公开(公告)号：CN116344626A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310549546.1

申请日：2023-05-16

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  王东升 ,  高升

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有斜面终端的沟槽氧化镓异质结二极管，属于功率半导体器件领域。该异质结二极管包括金属阳区、P++重掺杂金属接触区、P+过渡区、N‑drift区、N+buffer区和金属阴区。其中金属阴区、N+buffer区、N‑drift区、P+过渡区、P++重掺杂金属接触区、金属阳区从下至上依次层叠。P++重掺杂金属接触区和P+过渡区为斜面终端，N‑drift区蚀刻有沟槽结构。本发明改善了NiO和氧化镓异质结界面的峰值电场，抑制了NiO和氧化镓异质结台面处的峰值电场，并且改善了漂移区内的电场分布。

公开(公告)号：CN114927576A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210547499.2

申请日：2022-05-18

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  周科宏 ,  王东升 ,  杨稳 ,  王琦 ,  张红升

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该二极管为垂直结构，包括阳极金属接触区、P型NiO材料层、N‑漂移区、N+衬底、阴极金属接触区和绝缘层。本发明基于垂直结构Ga2O3异质结功率二极管，采用高温氧化工艺制备P型NiO层薄层，综合提升器件导通电阻、提升击穿电压、高温下低漏电流等特性。

公开(公告)号：CN116344626B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202310549546.1

申请日：2023-05-16

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  王东升 ,  高升

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有斜面终端的沟槽氧化镓异质结二极管，属于功率半导体器件领域。该异质结二极管包括金属阳区、P++重掺杂金属接触区、P+过渡区、N‑drift区、N+buffer区和金属阴区。其中金属阴区、N+buffer区、N‑drift区、P+过渡区、P++重掺杂金属接触区、金属阳区从下至上依次层叠。P++重掺杂金属接触区和P+过渡区为斜面终端，N‑drift区蚀刻有沟槽结构。本发明改善了NiO和氧化镓异质结界面的峰值电场，抑制了NiO和氧化镓异质结台面处的峰值电场，并且改善了漂移区内的电场分布。