-
公开(公告)号：CN116931873A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311159955.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及两字节乘法电路及其任意位宽为2次幂的乘法电路与芯片。所述两字节乘法电路包括四个与门电路和两个半加器电路。每个半加器电路包括三个PMOS晶体管和三个NMOS晶体管。半加器电路结构在仅用六个晶体管的情况下能达到全摆幅输出。在四个门电路模块和两个半加器电路模块组合下，完成一个2bit乘法器电路设计，同时两字节乘法电路可根据不同位宽乘法运算的需要进行不同电路的组合设计，通过配置加法器和移位器，使得运算器进行任意位宽为2次幂的乘法，可以避免高位运算的大体积的乘法器，可以实现数据位宽的灵活调节，进而实现更多复杂数据的运算，同时降低芯片运行功耗，使运算效率大大提高。
-
公开(公告)号：CN116894174A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310863484.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F18/213 , G06F17/11
Abstract: 本发明涉及智能物联网信号处理技术领域，更具体的，涉及一种应用于智能物联网的特征提取及数据压缩方法、装置。本发明从原始采集信号中筛选出局部极值点，忽略掉非极值点的采样点，这样在处理高频率或长信号时可以进一步缩短处理后的数据长度，减少数据冗余。本发明通过异步脉冲序列转化，将局部极值点的信息打包成具有时间信息和空间信息异步脉冲，无需重新编码，避免了额外编码过程带来的时延和能耗。并且异步脉冲序列输入脉冲神经网络时可以实现异步的效果，避免脉冲间多个神经元等待的问题；异步脉冲序列可以减少计算量，并实现脉冲稀疏性。本发明解决了现有方法中存在冗余数据、能量消耗偏高的问题。
-
公开(公告)号：CN116614110A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310487411.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种基于加固技术的抗四节点翻转latch锁存器电路，以及基于该抗四节点翻转latch锁存器电路封装的模块。本发明的存储节点X0、X3、X4、X7、X8、X11均由PMOS晶体管包围，形成极性加固，有效避免发生翻转。本发明使用了源隔离技术，使存储节点X1、X2、X5、X6、X9、X10也仅产生“1‑0”和“0‑0”的电压脉冲，可以有效减少电路敏感节点数量，提高了电路稳定性。本发明构建了多级输入的C单元部，可在多节点受到轰击时配合作用保证Q的正确输出。本发明的电路具备完全的抗SNU、DNU、TNU、QNU能力，并有较低的延迟、较低的功耗以及较小的面积。
-
公开(公告)号：CN116386694A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310386475.8
申请日：2023-04-12
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417 , G11C5/06
Abstract: 本发明涉及一种基于极性加固的抗辐照锁存器的电路结构、芯片和模块。该电路结构包括。多输入C单元、传输门、两个SRAM单元和两个传输单元。第二SRAM单元与第一SRAM单元结构对称并交叉耦合，形成存储节点S0～S7。当WL为低电平时，内部数据通过多输入C单元连接到输出端口Q。当WL为高电平时，通过传输门的直接传输路径传输数据。存储节点S0、S3、S4、S7由D输入信号通过第一传输单元输入，存储节点S1、S2、S5、S6由DN输入信号通过第二传输三元输入。本发明采用传输门快速输入，降低了锁存器的传输延时与功耗，通过多输入C单元地将内部节点产生的电压波动屏蔽，不会造成Q信号的翻转，具有较高的抗SEU、DNU、TNU的能力。
-
公开(公告)号：CN116340150A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310181903.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明设计集成电路设计领域，具体涉及一种基于UVM的可重用的寄存器性能交互验证系统及其应用。该验证系统应用于一个包含主机和从机的验证设备中。验证系统采用system verilog语言编写，并基于UVM库创建，运行于验证设备的主机中。从机与主机采用接口通信连接；从机为使用verilog或者system verilog语言编写的RTL设计方案。本发明提供的寄存器性能交互验证系统包括：配置模块、测试用例模块、激励序列库模块、验证层，以及事务级建模通信单元。该验证系统不用更改内部代码，只需要对主、从机之间的通信内容进行配置即可用于其它项目验证。