公开(公告)号：CN112466930B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202011282535.4

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN112466930A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011282535.4

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN112635565B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202011555330.9

申请日：2020-12-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  童领 ,  陈新宇 ,  缑赛飞 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D62/60 ,  H10D64/01

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112635565A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011555330.9

申请日：2020-12-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  童领 ,  陈新宇 ,  缑赛飞 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN214012946U

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202023163499.8

申请日：2020-12-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  童领 ,  陈新宇 ,  缑赛飞 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体晶体管结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本实用新型利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触，发生固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本实用新型可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN213782022U

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202022650559.2

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本实用新型采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。