Patent search cpc:"C04B2237/86" Page 1

1.

发明授权
接合体和多层接合体制法、功率模块基板和带散热器功率模块基板制法及层叠体制造装置有权

公开(公告)号：CN106471616B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201580033623.1

申请日：2015-06-30

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 大开智哉 , 大井宗太郎 , 西川仁人

IPC: H01L23/12 , H01L23/36

CPC classification number: H01L23/3735 , B32B7/04 , B32B7/05 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/041 , B32B15/00 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B2250/44 , B32B2307/20 , B32B2307/732 , B32B2457/00 , C04B35/645 , C04B37/028 , C04B2235/449 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4882 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L23/4924 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2924/014 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种接合金属板彼此、以及接合金属板与陶瓷板时防止各部件的接合面彼此的位置偏离、能够有效地制造它们的接合体的接合体制造方法、以及将该接合体应用到功率模块用基板的功率模块用基板的制造方法。本发明的接合体的制造方法具有：层叠工序，在铜电路板(第1部件)(30)或陶瓷基板(第2部件)(20)中的任一个上涂布以饱和脂肪酸为主成分的临时固定材料(40)，经由熔融的临时固定材料(40)将铜电路板(30)与陶瓷基板(20)进行层叠对位，并冷却临时固定材料(40)，从而形成所层叠的铜电路板(30)与陶瓷基板(20)被临时固定的层叠体(80)；及接合工序，沿层叠方向对层叠体(80)加压加热而形成将铜电路板(30)与陶瓷基板(20)接合的接合体。

2.

发明授权
金属-陶瓷-基材以及制备金属-陶瓷-基材的方法有权

公开(公告)号：CN104755445B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201380056024.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 罗杰斯德国有限公司

Inventor： K·施米德特 , A·迈耶 , A·勒加斯 , M·施米勒

IPC: C04B35/111 , C04B35/119 , C04B37/02

CPC classification number: H05K1/0306 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B37/021 , C04B37/023 , C04B37/026 , C04B37/028 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5248 , C04B2235/5436 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H05K1/09 , H05K2201/0175 , H05K2201/032 , H05K2201/062 , Y10T156/10 , Y10T428/26 , Y10T428/266

Abstract: 本发明涉及金属‑陶瓷‑基材及其制备方法，所述金属‑陶瓷‑基材包括至少一个具有第一表面侧和第二表面侧(2a、2b)的陶瓷层(2)，所述陶瓷层(2)在表面侧(2a、2b)的至少一者上设置有金属化层(3、4)，其中形成陶瓷层(2)的陶瓷材料包含氧化铝、二氧化锆以及氧化钇。特别有利地，氧化铝、二氧化锆以及氧化钇各自以其总重量计的以下比例包含在陶瓷层(2)中：二氧化锆，在2和15重量％之间；氧化钇，在0.01和1重量％之间；和氧化铝，在84和97重量％之间，其中所使用的氧化铝的平均粒径在2和8微米之间，并且氧化铝晶粒的晶界长度与所有晶界的总长度的比例大于0.6。

3.

发明公开
接合体和多层接合体制法、功率模块基板和带散热器功率模块基板制法及层叠体制造装置有权

公开(公告)号：CN106471616A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580033623.1

申请日：2015-06-30

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 大开智哉 , 大井宗太郎 , 西川仁人

IPC: H01L23/12 , H01L23/36

CPC classification number: H01L23/3735 , B32B7/04 , B32B7/05 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/041 , B32B15/00 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B2250/44 , B32B2307/20 , B32B2307/732 , B32B2457/00 , C04B35/645 , C04B37/028 , C04B2235/449 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4882 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L23/4924 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2924/014 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种接合金属板彼此、以及接合金属板与陶瓷板时防止各部件的接合面彼此的位置偏离、能够有效地制造它们的接合体的接合体制造方法、以及将该接合体应用到功率模块用基板的功率模块用基板的制造方法。本发明的接合体的制造方法具有：层叠工序，在铜电路板(第1部件)(30)或陶瓷基板(第2部件)(20)中的任一个上涂布以饱和脂肪酸为主成分的临时固定材料(40)，经由熔融的临时固定材料(40)将铜电路板(30)与陶瓷基板(20)进行层叠对位，并冷却临时固定材料(40)，从而形成所层叠的铜电路板及接合工序，沿层叠方向对层叠体(80)加压加热而形成将铜电路板(30)与陶瓷基板(20)接合的接合体。(30)与陶瓷基板(20)被临时固定的层叠体(80)；

4.

