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公开(公告)号：CN119447105A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411590995.1
申请日：2024-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/603
Abstract: 本发明提供了一种基于互锁结构的混合键合结构及键合方法，所述混合键合结构包括：待键合的第一芯片，其上具有氧化硅层及凸出于氧化硅层的第一连接件；待键合的第二芯片，其上具有聚酰亚胺层、设于聚酰亚胺层内的凹陷及设于凹陷底部的第二连接件，且第二连接件的表面设有第一粘附层，第一连接件及第二连接件的材质包括铜和/或铝；待键合的第一芯片及待键合的第二芯片被配置为：在键合前，第一连接件凸出氧化层的高度差大于第一粘附层顶面与氧化硅层顶面的高度差，在键合后，氧化硅层与聚酰亚胺层连接且第一连接件伸入凹陷利用第一粘附层与第二连接件连接，并以形成互锁结构。本发明用于优化混合键合工艺及键合结构的性能。
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公开(公告)号：CN119381365A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411248907.X
申请日：2024-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明提供了一种面向大功率密度封装的微流道散热结构及散热方法，所述微流道散热结构包括：载板，其上设有芯片堆叠体；壳体，盖设于所述载板上且与容纳所述芯片堆叠体，并与所述载板形成环绕所述芯片堆叠体的散热微流道，所述散热微流道包括设于所述壳体上供冷却液进出的入口及出口；外循环管路，联通所述散热微流道；设于所述外循环管路中靠近所述入口的压水泵及设于所述外循环管路中靠近所述出口的抽水泵，所述压水泵及所述抽水泵被配置为交替工作以供冷却液在所述散热微流道中进出，且所述抽水泵先于所述压水泵工作。本发明可在保证散热效果的前提下降低泵送冷却液的功率。
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公开(公告)号：CN117858343A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410162680.0
申请日：2024-02-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H05K1/18 , H05K1/11 , H05K1/03 , H05K1/02 , H05K3/42 , H05K3/02 , H05K3/32 , H01L23/538 , H01L23/15 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种基于玻璃基板的多波束多通道相控阵芯片封装结构及工艺，所述封装结构包括：玻璃基板，其具有相对的第一面、第二面，及若干贯穿所述第一面和所述第二面的通孔；至少两个相控阵芯片设于所述第一面，至少两个电源管理芯片设于所述第一面及所述第二面，若干无源器件设于所述第二面；设于所述第一面、所述第二面上及所述通孔内的布线层，用于电性连接所述相控阵芯片、所述电源管理芯片及所述无源器件。本发明将多波束多通道相控阵芯片所需的多个电源管理芯片及无源器件进行统一布线及阻抗匹配，不仅可显著降低整体的传输距离，减小传输损耗，提高封装结构的性能和稳定性，还可减小封装面积，增大集成密度。
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公开(公告)号：CN116190356A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211701615.8
申请日：2022-12-28
Abstract: 本发明提供了一种三维电感器的制备方法，包括：提供衬底，第一面上形成有环形沟槽；形成锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁，以形成三维电感器的磁芯；形成若干通孔至少部分环绕环形沟槽，通孔的深度大于或等于环形沟槽的深度，并在通孔内形成第一导线；在第一面形成若干第二导线连接第一导线；从第二面减薄衬底至暴露第一导线，并形成第二导线连接第一导线，第一导线及第二导线环绕磁芯并作为三维电感器的线圈。本发明中，采用锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁所形成的薄膜结构作为磁芯不仅在制作工艺上较为容易实现，还可同时提高三维电感器的电感值及品质因子。
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公开(公告)号：CN113192928B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110450323.0
申请日：2021-04-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/528 , H01L23/552
Abstract: 本公开涉及一种硅通孔阵列，属于半导体器件领域，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109979833A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910177846.5
