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公开(公告)号：CN118763115A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411099128.8
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种集成沟道积累型二极管的SiC MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括源极、N+接触区、P‑body区、CSL层、CSL层两侧的P‑shield区、多晶硅栅介质、连接栅极的多晶硅栅、连接源极的多晶硅栅、N型外延层、N型衬底以及漏极。本发明在器件体内形成沟道积累型二极管，其中沟道积累型二极管由右侧的N+接触区、N+接触区下面的CSL层、N+接触区左右两侧的多晶硅栅介质和连接源极的多晶硅栅组成。本发明可以提升第三象限性能，实现低反向导通电压和反向恢复电荷且避免双极退化问题；在提升第三象限性能的同时减少了开关损耗，降低了栅源电容，增强了高频工作性能。
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公开(公告)号：CN115148806B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210926822.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件，属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布；注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场；引入NCEL层作为空穴势垒层，具有载流子注入增强效应；器件顶部集成4H‑SiC PN二极管，既保证导通压降不增大，也减小了饱和电流密度，同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。
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公开(公告)号：CN118380464A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410528567.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该晶体管包括源极、栅极、台阶P‑GaN区、钝化层、漏极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、缓冲层和衬底。针对目前普通的高电子迁移率晶体管存在的动态导通电阻退化的问题，本发明提出台阶P型GaN结构，其位于栅极下方，各个P型GaN台阶沿栅极到漏极方向呈台阶依次减薄，该结构可以屏蔽器件表面陷阱电荷，改善动态导通电阻退化现象，并且该结构可以调制栅极边缘电场，提升器件耐压。本发明还引入半包围MIS栅结构，将栅极金属与钝化层呈半包围状围绕其下的P‑GaN区，其可以降低导通电阻，增大漏极电流密度以及击穿电压。
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公开(公告)号：CN116344626A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310549546.1
申请日：2023-05-16
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有斜面终端的沟槽氧化镓异质结二极管，属于功率半导体器件领域。该异质结二极管包括金属阳区、P++重掺杂金属接触区、P+过渡区、N‑drift区、N+buffer区和金属阴区。其中金属阴区、N+buffer区、N‑drift区、P+过渡区、P++重掺杂金属接触区、金属阳区从下至上依次层叠。P++重掺杂金属接触区和P+过渡区为斜面终端，N‑drift区蚀刻有沟槽结构。本发明改善了NiO和氧化镓异质结界面的峰值电场，抑制了NiO和氧化镓异质结台面处的峰值电场，并且改善了漂移区内的电场分布。
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公开(公告)号：CN120018564A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510176774.8
申请日：2025-02-18
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有梳状通道结构的抗单粒子GaN HEMT器件，属于半导体技术领域。该器件自下而上包括缓冲层、势垒层、钝化层、源极、栅极和漏极，还包括一个梳状通道结构，其中梳状通道结构位于漏极左侧，势垒层上方，且在漏极与势垒层之间存在阻隔层。本发明通过在漏极左侧引入梳状n型AlGaN通道，并用阻隔层将漏极与势垒层隔开；单粒子入射后产生的大量载流子可通过该梳状n型AlGaN通道进行泄流，不仅调制了漏极附近的电场，而且漏极附近的高压转由阻隔层承受，大大降低了单粒子入射后在漏极靠栅极一侧形成的高场，减少载流子在漏极附近的碰撞电离率与器件内部的瞬态电流，提高了器件的单粒子烧毁电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118944660B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411099133.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过在额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响的基础上，采用四个PMOS管隔断噪声，两个NMOS管泄放电荷，既保证了非常好的抗噪能力，又增加了电路的稳定性。因此本发明电平移位电路可用于更高频率的GaN栅驱动芯片上，保证芯片的稳定工作。
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公开(公告)号：CN119300397A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411437325.6
申请日：2024-10-15
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有周期PN结叠层栅结构的抗单粒子加固P‑GaN晶体管，属于半导体器件技术领域。该晶体管包括：衬底；形成于衬底表面的缓冲层；形成于缓冲层表面的势垒层；形成于势垒层表面的源极；形成于势垒层表面的漏极；形成于势垒层表面且位于源极和漏极之间的P‑GaN层；形成于P‑GaN层表面的周期性PN结叠层栅结构；形成于周期性PN结叠层栅结构表面的栅极；以及形成于势垒层、源极和漏极表面的钝化层。本发明通过P‑GaN层和栅极之间的PN结所形成的内建电场，实现了对由重离子从栅极入射产生的大量电子的有效束缚，降低了器件内部的瞬时电流，从而显著提升了器件的单粒子烧毁电压，增强了器件的可靠性和性能。
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公开(公告)号：CN118969824A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411099134.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种抑制阈值电压漂移的p‑GaN HEMT器件，属于半导体技术领域。本发明器件栅极采用肖特基/欧姆混合接触，对位于势垒层上方的p‑GaN层进行凹槽刻蚀，刻蚀出两个凹槽，凹槽使用氮化物进行填充，使得p‑GaN层整体形状为“ш”形，从而分离出三个栅极。其中两边的靠近源漏的栅极采用肖特基接触，形成肖特基势垒，中间的栅极采用欧姆接触，形成高阻区。当器件承受漏极高压偏置应力时，p‑GaN层会产生电荷积累现象，积累的电荷可以通过中间的欧姆栅极高阻区释放出去，减轻电荷积累效应，达到抑制阈值电压漂移的目的，而因为两边栅极肖特基势垒的存在可以在保证抑制阈值电压漂移的同时，保证整体栅控能力。
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公开(公告)号：CN118263321A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410349899.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/16
Abstract: 本发明涉及一种集成沟道二极管和肖特基二极管结构的SiC‑MOSFET器件及制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件集成的沟道二极管由虚拟栅、N‑区、N‑drift区、N+衬底区以及栅氧化层组成，其中N‑区作为漏极，N+衬底区作为源极，虚拟栅作为栅极，形成沟道二极管。通过在低掺杂的N‑区上淀积金属形成肖特基结，并且可以通过改变肖特基结长度来改变虚拟栅的作用。该器件在反向恢复时，体二极管被沟道二极管与肖特基二极管抑制，大幅降低了寄生PN结二极管空穴的注入，消除SiC‑MOSFET的双极退化效应，同时虚拟栅的引入可以有效减少电极间电容耦合，使反馈电容和栅极电荷大大降低。
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公开(公告)号：CN119753778A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510171379.0
申请日：2025-02-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有碳纳米管复合镀层的金刚石线锯及制备方法，包括基体材料和沉积在基体材料外表面的复合镀层；所述复合镀层内部均匀分布有碳纳米管，其表面嵌设有金刚石磨粒。本发明解决了现有线锯金刚石磨粒易脱落、镀层易磨损以及寿命短的问题，通过向电镀液中添加碳纳米管，形成复合镀层，可以显著提高复合镀层的机械性能，使得线锯在高负荷下仍能保持良好的切割性能；同时提高了复合镀层的耐磨性、强度、导热性及结合力。另外金刚石磨粒嵌设在复合镀层，复合镀层中的碳纳米管可以增强金刚石磨粒与基材之间的结合力，减少颗粒的脱落，延长线锯的使用寿命。
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