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公开(公告)号：CN119170638A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411294363.0
申请日：2024-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET及其制备方法。该器件自下而上依次包括碳化硅衬底，N型漂移层和N型载流子存储层；N+区域和P+区域，交替分布在N型载流子存储层上部；深沟槽，贯穿所述N+区域和P+区域，底部位于N型载流子存储层中；P型掩埋层，形成在深沟槽底部的N型载流子存储层中；源极，填充中央N+区域两侧的深沟槽，在侧壁实现与N型载流子存储层的肖特基接触势垒；栅氧层，覆盖最外侧深沟槽的侧壁和底部；栅极，覆盖所述栅氧层并填充最外侧的深沟槽；P型基区，形成于栅极和源极间的N+区域和P+区域下方的N型载流子存储层中；钝化层，覆盖所述栅极表面；源极欧姆接触，覆盖器件表面。
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