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公开(公告)号：CN119920262A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510092270.8
申请日：2025-01-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G10L21/0208 , G10L25/30
Abstract: 本发明涉及一种引入复数神经网络的窄带最小均方误差回声抑制方法，属于自适应回声消除领域。现有的神经网络方法仍存在先验知识建模不精确的问题，并且未充分利用复数信号中的相位信息。本发明采用复数DNN分别对步长、扬声器非线性失真和误差信号进行建模与估计。利用复数神经网络的高效参数学习能力，提高对复杂环境下回声信道的适应能力。该方法不仅充分利用了复数数据的相位信息，更能有效抑制扬声器非线性失真问题，同时保持模型参数量较小，实现高效的回声抑制，具有较强的实用性和硬件适配性，适用于多种实际应用场景。
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公开(公告)号：CN118944660B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411099133.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过在额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响的基础上，采用四个PMOS管隔断噪声，两个NMOS管泄放电荷，既保证了非常好的抗噪能力，又增加了电路的稳定性。因此本发明电平移位电路可用于更高频率的GaN栅驱动芯片上，保证芯片的稳定工作。
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公开(公告)号：CN114937666B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210517761.9
申请日：2022-05-12
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明的LIGBT器件，具有以下结构及性能特征：(1)反向导通MOS与低关断损耗MOS均包含N‑base﹑P‑base和N+集电极，金属栅极通过多晶硅层分别与N‑base和N+集电极短接，无需额外栅信号控制。(2)正向导通时，无负阻效应；反向导通时，当VGS,RC>VTH,反向导通MOS自动开启，器件实现反向导通；在关断时刻，器件满足VGS,FC>VTH，低关断损耗MOS开启，电子可以通过低关断损耗MOS抽取，减小了关断时间，降低了关断损耗。
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公开(公告)号：CN119381343A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411501943.2
申请日：2024-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于电力电子器件封装领域，涉及一种纳米金属无压烧结互连工艺，通过钢网印刷、氮气干燥、贴片机预连接及无压烧结等步骤，实现纳米金属焊膏与覆铜陶瓷基板及芯片的可靠连接；本发明省去了加压烧结设备，显著降低了成本，同时提高了生产效率；无压烧结工艺确保了纳米金属焊膏的充分烧结，形成了稳定的连接结构；该工艺满足了电力电子器件封装领域对高温封装技术的需求，为宽带隙半导体器件的广泛应用提供了有力支持。
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公开(公告)号：CN118315418A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202311653611.1
申请日：2023-12-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成双自偏置MOS的低功耗SJ‑LIGBT器件，属于半导体领域。该器件集成的自偏置PMOS由P‑body区、N‑drift区、P‑pillar区以及PMOS栅氧化层组成，其中P‑pillar区作为源极，P‑body区作为漏极，N‑drift区作为衬底。该器件集成的自偏置NMOS由N+区、P‑body区、N‑drift区以及NMOS栅氧化层组成，其中N+区作为源极，N‑drift区作为漏极，P‑body区作为衬底。本发明的导通压降相比传统SJ‑LIGBT器件降低了32％，在相同导通压降下本发明的关断损耗相比传统SJ‑LIGBT器件降低了74％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118138040A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410134646.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种高速无盲区的非线性鉴频鉴相器电路，属于模拟集成电路设计领域。该电路包括：主鉴频鉴相电路，其输入信号包括参考信号和反馈信号，用于对参考信号和反馈信号进行鉴频鉴相；复位控制电路，其输入信号包括参考信号、反馈信号和主鉴频鉴相电路的输出信号，复位控制电路输出复位信号用于控制主鉴频鉴相电路进行复位，使主鉴频鉴相电路产生线形和非线性增益，从而避免盲区问题；以及输出调整电路，其输入信号为主鉴频鉴相电路的输出信号，用于调整主鉴频鉴相电路的输出信号。本发明采用预处理的方式进行提前复位解决了鉴频鉴相器的盲区问题，可提供非线性的增益，加快锁相环的锁定；同时使电荷泵不会同时充放电，减小电荷泵无用功耗。
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公开(公告)号：CN115695977B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211333864.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种曝光时间不受限的压缩超快成像系统及方法，属于计算成像领域。通过互补式轮流采样方式，将长时间曝光的采集过程，按时间交替分配到两个或多个条纹相机和积分相机的组合上，同时利用一个额外的积分相机来记录轮次切换中可能遗漏的信息，这样每个条纹相机上得到采样帧数就可以控制在较低水平。而目前的主流重构算法，即使在具有SI辅助的条件下，当压缩帧率大于50帧时，重构图像的PSNR也难以超过30dB。这种成像方式不受采样帧率的影响，并且切换过程也不会丢失信息，还可以进行长时间曝光，当每组帧数控制在10帧以内时，重构图像的PSNR可以优于30dB，这样的图像质量从视觉上已经难以察觉其与原始图像的差别。
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公开(公告)号：CN117830338A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410030007.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种红外小目标检测算法的FPGA实现方法，属于图像处理技术领域。本发明根据FPGA硬件计算特性，将RDLCM算法部署到FPGA硬件平台上；将RDLCM算法中的图像分块操作转换为FPGA中的移位寄存器进行两级行缓存来实现；将软件上进行的浮点数运算在FPGA中进行定点化；算法中涉及到的排序操作在FPGA使用分块流水化的并行全排序算法来完成，充分利用FPGA的并行处理优势；归一化操作时，使用FPGA片上BRAM对数据进行缓存，充分利用FPGA丰富的片上存储资源。最终得到了实时的红外图像目标检测系统，能够实时的对红外图像中的小目标进行增强，并抑制复杂背景，最终输出显示分割目标与背景的二值图。
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公开(公告)号：CN117747649A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311653605.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种可独立设计FWD的RC‑LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。该RC‑LIGBT器件包括LIGBT区域和反向续流区域，反向续流区域包括可独立安装于该区域的反向续流部分，所述反向续流部分被配置为pin二极管续流部分、MPS续流部分或MOS Channel Diode续流部分。本发明的LIGBT器件正向导通时由于没有传统RC‑LIGBT的集电区N+部分，从根本上抑制了负阻效应的产生，并且无闩锁效应；并且反向导通时，当VEC>Vth时，可独立设计的续流二极管部分开启，为期间提供反向电流；并且此IGBT反向导通部分可以独立设计来得到不同的反向性能和特征而不影响器件的正向性能。
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公开(公告)号：CN117542350A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311706415.6
申请日：2023-12-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G10L15/06 , G10L15/16 , G06N3/0442 , G06N3/0495 , G06N3/082 , G06N3/048
Abstract: 本发明涉及一种基于改进LSTM的语音识别模型剪枝方法，属于语音数据处理领域。S1：初始化基于改进LSTM的语音识别模型；S2：对语音识别模型进行训练；S3：将训练好的参数进行Top‑k剪枝。本发明的方法引入了一种面向硬件的压缩算法，该算法包括结构化的Top‑k剪枝、无乘法量化，在确保精度的情况下可以大大减少语音识别的模型大小。
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