-
公开(公告)号：CN117406820A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311438419.0
申请日：2023-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电子器件领域，公开了一种零极点负载跟随补偿的低压差线性稳压器及其电路，包括低压差线性稳压器电路以及相互连接的电流采样电路和阻容网络电路；电流采样电路与低压差线性稳压器电路的电源端以及低压差线性稳压器电路的误差放大器的输出端均连接；阻容网络电路与低压差线性稳压器电路的误差放大器的负输入端、低压差线性稳压器电路的输出端以及低压差线性稳压器电路的两个反馈电阻的连接线均连接。实现补偿位置随负载自适应变化，调节自由度高，即便在误差放大器主极点附近存在其它额外的零极点加速电路相位下降，也会由于负载跟随补偿的相位起点位于0°附近，使得所能兼容的相位或增益衰减范围更大，保证系统的稳定。
-
公开(公告)号：CN116015038A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310074627.0
申请日：2023-01-28
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带线性电源可配置输出限流保护电路、方法及稳压器，利用晶体管采样稳压器晶体管的电流，其电流经过外接配置电阻，则外接配置电阻两端的电压与稳压器输出晶体管的电流成一定的比例关系。信号处理电压对外接配置上的电压和稳压器输出电压进行比较处理，当采样晶体管电流密度与稳压器晶体管电流密度相等时，外接配置电阻两端的电压等于输出电压，限流环路工作状态建立，稳压器输出电流得到限制；当稳压器输出端对地短路时，限流环路关闭稳压环路，该线性稳压器输出关闭，不能对外输出电流。该稳压器通过外接配置电阻可以灵活设置稳压器的输出电流限流值，对地短路时，强制稳压器关闭，有效避免了稳压器异常工作状态时损伤。
-
公开(公告)号：CN112350552A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011183160.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器。本发明通过将直接驱动输出级NMOS管的驱动电路—即NMOS驱动电路的供电范围限制在VF+到地电压之间，因此输出级NMOS管的栅‑源电压范围就被限制在VF+到地电压之间；通过将直接驱动输出级PMOS管的驱动电路—即PMOS驱动电路的供电范围限制在VIN到VF‑之间，因此输出级PMOS管的栅‑源电压范围就被限制在VIN到VF‑之间。本发明可避免高电压、大电流MOSFET驱动器的输出峰值电流大小随电源电压的变化而迅速变化，提高了MOSFET驱动器电路的应用适用性。同时，可广泛应用于高电压、大电流MOSFET驱动器集成电路的设计中，具有良好的应用前景和经济效益。
-
公开(公告)号：CN108447901A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810168020.8
申请日：2018-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种抗总剂量辐射PNP晶体管结构，包括p型衬底和设置在p型衬底内的n阱；p型衬底内设置与n阱间隔的第二p+区；n阱内分别间隔设置有第一p+区和n+注入区；第一p+区外环绕设置有环形多晶硅栅。本发明与常规CMOS工艺PNP晶体管相比较，由于采用了环形多晶硅环绕第一p+区，从而完全避免了现有技术中的厚场氧形成的p-n+结，消除了总剂量辐射效应，从而使得采用本发明的CMOS带隙基准的抗总剂量辐照能力在50rad(Si)/s剂量率下可达300krad(Si)。
-
公开(公告)号：CN119937714A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510056247.3
申请日：2025-01-14
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
IPC: G05F1/573
Abstract: 本发明涉及电源管理集成电路技术领域，公开了一种微功耗线性电源折返式限流保护电路及方法，该电路结构误差放大器通过比较基准电压VREF与反馈电压，能够精确控制第十八P型晶体管MP18的导通程度，从而调节输出电压VOUT至设定值。这种闭环反馈机制极大地提高了电源的稳定性，确保输出电压在各种负载条件下都能保持恒定。折返式限流保护电路通过监测输出电流，当输出电流超过设定阈值时，能够迅速响应并作用于误差放大器的输入端，调整其输出信号，进而减小第十八P型晶体管MP18的导通程度，实现限流保护。这种折返式限流机制能够有效防止因过流而导致的电源损坏或短路故障。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119937704A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510056273.6
