公开(公告)号：CN115472196A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211124008.X

申请日：2022-09-15

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  李广东 ,  刘立 ,  吴秀龙 ,  彭春雨 ,  赵强 ,  卢文娟 ,  戴成虎 ,  刘玉 ,  周永亮

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: 本发明公开了一种在内存中实现迭代式或计算的10T SRAM电路，所述电路以10TSRAM单元为基本单元设置n行n列的内存单元，每个10T SRAM单元包括上半部分、中间部分和下半部分，PMOS晶体管M1和M2，NMOS晶体管M3和M4构成上半部分；NMOS晶体管M5和M6构成中间部分；PMOS晶体管M7和M8，NMOS晶体管M9和M10构成下半部分；上半部分和下半部分作为两个4T SRAM单元存储，中间部分作为开关使用。该电路不仅能够实现多行数据的或计算，也能实现一个单元存储上下均可存储数据的功能，打破了空间上对计算的限制。

公开(公告)号：CN119551650A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411775341.6

申请日：2024-12-05

Applicant: 安徽大学

Inventor： 高山 ,  丁万里 ,  钟佳怡 ,  李广东 ,  张瑞利

IPC: C01B25/45 ,  H01M4/58 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/136 ,  H01M10/054 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明涉及钠离子电池技术领域，公开了一种非晶化程度不同的磷酸钒钠正极材料制备方法，包括如下步骤：将三氧化二钒(V2O3)和柠檬酸加入20mL去离子水中，在50～90℃下搅拌1～2h，得到蓝色溶液；冷却至室温后分别加入磷酸二氢铵(NH4H2PO4)和乙酸钠(CH3CHOONa)，继续搅拌10～20h得到均匀的溶液；最后将溶液放入50～90℃烘箱中干燥，得到粉末；随后将适量的粉末用石墨纸包裹放入焦耳热装置加热腔室，脉冲10～50次可以制备出非晶化程度不同的磷酸钒钠正极材料。本发明利用焦耳热快速加热装置制备非晶化程度不同的磷酸钒钠正极材料，此方法操作简单，得到最终产物快速便捷。此外该方法可以连续操作，能够实现大量合成。