公开(公告)号：CN119300398A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411437327.5

申请日：2024-10-15

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 高升 ,  严宏宇 ,  张琳 ,  黄义

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D64/27 ,  H10D64/23

Abstract: 本发明涉及一种具有分裂耦合栅结构的p‑GaN HEMT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；形成于衬底表面的缓冲层；形成于缓冲层表面的沟道层；形成于沟道层表面的势垒层；形成于势垒层表面的源极电极和漏极电极；形成于势垒层表面且位于源极电极和漏极电极之间的第一p‑GaN层；形成于势垒层表面且位于第一p‑GaN层和漏极电极之间的第二p‑GaN层；形成于第一p‑GaN层表面的第一栅极；形成于第二p‑GaN层表面的第二栅极；形成于势垒层且位于源极电极、漏极电极、第一p‑GaN层和第二p‑GaN层之间的钝化层；形成于第一栅极和第二栅极表面的栅极电极。本发明可降低电荷积累效应，减轻阈值电压的漂移。

公开(公告)号：CN118712222A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410744959.X

申请日：2024-06-11

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 高升 ,  吴艳君 ,  黄义 ,  张琳 ,  李萱

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有复合电流阻挡层的增强型超结CAVET器件，属于微电子领域。该器件通过在电流阻挡层内嵌入了InGaN/AlN/InGaN复合电流阻挡层，由靠近源极的InGaN层、AlN层和靠近电流孔径层的InGaN层组成。本发明由于电流阻挡层采用InGaN/AlN/InGaN复合结构，嵌入的InGaN层通过形成次沟道有效提升了器件的输出特性；与此同时，引入的GaN/AlN异质结加速了沟道二维电子气的耗尽，从而抑制了次沟道引起的阈值电压负漂，极大增强了器件的栅控能力。

公开(公告)号：CN110474331A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910781947.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 国网重庆市电力公司万州供电分公司 ,  重庆邮电大学

Inventor： 王剑飞 ,  何志满 ,  胡伟楠 ,  胡峻 ,  刘伟 ,  陈伟 ,  何国超 ,  蒋新川 ,  骆仁意 ,  傅绍鑫 ,  郭飞 ,  刘欣 ,  张琳 ,  熊闽

IPC: H02J3/00

Abstract: 本发明涉及配电网技术领域，具体涉及一种基于泰勒根定理及评估近似模型的配电网降损方法，包括：建立配电网络的精确电压评估模型，求解出对应的配电网络近似电压评估模型；根据所述近似电压评估模型计算出配电网络各节点的近似电压值,将配电网络各节点的近似电压值带入精确电压评估模型,得到配电网络各节点的精确电压值，用所述精确电压值重新配置干扰区的网络节点；本发明能够重新配置配电网络节点，优化节点网络，实现配电网络的有效降损，对配电网络的精确管控。

公开(公告)号：CN118969824A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411099134.3

申请日：2024-08-12

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  严宏宇 ,  高升 ,  吴艳君 ,  张琳 ,  袁建成

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种抑制阈值电压漂移的p‑GaN HEMT器件，属于半导体技术领域。本发明器件栅极采用肖特基/欧姆混合接触，对位于势垒层上方的p‑GaN层进行凹槽刻蚀，刻蚀出两个凹槽，凹槽使用氮化物进行填充，使得p‑GaN层整体形状为“ш”形，从而分离出三个栅极。其中两边的靠近源漏的栅极采用肖特基接触，形成肖特基势垒，中间的栅极采用欧姆接触，形成高阻区。当器件承受漏极高压偏置应力时，p‑GaN层会产生电荷积累现象，积累的电荷可以通过中间的欧姆栅极高阻区释放出去，减轻电荷积累效应，达到抑制阈值电压漂移的目的，而因为两边栅极肖特基势垒的存在可以在保证抑制阈值电压漂移的同时，保证整体栅控能力。