申请日：2025-01-14
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有模式控制功能的微功耗快速响应低压差线性稳压器，包括双模控制器，双模控制器的负相输入端接外部分压电阻的SET端，双模控制器的正相端接GND，双模控制器的输出端与误差放大器的控制器的正相输入端连接，双模控制器用于调节稳压器为固定输出电压模式或可调输出电压模式；误差放大器负相输入端与基准电压VREF连接，输出端与具有电压钳位功能的驱动电路输入端连接；具有电压钳位功能的驱动电路的输出端与Mp1高压PMOS晶体管的栅极连接，衬底和源极接输入电压VIN，漏极接稳压器输出端OUT；该线性稳压器应用时不需要考虑电容类型和电容串联等效电阻，可以满足微功耗电子系统供电及电池供电系统的需要。
-
公开(公告)号：CN112350552B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202011183160.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种输出峰值电流不受电源电压变化影响的MOSFET驱动器。本发明通过将直接驱动输出级NMOS管的驱动电路—即NMOS驱动电路的供电范围限制在VF+到地电压之间，因此输出级NMOS管的栅‑源电压范围就被限制在VF+到地电压之间；通过将直接驱动输出级PMOS管的驱动电路—即PMOS驱动电路的供电范围限制在VIN到VF‑之间，因此输出级PMOS管的栅‑源电压范围就被限制在VIN到VF‑之间。本发明可避免高电压、大电流MOSFET驱动器的输出峰值电流大小随电源电压的变化而迅速变化，提高了MOSFET驱动器电路的应用适用性。同时，可广泛应用于高电压、大电流MOSFET驱动器集成电路的设计中，具有良好的应用前景和经济效益。
-
公开(公告)号：CN108415506B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810169099.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路，包括误差放大器、输出驱动电路、反馈放大电路、输出调整管和采样电阻模块；误差放大器输出端经输出驱动电路连接输出调整管的驱动端；反相端连接基准电压源产生的参考电压；输出调整管的输入端连接输入电压，输出端输出输出电压；输出端经接地的采样电阻模块连接误差放大器的正相端，形成第一反馈环路；输出端经反馈放大电路连接输出驱动电路，形成第二反馈环路。能够有效减少LDO的输出电压在辐照瞬间发生扰动恢复时间。增强LDO电路对瞬时辐射引起输出电压变化的响应速度，提高LDO电路抗γ瞬时电离剂量率辐射能力；可以应用于任何LDO电路的抗瞬时辐射效应的加固设计。
-
公开(公告)号：CN108334154A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810187298.X
申请日：2018-03-07
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种由低值基准生成高值基准的电路结构，包括PMOS晶体管MP1和MP2，NMOS晶体管MN1和MN2，电阻R1；PMOS晶体管MP1栅极连接偏置电压，源极连接电源电压，漏极连接NMOS晶体管MN1漏极；PMOS晶体管MP2栅极连接偏置电压，源极连接电源电压，漏极经电阻R1连接NMOS晶体管MN2漏极，且漏极输出高值基准电压Vref1；NMOS晶体管MN1源极接地，漏极与栅极连接且与NMOS晶体管MN2栅极连接；NMOS晶体管MN2源极接地，漏极连接低值基准电压Vref0。实现低温漂、高精度的具有较高基准电压的高值基准Vref1＝Vref0+ΔV。
-
公开(公告)号：CN116909343A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310926907.X
申请日：2023-07-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应低压差线性稳压器及其控制方法，涉及集成电路设计领域，在PMOS管的体端增加电位调节电路，这与原有阻容反馈网络、误差放大器组成的控制环路相互独立，对IP1的调节速度是叠加关系。体端电位调节电路是逻辑电路与小型开关电路，静态功耗低、面积小，不影响低压差线性稳压器的效率、体积。在控制环路功耗不变、Class‑AB静态偏置电流不变、不增加额外功率管的情况下，利用开关型电位转换电路改变Class‑AB中NMOS管体电位，实现额外的LDO输出电流变化，从而提高LDO速度。本发明在不用大幅增加静态功耗的条件下提高输出电流IOUT调节速度，降低VOUT在输出负载跳变后的恢复时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.062 seconds)
