-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118677218B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410721980.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。
-
公开(公告)号：CN118677218A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410721980.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。
-
公开(公告)号：CN118944660B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411099133.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过在额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响的基础上，采用四个PMOS管隔断噪声，两个NMOS管泄放电荷，既保证了非常好的抗噪能力，又增加了电路的稳定性。因此本发明电平移位电路可用于更高频率的GaN栅驱动芯片上，保证芯片的稳定工作。
-
公开(公告)号：CN116595166A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310257925.3
申请日：2023-03-16
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F16/35 , G06F16/215 , G06F40/289 , G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06F40/30 , G06F40/268 , G06F18/25 , G06F40/216
Abstract: 本发明请求保护一种结合特征改进及扩展的双通道短文本分类方法及系统，包括：首先对获取到的短文本数据进行文本预处理操作，预处理操作中主要包括对数据进行数据清洗、文本分词、去停用词和文本向量化；随后对获取后的短文本特征进行特征改进和扩展操作，特征改进主要是结合词性对原本的词特征进行增强，特征扩展操作主要是结合改进的IF‑IDF关键特征挖掘算法对文本特征进行扩展；最后使用深度学习中的CNN和BiGRU构建的双通道网络模型对短文本进行分类训练。本文发明的短文本分类方法针对短文本特征稀疏、语义模糊的问题，对特征本身进行了改进和扩展增强了文本语义表达，并进一步使用双通道的网络模型加强对文本特征的提取，增强短文本的分类效果。
-
公开(公告)号：CN118944660A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411099133.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过在额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响的基础上，采用四个PMOS管隔断噪声，两个NMOS管泄放电荷，既保证了非常好的抗噪能力，又增加了电路的稳定性。因此本发明电平移位电路可用于更高频率的GaN栅驱动芯片上，保证芯片的稳定工作。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.016 seconds)
