公开(公告)号：CN108463345A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680077987.4

申请日：2016-11-16

Applicant: 阔斯泰公司

Inventor： M.辛普森 ,  R.迪瓦卡 ,  A.费勒

IPC: B32B18/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C04B35/645

CPC classification number: H01J37/32477 ,  B32B18/00 ,  C04B35/10 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/581 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2235/9669 ,  C04B2235/9692 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/567 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719

Abstract: 一种耐腐蚀组件(100)，其配置成与半导体加工反应器一起使用，所述耐腐蚀组件包括：a)陶瓷绝缘基底(110)；和，b)与所述陶瓷绝缘基底结合的耐腐蚀无孔层(120)，所述耐腐蚀无孔层具有包括基于耐腐蚀无孔层的总重量的至少15重量％的稀土化合物的组成；并且，所述耐腐蚀无孔层的特征在于基本上不含微裂纹和裂隙的显微结构和具有至少约100nm且至多约100μm的平均晶粒尺寸。还公开了包括耐腐蚀组件的组装体和制造方法。

公开(公告)号：CN107001152A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063973.2

申请日：2015-09-24

Applicant: 梅里奥创新公司

Inventor： 安德鲁·R.·霍普金斯 ,  阿希什·P.·迪万吉 ,  沃尔特·J.·舍伍德 ,  道格拉斯·M.·杜克斯

IPC: C04B35/52

CPC classification number: C04B35/571 ,  C01B32/956 ,  C04B37/005 ,  C04B37/045 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/385 ,  F41H5/0414 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/745

Abstract: 有机硅化学、聚合物衍生的陶瓷材料和方法。用于制备具有3个9、4个9、6个9或更高纯度的聚硅氧碳(SiOC)和碳化硅(SiC)材料的材料和方法。使用所述高纯度SiOC和SiC的方法和制品。

公开(公告)号：CN105612136B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380008218.5

申请日：2013-09-02

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 高见英生 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  C22C1/05 ,  C22C29/12

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/721 ,  C22C1/051 ,  C22C29/12 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种氧化锌基烧结体，其中，以氧化锌(ZnO)为主要成分，含有相对于氧化锌为n型掺杂剂的镓(Ga)、铝(Al)或硼(B)，并含有10～300重量ppm的碳，且含有1种以上选自钴(Co)、镍(Ni)、铁(Fe)、铜(Cu)、钼(Mo)、钌(Ru)、铑(Rh)、钨(W)、铱(Ir)、金(Au)的金属元素M，金属M的至少一部分或全部以金属的形式残留在烧结体中，相对于构成氧化锌基烧结体的锌、n型掺杂剂和全部金属元素的金属M的浓度调节为0.05～25.0原子％。本发明还提供包含该烧结体的溅射靶和通过用该靶进行溅射而得到的薄膜。

公开(公告)号：CN106588024A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201710007248.4

申请日：2017-01-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李勇 ,  秦海霞

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/66 ,  C04B35/634 ,  C04B38/02

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/63496 ,  C04B35/66 ,  C04B38/02 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B38/0074 ,  C04B38/0067

Abstract: 本发明属于无机非金属材料领域，涉及Al7O3N5结合刚玉质耐火材料的制备方法，用于炼铁高炉、炼钢钢包、炉外精炼炉和水泥窑用耐火材料的领域。本发明采用烧结刚玉、电熔刚玉、活性氧化铝微粉作为原料，添加沥青作为结合剂，经压制成型后氮化烧结而成。原料简单易得，无需添加稀有金属氧化物、金属Al等添加剂；合成时无需添加Al7O3N5作为晶核；伴随着Al7O3N5的形成将，碳以CO气相移除，可制备出低碳的材料；所制备的Al7O3N5呈相互交错的片状，可大大提高耐火材料的强度、抗侵蚀性、抗氧化性等性能。该方法原料来源广泛、价格较低、工艺简单，可实现大规模工业化推广。

公开(公告)号：CN105924200A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610106271.4

申请日：2016-02-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.D.斯泰贝尔

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/80 ,  C04B35/571 ,  C04B35/565

CPC classification number: C04B35/573 ,  C04B35/806 ,  C04B38/0022 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5268 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0074 ,  C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/571 ,  C04B2235/5216

Abstract: 本发明涉及陶瓷基质复合物制品及用于形成其的方法。具体而言，一种陶瓷基质制品包括具有第一游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物基底，其包括陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料，以及具有第二游离硅比例的熔化渗入陶瓷基质复合物外层，其包括设置在基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料，或具有第二游离硅比例的聚合物浸渍和热解的陶瓷基质复合物外层，其包括设置在基底的至少一部分的外表面上的陶瓷基质材料中的陶瓷纤维增强材料。第二游离硅比例小于第一游离硅比例。

公开(公告)号：CN102099880B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080002124.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 平田阳介 ,  辻英昭 ,  大森长门 ,  和田博之 ,  平松隆 ,  齐藤义人

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  B32B18/00 ,  C04B35/468 ,  C04B35/626

