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公开(公告)号：CN117525129B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311650492.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有高阈值电压稳定性的p‑GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。该器件在势垒层上设置源漏欧姆接触电极，源漏欧姆电极之间设置钝化层；p‑GaN层通过刻蚀仅保留栅下区域，且栅下区域的p‑GaN层通过钝化层隔离分为三个部分，其中靠近源极和靠近漏极部分的p‑GaN与栅极形成肖特基接触，中间部分的p‑GaN与栅极形成欧姆接触。本发明提供的p‑GaN HEMT器件利用靠近漏极的栅极的屏蔽作用，使得靠近源极的栅极与中间栅极的电势稳定，不会受到外部漏极偏置应力的影响；与此同时，中间部分p‑GaN与栅极形成的欧姆接触为释放高漏压偏置下产生的电荷提供了路径，从而提高了器件阈值电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN118969824A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411099134.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种抑制阈值电压漂移的p‑GaN HEMT器件，属于半导体技术领域。本发明器件栅极采用肖特基/欧姆混合接触，对位于势垒层上方的p‑GaN层进行凹槽刻蚀，刻蚀出两个凹槽，凹槽使用氮化物进行填充，使得p‑GaN层整体形状为“ш”形，从而分离出三个栅极。其中两边的靠近源漏的栅极采用肖特基接触，形成肖特基势垒，中间的栅极采用欧姆接触，形成高阻区。当器件承受漏极高压偏置应力时，p‑GaN层会产生电荷积累现象，积累的电荷可以通过中间的欧姆栅极高阻区释放出去，减轻电荷积累效应，达到抑制阈值电压漂移的目的，而因为两边栅极肖特基势垒的存在可以在保证抑制阈值电压漂移的同时，保证整体栅控能力。
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公开(公告)号：CN119300398A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411437327.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有分裂耦合栅结构的p‑GaN HEMT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；形成于衬底表面的缓冲层；形成于缓冲层表面的沟道层；形成于沟道层表面的势垒层；形成于势垒层表面的源极电极和漏极电极；形成于势垒层表面且位于源极电极和漏极电极之间的第一p‑GaN层；形成于势垒层表面且位于第一p‑GaN层和漏极电极之间的第二p‑GaN层；形成于第一p‑GaN层表面的第一栅极；形成于第二p‑GaN层表面的第二栅极；形成于势垒层且位于源极电极、漏极电极、第一p‑GaN层和第二p‑GaN层之间的钝化层；形成于第一栅极和第二栅极表面的栅极电极。本发明可降低电荷积累效应，减轻阈值电压的漂移。
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公开(公告)号：CN117525129A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311650492.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有高阈值电压稳定性的p‑GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。该器件在势垒层上设置源漏欧姆接触电极，源漏欧姆电极之间设置钝化层；p‑GaN层通过刻蚀仅保留栅下区域，且栅下区域的p‑GaN层通过钝化层隔离分为三个部分，其中靠近源极和靠近漏极部分的p‑GaN与栅极形成肖特基接触，中间部分的p‑GaN与栅极形成欧姆接触。本发明提供的p‑GaN HEMT器件利用靠近漏极的栅极的屏蔽作用，使得靠近源极的栅极与中间栅极的电势稳定，不会受到外部漏极偏置应力的影响；与此同时，中间部分p‑GaN与栅极形成的欧姆接触为释放高漏压偏置下产生的电荷提供了路径，从而提高了器件阈值电压的稳定性。
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