从下至上包括下部电极层、柔性压电材料层和上部电极层，柔性压电材料层是具有压电特性的聚偏氟乙烯材料；上层柔性封装层是具有防水性的聚对二甲苯材料。本发明工艺简单、易于阵列化制造；制得的传感器具有柔性好、超薄超轻、可测量水下动态压力信号等优点。
-
公开(公告)号：CN109742012B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201811530397.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种用于改善硅超晶格薄膜光电特性的低温微波退火方法。该方法的具体步骤如下：步骤1，退火前，对微波退火腔预先通入惰性气体，使得腔内为纯净的惰性气氛；步骤2，继续通入惰性气体作为退火气氛，将硅超晶格薄膜放入微波退火腔的中间位置，设定退火功率和退火过程中的最高温度，并设定相应时长的退火时间，开始微波退火；其中：退火过程中的最高温度为300~500℃；步骤3，微波退火结束后，待腔内温度自然冷却，得到改性优化的硅超晶格薄膜。本发明方法可靠性高，可重复性强，其用于制备改性优化的硅超晶格薄膜成品率高，为硅超晶格薄膜的低温退火提供了一种具有指导意义的方法。
-
公开(公告)号：CN114744076A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210279033.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法。氮化镓异质结薄膜的主体结构为SiN/GaN/AlyGa1‑yN/AlN/GaN。阴极与异质结界面的二维电子气形成欧姆接触，在SiN介电层上的半透明金属阳极与氮化镓异质结形成金属‑绝缘体‑半导体（MIS）结构。由于异质结薄膜中具有的对立的极化电场，这种基于氮化镓异质结的MIS光电二极管在不同能量的紫外光激发下可以产生不同方向的光电流。本发明的基于硅衬底上氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管工艺简单，性能稳定，能够与CMOS工艺兼容，可以作为未来多功能光电集成芯片及系统中的高性能光电探测单元。
-
公开(公告)号：CN112490287B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011221337.7
申请日：2020-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法。采用选区外延生长的方法，在AlGaN/GaN异质结侧壁生长p‑GaN形成p‑GaN/2DEG结。分别在p‑GaN和AlGaN/GaN异质结上制备p型和n型欧姆接触电极，在p‑GaN/2DEG结的AlGaN/GaN异质结一侧制备绝缘栅电极。本发明的GaN集成场效应晶体管同时具有增强型和耗尽型工作模式，同时采用基于AlGaN/GaN异质结的选区外延工艺避免制备互联金属，提高了集成器件的功能性，降低了集成器件的寄生效应，在高性能GaN功率器件和逻辑器件领域具有广泛的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113945611A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111036238.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铈颗粒修饰的氧化铜纳米线结构的异质气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明采用共价键合法，将水热法制备得到的CeO2纳米颗粒修饰于热氧化法制备得到的CuO纳米线上，进一步煅烧后得到了异质气敏材料，其合成方法成本相对较低、制备效率高和可规模化生产；本发明采用电子束光刻技术制备了氧化铈颗粒修饰的氧化铜纳米线基新型单根纳米线气体传感器件，该制备方法重复性好、成功率高，单根纳米线气体传感器件能够对ppb级微量硫化氢气体实现超快超灵敏探测，同时具有较好的选择性和一致性，能够应用于工业生产、环境监测、食品安全检测和医疗健康等领域。
-
公开(公告)号：CN113838928A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010584595.5
申请日：2020-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种高效率高线性射频GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源极，设置在衬底上方，漏极，设置在衬底上方与源极相对应，栅极，设置在衬底上方，位于源极与漏极之间，其中，源极和漏极均包括第一金属层，栅极包括第二金属层，源极和漏极呈非均匀多线条结构，该非均匀多线条结构具有多个长度不等的线条。源极的非均匀线条结构还能减小源欧姆接触的寄生电容Cgs，从而获得更好的线性度和fT。漏极的非均匀线条结构还能减小漏欧姆接触的寄生电容Cgd、Cds，从而获得更好的功率增益、fmax以及线性度。
-
公开(公告)号：CN103603018B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310500309.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 复旦大学
IPC: C25D5/18 , C25D7/12 , C25D7/04 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体互连工艺技术领域，具体涉及一种脉冲电镀方法及其应用。本发明方法包括：若干个阶段，每个阶段包括若干个周期；每个周期为施加一个正向脉冲，再施加一个反向脉冲，反向脉冲的电流大于正向脉冲的电流，反向脉宽短于正向脉宽，反向脉间和正向脉间相同；其中，每个阶段中的正向脉间和反向脉间不变；后一个阶段的正向脉间短于前一个阶段的正向脉间。其优点在于反向的脉冲电流来加速离子浓度恢复，两次脉冲之间的电流关断时间提供一个弛豫时间，并且此周期中的退镀过程也提高了镀层表面平整性。本发明方法可用于金属互连结构的制备中。
-
-
公开(公告)号：CN103681478A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310700297.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53233 , H01L21/76838 , H01L23/5329
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种铜互连结构以及制备方法。本发明依托于原有的铜互连结构，采用双层Ru/TiAlN结构作为扩散阻挡层/粘附层/籽晶层结构。具体制备步骤为：使用原子层淀积方法，先在绝缘介质层上淀积一层TiAlN薄膜，再淀积一层Ru薄膜，最后可直接电镀铜获得铜互连结构。由于在TiN薄膜中加入了Al，可以获得非晶态的TiAlN薄膜，使其能够有比TiN薄膜更好的Cu扩散阻挡性能。本发明使用致密度高的非晶态TiAlN薄膜，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，提供了理想的扩散阻挡性和热稳定性，为22nm及其以下工艺技术节点的铜互连技术提供了一种更为切实可靠的方案。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
104
records
(took 0.024 seconds)