因此，本发明可以解决现有芯片设计过程中，验证系统和工具在不同项目间无法重用导致的项目的仿真和验证成本较高的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115995251A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211658343.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明涉及静态随机存储器技术领域，更具体的，涉及一种低功耗数据休眠可恢复的11T‑SRAM单元电路，以及采用该种电路布局的模块。本发明的11T‑SRAM单元电路中N1、N2、P4、P5构成反馈支路，利用存储节点QB点的存储数据，通过N2或P4，使N1或P5关闭，使本单元电路进入休眠状态。本发明利用电路本身的存储数据“0”或“1”，通过反馈支路使N1或者P5处于关闭状态，从而切断单元电路和VDD或GND之间的连接，使电路进入休眠状态，降低了存储单元的静态功耗；并且休眠后的数据可通过信号的调整，使存储节点Q、QB的电平恢复到原来状态，不会造成功能性错误。
-
公开(公告)号：CN112116937B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011023036.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/417
Abstract: 本发明公开了一种在存储器中实现乘法和或逻辑运算的SRAM电路结构，包括双字线的8T SRAM单元，具体由8个传输管构成，2对NMOS晶体管与PMOS晶体管的组合构成了两个交叉耦合的反相器，反相器的一端接Q另一端接QB；字线WLL和WLR组成双字线信号，一对PMOS晶体管和NMOS晶体管的控制开关分别接字线WLL与WLR，另一对NMOS晶体管和PMOS晶体管的控制开关分别接信号WLL_VICE和WLR_VICE；或逻辑运算是在单独的8T SRAM中实现，运算数据分别存储在单元和WLL_VICE中，计算结果由RBL是否放电来体现。该电路结构能够提升运算速度和效率，并减少数据搬移过程产生的功耗。
-
公开(公告)号：CN111883192B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202010698812.3
申请日：2020-07-20
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种基于9T SRAM单元在内存实现汉明距离计算的电路及9T SRAM单元，先将目标二进制数据存储到N行N列内存单元中，再将与之比较的N位二进制数据输入到字线信号WL或位线BL、BLB中，通过脉冲调制信号实现外部数据与存储器内的多列或多行数据的汉明距离计算。由于在该计算过程中所有的存储单元可以同时参与计算，因此有着很高的计算效率，同时可以减少在数据传输过程消耗的能量，并且可以提高计算时数据的吞吐率，不需要将数据读出SRAM从而能大大降低功耗。
-
公开(公告)号：CN115472196A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211124008.X
申请日：2022-09-15
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明公开了一种在内存中实现迭代式或计算的10T SRAM电路，所述电路以10TSRAM单元为基本单元设置n行n列的内存单元，每个10T SRAM单元包括上半部分、中间部分和下半部分，PMOS晶体管M1和M2，NMOS晶体管M3和M4构成上半部分；NMOS晶体管M5和M6构成中间部分；PMOS晶体管M7和M8，NMOS晶体管M9和M10构成下半部分；上半部分和下半部分作为两个4T SRAM单元存储，中间部分作为开关使用。该电路不仅能够实现多行数据的或计算，也能实现一个单元存储上下均可存储数据的功能，打破了空间上对计算的限制。
-
公开(公告)号：CN115295042A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210942405.1
申请日：2022-08-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/411
Abstract: 本发明涉及一种RHC‑16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块。一种基于极性加固技术的RHC‑16T抗辐射SRAM单元包括四个PMOS晶体管P1～P4和十二个NMOS晶体管N1～N12；位线BL与N9和N11源极电连接，位线BLB与N10和N12源极电连接；字线WL与N9、N10、N11和N12栅极电连接；N9的漏极与P2的漏极电连接，N10的漏极与P1的漏极电连接，N11的漏极与N3的漏极电连接，N12的漏极与N4的漏极电连接。本发明通过在P3、N7和P4、N8中间分别加入N3和N4来阻断反馈环路，提高单元的稳定性，令单元有着就较快的读写速度，较高的稳定性以及较强的抗辐射性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
165
records
(took 0.033 seconds)
