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公开(公告)号:CN115148806B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202210926822.7
申请日:2022-08-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件,属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布;注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场;引入NCEL层作为空穴势垒层,具有载流子注入增强效应;器件顶部集成4H‑SiC PN二极管,既保证导通压降不增大,也减小了饱和电流密度,同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。
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公开(公告)号:CN118445471A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202310384189.8
申请日:2023-04-11
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F16/9535 , G06F16/9537 , G06N3/045 , G06N3/09
Abstract: 本发明属于深度学习与推荐领域,特别涉及一种融合时间间隔和多兴趣特征提取的序列推荐方法,包括:获取用户在不同时刻与项目的历史交互数据并按照时间先后进行排序,将最后l个用户与项目的历史交互数据组成原始项目交互样本;根据原始项目交互样本中用户与项目交互的时间计算用户的关系矩阵;构建项目推荐模型,并将原始项目交互样本嵌入向量表示生成原始项目交互序列向量,根据预设的候选项目将原始项目交互序列向量和用户的关系矩阵输入训练好的项目推荐模型预测用户感兴趣的项目对用户进行推荐,本发明有效地利用用户交互行为中项目之间的时间间隔和用户的真实兴趣对项目之间的关系进行建模,从而提升了模型的有效性和准确性。
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公开(公告)号:CN116049578A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202310132261.8
申请日:2023-02-17
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F16/9537 , G06F16/29 , G06N3/042 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/084
Abstract: 本发明涉及图神经网络、深度学习与推荐系统领域,特别涉及一种基于时序门控图神经网络的兴趣点推荐方法;该方法构建并训练用户长期偏好模型,采用训练好的用户长期偏好模型为用户推荐兴趣点;所述用户长期偏好模型包括签到序列图构造模块、时序门控图神经网络模块(TGGNN模块)、注意力机制模块和概率预测模块;本发明通过构建兴趣点(POI)签到序列图来表示用户的签到活动,实现有效特征的传播,设计时序门控图神经网络融合时间上下文信息来动态更新节点向量,充分考虑了签到序列图中节点之间的时间关系,同时也能得到不同签到点之间的复杂转换。
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公开(公告)号:CN115526799A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202211209953.X
申请日:2022-09-30
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于改进Retinex及加权导向滤波的内窥镜图像增强方法,属于图像增强与计算机视觉领域。该方法是将图像转换到HSV颜色空间,对V分量的小波分解低频分量用改进的Retinex算法增强,即在传统的多尺度Retinex图像增强算法基础上,将高斯滤波器换成双边滤波器,并且采用多尺度动态窗口来判断并增强暗区域;对S分量的小波分解高频分量用加权导向滤波增强图像边缘色彩饱和度。本发明能较好的改进内窥镜图像效果,增强图像暗区域对比度,恢复图像纹理。
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公开(公告)号:CN116070025A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310110534.9
申请日:2023-02-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F16/9535 , G06F40/237 , G06F40/186
Abstract: 本发明属于推荐系统领域,具体涉及一种基于联合评分预测和理由生成的可解释推荐方法,包括:构建联合评分预测和理由生成的可解释推荐模型,评分预测模块包含用户项目历史交互中得到用户物品的自由嵌入,通过基于注意力的方面提取模块分别从用户和项目的评论集合中提取方面词并嵌入到相同的空间,分别输入到多层感知机中,在预测层结合两部分进行评分预测并进行推荐和生成推荐解释;本发明同时考虑用户历史交互中的评分数据和评论数据,并将其映射到同一空间更好的进行评分预测,提高了推荐的准确性,同时在解释生成的过程中考虑生成式和模板式的优点,解释的生成过程由模板进行指导,使得模板适应于所给定的特征,提高了解释的质量。
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公开(公告)号:CN115148806A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202210926822.7
申请日:2022-08-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件,属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布;注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场;引入NCEL层作为空穴势垒层,具有载流子注入增强效应;器件顶部集成4H‑SiC PN二极管,既保证导通压降不增大,也减小了饱和电流密度,同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。
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