申请日：2019-03-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于嵌套结构和退火的快速常温微凸点键合方法。本发明方法包括：形成嵌套结构：在晶圆的正面和背面均形成嵌套结构，嵌套结构包括第一凸起和凹陷部，凹陷部包括凹陷结构和环绕所述凹陷结构的第二凸起；键合：在键合机上将两片晶圆的嵌套结构对准，使其中一片晶圆的第一凸起与另一片晶圆的凹陷结构相互对准并键合，重复多次完成多层晶圆的键合；第一凸起和凹陷结构构成固液扩散金属对；退火：对完成键合的多层晶圆进行退火，使固液扩散金属对中的高熔点金属和低熔点金属融化扩散形成金属间化合物实现电连接。本方法简单有效，能够节约生产时间，提高生产效率；并能有效避免对器件的损害。
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公开(公告)号：CN119521782A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411704337.0
申请日：2024-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H10D89/10 , H10D84/82 , H01L23/48 , H01L21/768 , H10D84/03
Abstract: 本发明提供了一种三维集成芯片结构及其布置方法、芯片，所述三维集成芯片结构包括：硅衬底；设于所述硅衬底中的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列具有至少一个阵列单元，所述阵列单元包括以矩形或菱形排布的四个硅通孔；设于所述硅衬底中的多个纳米环栅晶体管，多个所述纳米环栅晶体管布置于所述阵列单元的第一区及第二区，所述第一区位于所述阵列单元的中心区域，所述第二区与所述第一区相接，所述第二区靠近所述硅通孔且避开相邻所述硅通孔在预设热负载下的应力集中区域，所述第一区及所述第二区内的纳米环栅晶体管的电学特性波动小于或等于预设范围。本发明可提高三维集成电路的性能。
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公开(公告)号：CN119447106A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411591001.8
申请日：2024-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/603
Abstract: 本发明提供了一种基于互锁结构的混合键合结构及键合方法，所述混合键合结构包括：待键合的第一芯片，其上具有第一氧化硅层及凸出于第一氧化硅层的第一铜连接件；待键合的第二芯片，其上具有第二氧化硅层、设于第二氧化硅层内的凹陷及设于凹陷底部的第二铜连接件，且第二铜连接件的表面设有第一粘附层；待键合的第一芯片及待键合的第二芯片被配置为：在键合前，第一铜连接件凸出第一氧化硅层的高度差小于第一粘附层顶面与第二氧化硅层顶面的高度差，在键合后，第一氧化硅层与第二氧化硅层连接且第一铜连接件伸入凹陷利用第一粘附层与第二铜连接件连接，并以形成互锁结构。本发明用于优化混合键合工艺及键合结构的性能。
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公开(公告)号：CN117858342A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410162679.8
申请日：2024-02-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H05K1/18 , H05K1/11 , H05K1/03 , H05K1/02 , H05K3/42 , H05K3/02 , H05K3/32 , H01L23/538 , H01L23/15 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种含玻璃中介层的多波束多通道相控阵芯片封装结构及工艺，所述封装结构包括：玻璃中介层，其具有相对的第一面、第二面，及若干贯穿所述第一面和所述第二面的通孔；至少两个相控阵芯片及至少两个电源管理芯片设于所述第一面，若干无源器件设于所述第一面或所述第二面；及，设于所述第一面、所述第二面上及所述通孔内的布线层，用于电性连接所述相控阵芯片、所述电源管理芯片及所述无源器件。本发明将多波束多通道相控阵芯片所需的多个电源管理芯片及无源器件进行统一布线及阻抗匹配，不仅可显著降低整体的传输距离，减小传输损耗，提高封装结构的性能和稳定性，还可减小封装面积，增大集成密度。
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公开(公告)号：CN115763016A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211701586.5
申请日：2022-12-28
IPC: H01F27/34 , H01F27/245 , H01F27/30 , H01F1/10 , H01F1/34
Abstract: 本发明提供了一种三维电感器及电子装置，所述三维电感器包括：基板，所述基板具有相对的第一面及第二面；线圈，由若干第一导线和若干第二导线依次连接而成，所述第一导线贯穿所述基板，所述第二导线沿所述第一面及所述第二面延伸；磁芯，设于所述基板内且被所述线圈环绕或包围，包括若干由锆钛酸铅薄膜形成的第一通磁面，所述第一通磁面平行于所述第一导线且若干所述第一通磁面形成环形结构。本发明中，采用锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁所形成的薄膜结构作为磁芯不仅在制作工艺上较为容易实现，还可同时提高三维电感器的电感值及品质因子。
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