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公开(公告)号：CN110993528A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911084203.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于湿法刻蚀技术领域，具体为一种湿法刻蚀单面基板的装置。本发明装置主要包括导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器；其中导热底座是槽壁顶端带关卡的导热浅槽底座及防刻蚀液渗漏的垫子等组成；溶液刻蚀杯是略比底座小的通孔刻蚀容器；防液体蒸发盖为带圆孔的容器盖。本发明设计的湿法刻蚀平板的装置，具有装置结构简单、重复使用性较高、成本低、可实现平板的大面积刻蚀等优势，能满足各领域对大面积单面平板材料的刻蚀的需求。
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公开(公告)号：CN109065493B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811047890.6
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。本发明装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。
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公开(公告)号：CN112635565A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011555330.9
申请日：2020-12-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111446288A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010154718.1
申请日：2020-03-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法。本发明的NS叠层晶体管由两层或数层二维材料的活性层，三层或数层石墨烯或者金属的栅极堆叠共栅组成。本发明的制备方法包括硅/二氧化硅埋栅的制备；硅/二氧化硅衬底上的二维材料的制备；与二维材料不连接的石墨烯或金属电极的制备；二维材料的氧化或者选择性刻蚀和金属电极的选择性刻蚀；与二维材料边缘接触的金属电极以及和金属电极接触的连接电极的制备。本发明提出一种二维材料的新型晶体管结构，不仅解决了硅基晶体管在极小尺度下的短沟道效应问题，而且此类型晶体管可适应5nm以下先进制程工艺，为二维材料在集成电路先进工艺中的应用提供了基础。
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公开(公告)号：CN110993562B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911084206.6
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993528B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201911084203.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于湿法刻蚀技术领域，具体为一种湿法刻蚀单面基板的装置。本发明装置主要包括导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器；其中导热底座是槽壁顶端带关卡的导热浅槽底座及防刻蚀液渗漏的垫子等组成；溶液刻蚀杯是略比底座小的通孔刻蚀容器；防液体蒸发盖为带圆孔的容器盖。本发明设计的湿法刻蚀平板的装置，具有装置结构简单、重复使用性较高、成本低、可实现平板的大面积刻蚀等优势，能满足各领域对大面积单面平板材料的刻蚀的需求。
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公开(公告)号：CN111293085A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010083084.5
申请日：2020-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为基于二维过渡金属硫族化合物和碲的三维CMOS及其制备方法。本发明的三维CMOS由一层TMDs为活性层的N沟道场效应晶体管和一层单质碲（Te）为活性层的P沟道场效应晶体管连接而成；这种三维结构的CMOS可实现反相器、与非门、或非门等数字逻辑，以及其他模拟电路和射频模拟电路的功能。制备方法包括：器件基底的准备；制备TMDs或单质Te，无掩膜光刻制备底层场效应晶体管；单质Te或TMDs及其场效应晶体管（通孔及氧化物保护层）的制备。本发明通过无掩膜光刻制备三维的CMOS，其器件具有多功能集成、缩短互连、提高集成度、降功耗等优势。
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公开(公告)号：CN109065493A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811047890.6
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/682
Abstract: 本发明属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。本发明装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。
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公开(公告)号：CN112466930B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202011282535.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/44 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN112466930A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011282535.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/44 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。
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