发明公开
自带散热器的功率模块用基板、自带冷却器的功率模块用基板以及功率模块无效

公开(公告)号：CN104205325A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016914.0

申请日：2013-03-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长友义幸 , 黑光祥郎

IPC: H01L23/36 , H01L23/40

CPC classification number: H05K1/0207 , B32B9/005 , B32B9/041 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2307/302 , B32B2307/51 , B32B2307/54 , B32B2457/14 , C04B37/026 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H05K1/0209 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/181 , H05K7/2039 , H05K2201/066

Abstract: 本发明的自带散热器的功率模块用基板，具备：功率模块用基板(10)，具有陶瓷基板(11)、电路层(12)及金属层(13)；及散热器(18)，通过焊料层(17)而与金属层(13)接合，并且由铜或铜合金构成。金属层(13)通过Al含量为99.0质量％以上且99.85质量％以下的铝板接合于陶瓷基板(11)而形成，焊料层(17)由固溶硬化型焊材形成，该固溶硬化型焊材含有作为主成分的Sn及固溶于该Sn的母相中的固溶元素。

5.

发明授权
功率模块用基板、带散热器的功率模块用基板、功率模块、功率模块用基板的制造方法及带散热器的功率模块用基板的制造方法有权

公开(公告)号：CN102576697B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201080047257.2

申请日：2010-10-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长友义幸 , 秋山和裕 , 殿村宏史 , 寺崎伸幸 , 黑光祥郎

IPC: H01L23/36 , H01L23/12

CPC classification number: H05K7/02 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/6581 , C04B2235/72 , C04B2237/12 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/55 , C04B2237/58 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4882 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H05K7/2039 , H05K13/00 , Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供一种功率模块用基板，为具备陶瓷基板和在该陶瓷基板的表面层压而接合有铝或铝合金制的金属板的功率模块用基板，在所述金属板中，固溶有Ag或选自Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li中的一种或两种以上的添加元素，所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Ag浓度设定在0.05质量％以上10质量％以下，或者所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li的总计浓度设定在0.01质量％以上5质量％以下。

6.

发明公开
用于制备DCB-基材的方法无效

公开(公告)号：CN104105678A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201280069294.2

申请日：2012-12-27

Applicant: 库拉米克电子学有限公司

Inventor： J·舒尔兹-哈德尔 , K·施米德特 , K·埃克塞尔

IPC: C04B37/02

CPC classification number: H05K3/103 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2237/06 , C04B2237/064 , C04B2237/09 , C04B2237/124 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/54 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H05K3/14 , Y10T29/302

Abstract: 用于制备DCB-基材的方法，所述DCB-基材各自具有至少一个基本上由氮化铝(AlN)组成的陶瓷层，所述陶瓷层在至少一个表面侧上具有基本上由氧化铝组成的中间层，并且在中间层上具有至少一个由金属层或金属箔所形成的金属化物。

7.

发明公开
接合材料和接合构造体无效复审申请

公开(公告)号：CN104072187A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410044836.1

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 儿玉一宗 , 内藤孝 , 藤枝正 , 泽井裕一 , 青柳拓也 , 宫城雅德

IPC: C04B37/02 , C03C27/00 , C03C8/14

CPC classification number: H01L24/29 , C04B35/645 , C04B37/026 , C04B2237/10 , C04B2237/12 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/55 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2731 , H01L2224/29082 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29169 , H01L2224/29209 , H01L2224/29211 , H01L2224/29213 , H01L2224/29218 , H01L2224/29224 , H01L2224/29239 , H01L2224/29244 , H01L2224/29247 , H01L2224/29269 , H01L2224/29288 , H01L2224/29294 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29369 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83487 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , Y10T428/265 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供接合材料和接合构造体。本发明解决的技术问题是不进行金属化处理，而在软钎料程度的处理温度下接合陶瓷、半导体、玻璃等基材。接合构造体中，多种基材通过接合层接合，而且至少一种基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材，接合材料层包含金属和氧化物，氧化物含有V和Te，氧化物存在于金属与基材之间。接合材料为：包含氧化物玻璃、金属颗粒和溶剂的膏状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te；或者埋入有氧化物玻璃的颗粒的箔状或板状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te；或者包含氧化物玻璃的层和金属的层的箔状或板状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te。

8.

发明公开
半导体单元无效

公开(公告)号：CN103811477A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310526888.8

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 西槙介 , 森昌吾 , 音部优里 , 加藤直毅

IPC: H01L25/07 , H01L29/06

CPC classification number: H01L23/00 , C04B37/021 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/86 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体单元，其包括：绝缘基片，该绝缘基片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一传导层，该第一传导层结合至绝缘基片的第一表面；第二传导层，该第二传导层在与第一传导层的位置不同的位置处结合至绝缘基片的第一表面；应力消除层，该应力消除层结合至绝缘基片的第二表面；散热装置，该散热装置在应力消除层的与绝缘基片相反的一侧上结合至应力消除层；以及半导体器件，该半导体器件电结合至相应的第一和第二传导层。绝缘基片具有低刚性部分，该低刚性部分设置在第一和第二传导层之间并且具有比绝缘基片的其余部分低的刚性，并且至少低刚性部分通过模具树脂密封和覆盖。