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发明公开
集成沟道积累型二极管的SiC MOSFET器件审中-实审

公开(公告)号：CN118763115A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411099128.8

申请日：2024-08-12

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 , 章先锋 , 高升 , 吴艳君

IPC: H01L29/78 , H01L29/16

Abstract: 本发明涉及一种集成沟道积累型二极管的SiC MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括源极、N+接触区、P‑body区、CSL层、CSL层两侧的P‑shield区、多晶硅栅介质、连接栅极的多晶硅栅、连接源极的多晶硅栅、N型外延层、N型衬底以及漏极。本发明在器件体内形成沟道积累型二极管，其中沟道积累型二极管由右侧的N+接触区、N+接触区下面的CSL层、N+接触区左右两侧的多晶硅栅介质和连接源极的多晶硅栅组成。本发明可以提升第三象限性能，实现低反向导通电压和反向恢复电荷且避免双极退化问题；在提升第三象限性能的同时减少了开关损耗，降低了栅源电容，增强了高频工作性能。

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