公开(公告)号：CN112635565B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202011555330.9

申请日：2020-12-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  童领 ,  陈新宇 ,  缑赛飞 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D62/60 ,  H10D64/01

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN117976673A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410058577.1

申请日：2024-01-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  马静怡 ,  张哲嘉 ,  万景 ,  周鹏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8256

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维共栅互补场效应晶体管及其制备方法。本发明场效应晶体管包括衬底、位于衬底上的底层二维半导体材料、底层源漏金属电极、氧化物介质层、底层金属栅电极、顶层金属栅电极、位于氧化物介质层上的顶层二维半导体材料和顶层源漏金属电极；本发明利用金属材料的功函数调控沟道二维半导体材料的载流子浓度和场效应晶体管的电学特性，通过控制底层金属和顶层金属的金属种类，使底层和顶层二维半导体材料的载流子浓度分别受底层和顶层金属调控。本发明利用双层金属的共栅结构对二维互补场效应晶体管的底层和顶层场效应晶体管的电学性能分别进行精确调控，在大规模数字集成电路中有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN112635565A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011555330.9

申请日：2020-12-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  童领 ,  陈新宇 ,  缑赛飞 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112466930B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202011282535.4

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN112466930A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011282535.4

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN214012946U

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202023163499.8

申请日：2020-12-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  童领 ,  陈新宇 ,  缑赛飞 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体晶体管结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本实用新型利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触，发生固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本实用新型可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN213782022U

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202022650559.2

申请日：2020-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童领 ,  包文中 ,  马静怡 ,  郭晓娇 ,  陈新宇 ,  夏银 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24

Abstract: 本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本实用新型采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。