一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元、模块、电路

    公开(公告)号:CN116072184A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310136591.4

    申请日:2023-02-10

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域,更具体的,涉及一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元,采用该种单元电路布局的模块、以及基于该种单元电路设计的抗辐射电路。本发明基于极性加固技术对存储节点Q、QB进行了NMOS管加固,只会产生负向脉冲,而该脉冲由于栅电容的存在不能影响其他晶体管的状态,这使得存储节点Q、QB有效避免发生翻转;同时外围节点S0、S1数据反馈保证了内部节点Q、QB可以在发生翻转后恢复至初始状态,从而使得单元在保证容限性能不掉队的情况,实现了抗辐照性能的提升,可实现部分双节点出现SEU也能恢复。

    一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块

    公开(公告)号:CN115295042A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210942405.1

    申请日:2022-08-08

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种RHC‑16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块。一种基于极性加固技术的RHC‑16T抗辐射SRAM单元包括四个PMOS晶体管P1~P4和十二个NMOS晶体管N1~N12;位线BL与N9和N11源极电连接,位线BLB与N10和N12源极电连接;字线WL与N9、N10、N11和N12栅极电连接;N9的漏极与P2的漏极电连接,N10的漏极与P1的漏极电连接,N11的漏极与N3的漏极电连接,N12的漏极与N4的漏极电连接。本发明通过在P3、N7和P4、N8中间分别加入N3和N4来阻断反馈环路,提高单元的稳定性,令单元有着就较快的读写速度,较高的稳定性以及较强的抗辐射性能。

    RHBD-12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块

    公开(公告)号:CN115171752A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210818360.7

    申请日:2022-07-12

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及RHBD‑12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块。基于源隔离与极性加固技术的RHBD‑12T抗辐照SRAM存储单元包括NMOS晶体管N1~N8和PMOS晶体管P1~P4,晶体管P1~P4和N3、N4作为上拉管,晶体管N1、N2、N5、N6作为下拉管,晶体管N1和P3构成一个反相器,晶体管N2和P4构成另一个反相器,两个反相器交叉耦合;两个主存储节点Q与QB通过N7与N8分别与位线BL和位线BLB相连,晶体管N7、N8由字线WL控制。本发明通过只设置两个敏感存储节点,大大减小了电路的敏感节点数量与敏感区域的面积,从而提高了电路的抗辐射性能。

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