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公开(公告)号：CN116243751B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202310126692.3
申请日：2023-02-07
Applicant: 安徽大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，更具体的，涉及一种共享BJT的带隙基准电路结构，以及采用该种电路结构布局的模块本发明通过电流镜复制两个不同比例的电流，并通过控制切换开关部转换不同支路，使同一个BJT晶体管在不同的通路导通下流过不同的电流，从而用单一的BJT晶体管替代传统的9个BJT晶体管的方式，一方面避免了传统的运放钳制端点电压过程中运放偏移带来的误差对于带隙基准电路的影响，另一方面，也减少了BJT晶体管的失配和占用面积过大的问题。
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公开(公告)号：CN116614110A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310487411.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种基于加固技术的抗四节点翻转latch锁存器电路，以及基于该抗四节点翻转latch锁存器电路封装的模块。本发明的存储节点X0、X3、X4、X7、X8、X11均由PMOS晶体管包围，形成极性加固，有效避免发生翻转。本发明使用了源隔离技术，使存储节点X1、X2、X5、X6、X9、X10也仅产生“1‑0”和“0‑0”的电压脉冲，可以有效减少电路敏感节点数量，提高了电路稳定性。本发明构建了多级输入的C单元部，可在多节点受到轰击时配合作用保证Q的正确输出。本发明的电路具备完全的抗SNU、DNU、TNU、QNU能力，并有较低的延迟、较低的功耗以及较小的面积。
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公开(公告)号：CN116386694A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310386475.8
申请日：2023-04-12
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417 , G11C5/06
Abstract: 本发明涉及一种基于极性加固的抗辐照锁存器的电路结构、芯片和模块。该电路结构包括。多输入C单元、传输门、两个SRAM单元和两个传输单元。第二SRAM单元与第一SRAM单元结构对称并交叉耦合，形成存储节点S0～S7。当WL为低电平时，内部数据通过多输入C单元连接到输出端口Q。当WL为高电平时，通过传输门的直接传输路径传输数据。存储节点S0、S3、S4、S7由D输入信号通过第一传输单元输入，存储节点S1、S2、S5、S6由DN输入信号通过第二传输三元输入。本发明采用传输门快速输入，降低了锁存器的传输延时与功耗，通过多输入C单元地将内部节点产生的电压波动屏蔽，不会造成Q信号的翻转，具有较高的抗SEU、DNU、TNU的能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116488635A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310479122.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 安徽大学
IPC: H03K19/094 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路，以及基于该种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路封装的模块。本发明基于三级反相器结构构建出反相器链，不仅具备反相器的基本功能，还通过合理的电路设计，使得该反相器链屏蔽SET脉冲信号的能力突出，可以屏蔽任意方向电压跳变，保证输出节点o3仍能以正确的逻辑状态进行输出。
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公开(公告)号：CN116243751A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310126692.3
申请日：2023-02-07
Applicant: 安徽大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，更具体的，涉及一种共享BJT的带隙基准电路结构，以及采用该种电路结构布局的模块本发明通过电流镜复制两个不同比例的电流，并通过控制切换开关部转换不同支路，使同一个BJT晶体管在不同的通路导通下流过不同的电流，从而用单一的BJT晶体管替代传统的9个BJT晶体管的方式，一方面避免了传统的运放钳制端点电压过程中运放偏移带来的误差对于带隙基准电路的影响，另一方面，也减少了BJT晶体管的失配和占用面积过大的问题。
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公开(公告)号：CN116072184A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310136591.4
申请日：2023-02-10
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/41 , H10B10/00 , G11C11/412
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，更具体的，涉及一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元，采用该种单元电路布局的模块、以及基于该种单元电路设计的抗辐射电路。本发明基于极性加固技术对存储节点Q、QB进行了NMOS管加固，只会产生负向脉冲，而该脉冲由于栅电容的存在不能影响其他晶体管的状态，这使得存储节点Q、QB有效避免发生翻转；同时外围节点S0、S1数据反馈保证了内部节点Q、QB可以在发生翻转后恢复至初始状态，从而使得单元在保证容限性能不掉队的情况，实现了抗辐照性能的提升，可实现部分双节点出现SEU也能恢复。
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公开(公告)号：CN116318056A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310282319.7
申请日：2023-03-20
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种利用源隔离加固和极性加固的抗辐射Latch电路，以及基于该抗辐射Latch电路封装的模块。本发明的存储节点X1、X2、X5、X6均由NMOS晶体管包围，形成极性加固，使得X1、X2、X5、X6有效避免发生翻转。本发明使用了源隔离技术，使X0、X3、X4、X7节点上也仅产生“1‑0”和“0‑0”的电压脉冲，可以有效减少电路敏感节点数量，提高了电路稳定性。本发明构建了C单元，其结构简单还有良好的抗辐射能力，可在多节点受到轰击时配合作用保证Q的正确输出。本发明的抗辐射Latch电路具备完全的抗TNU、DNU、SNU能力，并有较低的延迟、较低的功耗以及较小的面积。
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公开(公告)号：CN106755037A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611113137.3
申请日：2016-12-07
Applicant: 安徽大学
CPC classification number: C12N15/70 , C12N15/74 , C12N15/75 , C12N2800/101 , C12N2800/80 , C12N2810/10
Abstract: 本发明首次公开了一种维吉尼亚链霉菌IBL14 type I‑B‑sv14型CAS基因编辑系统，包括蛋白表达质粒和基因编辑质粒的构建及大肠杆菌和枯草杆菌中的基因编辑与免疫过程。该系统对原核生物基因组可方便、快速、有效地进行基因编辑与免疫。该基因编辑及免疫方法可广泛应用于生物科学及制药、食品、农业等其它应用领域。
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