CPC classification number: H01G4/005 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/588 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种层叠陶瓷电子部件，其具备具有内部电极的层叠体，即使陶瓷层及内部电极被薄层化，在用以烧结层叠体的焙烧步骤中也不易产生电极切断或玉化等状态变化，且改善DC偏压特性。层叠体(12)针对构成陶瓷层的陶瓷粒径，将其分类成比较大的大颗粒区域(13)与比较小的小颗粒区域(14)。大颗粒区域位于小颗粒区域外侧，大颗粒区域与小颗粒区域的交界面(15)包围层叠体中存在内部电极的部分(16)并位于层叠体的外表面内侧。为获得层叠体，焙烧步骤中，以设定从室温至最高温度的平均升温温度为40℃/秒以上的温度分布进行热处理。

公开(公告)号：CN103288354A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310074777.8

申请日：2006-08-09

Applicant: 塞拉美克斯特有限责任公司

Inventor： R.京特 ,  J.L.伍德 ,  C.E.弗拉默 ,  I.I.常 ,  R.D.维尔沃克

IPC: C03C14/00 ,  C03C10/00 ,  C03B32/00

CPC classification number: C04B28/021 ,  B09B3/005 ,  B28B1/54 ,  B29C47/0016 ,  B29C47/786 ,  B29C47/822 ,  B29C47/8805 ,  B29C47/8865 ,  C04B28/14 ,  C04B33/1352 ,  C04B33/323 ,  C04B33/326 ,  C04B2111/00129 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  Y02P40/69 ,  Y02W30/92 ,  Y02W30/93 ,  Y02W30/94 ,  C04B18/06 ,  C04B18/12 ,  C04B18/141 ,  C04B40/0071 ,  C04B40/0089 ,  C04B40/0268 ,  C04B18/08

Abstract: 本发明涉及合成的混杂岩组合物、产品以及使用矿石废料起始原料生产有价值产品和制品的相关方法，所述起始原料如尾矿、矿开采岩、矿灰、矿渣、矿粉、矿泥，所述有价值产品和制品的特征在于优良的物理和结构特征，包括低孔隙率、低吸收、提高的强度和耐久性和保留的可塑性。扫描电子微探针分析证明，所得到的材料在组成和化学上不同于常规合成岩材料，并具有多种应用，特别是有关商业和住宅建筑的应用。

公开(公告)号：CN101228096B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200680026944.X

申请日：2006-08-09

Applicant: 塞拉美克斯特有限责任公司

Inventor： R·京特 ,  J·L·伍德 ,  C·E·弗拉默 ,  I·I·常 ,  R·D·维尔沃克

IPC: C03C14/00 ,  C03C10/00 ,  C03B32/00 ,  C04B14/04

CPC classification number: C04B28/021 ,  B09B3/005 ,  B28B1/54 ,  B29C47/0016 ,  B29C47/786 ,  B29C47/822 ,  B29C47/8805 ,  B29C47/8865 ,  C04B28/14 ,  C04B33/1352 ,  C04B33/323 ,  C04B33/326 ,  C04B2111/00129 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  Y02P40/69 ,  Y02W30/92 ,  Y02W30/93 ,  Y02W30/94 ,  C04B18/06 ,  C04B18/12 ,  C04B18/141 ,  C04B40/0071 ,  C04B40/0089 ,  C04B40/0268 ,  C04B18/08

Abstract: 本发明涉及合成的混杂岩组合物、产品以及使用矿石废料起始原料生产有价值产品和制品的相关方法，所述起始原料如尾矿、矿开采岩、矿灰、矿渣、矿粉、矿泥，所述有价值产品和制品的特征在于优良的物理和结构特征，包括低孔隙率、低吸收、提高的强度和耐久性和保留的可塑性。扫描电子微探针分析证明，所得到的材料在组成和化学上不同于常规合成岩材料，并具有多种应用，特别是有关商业和住宅建筑的应用。

公开(公告)号：CN102939273A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180023906.X

申请日：2011-04-21

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 市川真义 ,  江本秀幸

IPC: C04B35/599 ,  C01B21/082 ,  C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7729 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9646 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H05B33/14

Abstract: 一种具有烧成工序的β型赛隆的制造方法，所述烧成工序是将氮化硅、氮化铝、氧化铝或氧化硅中的至少一种、光学活性元素化合物进行混合而得到的β型赛隆的原料，在1820℃以上至2200℃以下的温度进行烧成，在烧成工序中，将多个氮化硼制容器配置在石墨箱内，以使填充在多个氮化硼制容器中的β型赛隆的原料易于与氮气接触，并在氮气环境下进行烧成，由此可得到碳含量下降、且具有高发光强度的新型的β型赛隆。

公开(公告)号：CN102630254A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080053733.1

申请日：2010-11-24

Applicant: AQT太阳能公司

Inventor： 迈克尔·巴塞洛缪兹 ,  布赖恩·约瑟夫·巴塞洛缪兹 ,  马里安娜·穆特安祐 ,  伊洛·戈特

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B22F3/115

CPC classification number: C22C1/0491 ,  B22F2998/10 ,  C04B35/547 ,  C04B35/6455 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  C22C1/1084 ,  B22F3/10

Abstract: 在本发明一个示例性的实施方式中，描述了一种用于沉积半导体性硫属元素化物膜的溅射靶结构。所述溅射靶包括：靶体，其具有包含Cu1-x(Se1-y-zSyTez)x的靶体组合物，其中：x值大于或等于约0.5；y值在约0到约1之间；z值在约0到约1之间；并且所述靶体组合物中Se、S和Te相的总量小于所述靶体组合物的50体积％。