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公开(公告)号:CN119714637A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411610748.3
申请日:2024-11-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构,涉及封装技术领域,包括以下步骤:S1,剥离裸硅片表面的蓝膜;S2,通过拉曼光谱的选区测量对S1处理过的裸硅片进行表征;S3,把S1处理过的裸硅片通过气压将其吸附在点胶台上,使用粘接剂按照紧凑的回字形图案进行点胶,并且提高胶层厚度;S4,点胶完毕后,裸硅片上形成粘接剂层,在粘接剂层和粘接基底进行固化得到粘接应力放大结构;S5,通过拉曼光谱的选区测量对粘接应力放大结构的裸硅片进行表征;S6,得到拉曼光谱频移值Δwj,进而计算得到裸硅片所受的残余应力值。本发明有效地解决了常规芯片因尺寸和应力水平限制而难以进行准确拉曼光谱表征的难题。
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公开(公告)号:CN119374768A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411544235.7
申请日:2024-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了基于压力测量胶片的芯片粘接残余应力的测量结构和方法,涉及封装技术领域,包括粘接应力放大结构;所述粘接应力放大结构上方设置有压力测量胶片,所述压力测量胶片上设置有透明玻璃压块;所述粘接应力放大结构包括玻璃基板,所述玻璃基板上通过粘结剂粘贴有硅芯片,所述硅芯片和压力测量胶片之间设置有隔热膜。本发明可广泛适用于对各类粘接剂在不同粘接界面中粘接残余应力的分布情况和量化数据的可视化考量和评价,可有效指导对粘接残余应力敏感型集成电路产品在封装过程中粘接剂和涂覆图案的选择,对残余应力敏感型集成电路产品前期的封装工艺开发具有指导意义。
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