公开(公告)号：CN119725235A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411176276.5

申请日：2024-08-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： E·扎马尼 ,  U·普拉萨德 ,  L·迈尔斯 ,  S·卡维亚尼 ,  D·杜鲁伊契奇 ,  E·塔瓦科利 ,  M·默罕默迪加勒尼 ,  R·尚穆加姆 ,  R·G·吉龙 ,  S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 ,  段刚

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/498

Abstract: 本文公开的实施例包括具有贯穿玻璃过孔(TGV)的玻璃芯。在实施例中，一种设备包括衬底，衬底是实心玻璃层。在实施例中，穿过衬底的厚度提供开口，并且衬层的第一表面在所述开口的侧壁上，衬层的第二表面背离所述开口的侧壁。在实施例中，衬层包括基质、以及基质中的填料颗粒。在实施例中，向衬层的第二表面中提供多个腔。在实施例中，过孔在开口中，其中，过孔是导电的。

公开(公告)号：CN119230513A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202311846951.6

申请日：2023-12-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·尚穆加姆 ,  D·杜鲁伊契奇 ,  S·纳德 ,  S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 ,  B·布拉克 ,  X·孙 ,  Q·李 ,  J·S·斯泰尔 ,  M·D·阿姆斯特朗 ,  M·A·瓦尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/15 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体衬底，其包括具有第一主表面和第二主表面的玻璃层、从第一主表面延伸到第二主表面的至少一个电传输通孔、以及与第一主表面、第二主表面和电传输通孔中的至少一个耦合的中间层。中间层包括金属、硅和氧。金属层与中间层键合。

公开(公告)号：CN115842000A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210997296.3

申请日：2022-08-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·杜鲁伊契奇 ,  S·S·坎达努尔 ,  H·A·卡斯特罗德拉托雷 ,  S·V·皮耶塔姆巴拉姆 ,  M·瓦尔 ,  S·纳德 ,  R·尚穆加姆 ,  B·董

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本文描述的实施例可以涉及与封装内的玻璃层相关的设备、工艺和技术，该玻璃层包括一个或多个以导电材料填充的高深宽比TGV。TGV从玻璃层的第一侧延伸到玻璃层的与第一侧相对的第二侧，并且被利用导电材料填充以提供在玻璃层的第一侧与玻璃层的第二侧之间的高质量电连接，其中，TGV的壁的一部分包括钛。可以描述和/或要求保护其他实施例。