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公开(公告)号：CN120018564A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510176774.8
申请日：2025-02-18
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有梳状通道结构的抗单粒子GaN HEMT器件，属于半导体技术领域。该器件自下而上包括缓冲层、势垒层、钝化层、源极、栅极和漏极，还包括一个梳状通道结构，其中梳状通道结构位于漏极左侧，势垒层上方，且在漏极与势垒层之间存在阻隔层。本发明通过在漏极左侧引入梳状n型AlGaN通道，并用阻隔层将漏极与势垒层隔开；单粒子入射后产生的大量载流子可通过该梳状n型AlGaN通道进行泄流，不仅调制了漏极附近的电场，而且漏极附近的高压转由阻隔层承受，大大降低了单粒子入射后在漏极靠栅极一侧形成的高场，减少载流子在漏极附近的碰撞电离率与器件内部的瞬态电流，提高了器件的单粒子烧毁电压。
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公开(公告)号：CN118944660B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411099133.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过在额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响的基础上，采用四个PMOS管隔断噪声，两个NMOS管泄放电荷，既保证了非常好的抗噪能力，又增加了电路的稳定性。因此本发明电平移位电路可用于更高频率的GaN栅驱动芯片上，保证芯片的稳定工作。
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公开(公告)号：CN118944660A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411099133.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种适用于高频GaN栅驱动芯片的电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过在额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响的基础上，采用四个PMOS管隔断噪声，两个NMOS管泄放电荷，既保证了非常好的抗噪能力，又增加了电路的稳定性。因此本发明电平移位电路可用于更高频率的GaN栅驱动芯片上，保证芯片的稳定工作。
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公开(公告)号：CN118677218B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410721980.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。
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公开(公告)号：CN118677218A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410721980.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。
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