公开(公告)号：CN115273931A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210817712.7

申请日：2022-07-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  张茵 ,  彭春雨 ,  卢文娟 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC: G11C11/411

Abstract: 本发明涉及RHBD‑14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块。基于源隔离技术的RHBD‑14T抗辐照SRAM存储单元包括PMOS晶体管P1～6和NMOS晶体管N0～7；P4和P3、P2和P5交叉耦合，两个主存储节点Q与QN通过N4与N5分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S0与S1通过N6与N7分别与位线BL和BLB相连，N4～N7由字线WL控制，P1的源极和P6的源极共接VDD，N0的源极、N1的源极、N3的源极和N2的源极共接地。本发明通过在空间粒子轰击敏感节点时采用源隔离技术，令其仅产生微弱电压脉冲，不影响其余晶体管的状态，提高SRAM存储单元的抗SEU能力。

公开(公告)号：CN115295042A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210942405.1

申请日：2022-08-08

Applicant: 安徽大学

Inventor： 郝礼才 ,  董汉文 ,  程伟 ,  张茵 ,  赵强 ,  彭春雨 ,  卢文娟 ,  高珊 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/411

Abstract: 本发明涉及一种RHC‑16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块。一种基于极性加固技术的RHC‑16T抗辐射SRAM单元包括四个PMOS晶体管P1～P4和十二个NMOS晶体管N1～N12；位线BL与N9和N11源极电连接，位线BLB与N10和N12源极电连接；字线WL与N9、N10、N11和N12栅极电连接；N9的漏极与P2的漏极电连接，N10的漏极与P1的漏极电连接，N11的漏极与N3的漏极电连接，N12的漏极与N4的漏极电连接。本发明通过在P3、N7和P4、N8中间分别加入N3和N4来阻断反馈环路，提高单元的稳定性，令单元有着就较快的读写速度，较高的稳定性以及较强的抗辐射性能。