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公开(公告)号：CN116964438B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202180095179.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , A·V·希尔 , Y·瓦克宁 , Y·西蒙 , D·内格里 , V·莱温斯基 , Y·帕斯卡维尔 , A·戈洛塔斯万 , N·罗斯曼 , N·K·雷迪 , N·本大卫 , A·阿布拉莫夫 , D·雅科夫 , Y·于齐耶尔 , N·古特曼
IPC: G01N21/956 , G03F7/00 , H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/95
Abstract: 一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。
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公开(公告)号：CN111433676A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880077786.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种叠加计量系统可测量样本上的叠加目标的第一层上的装置特征图案与参考特征图案之间的第一层图案放置距离。所述系统可进一步继制造至少包含所述装置特征图案及所述参考特征图案的第二层之后测量所述第二层上的所述装置特征图案与所述参考特征图案之间的第二层图案放置距离。所述系统可进一步基于所述第一层及所述第二层上的所述参考特征图案的相对位置测量参考叠加。所述系统可进一步通过用所述第一层图案放置距离与所述第二层图案放置距离之间的差调整所述参考叠加而确定所述装置级特征图案的装置相关叠加。
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公开(公告)号：CN109964177A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780064585.5
申请日：2017-10-19
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种用于产生且实施经编程缺陷的系统包含光刻工具，所述光刻工具经配置以在样本上形成包含第一阵列图案及第二阵列图案的多图案结构。所述第一阵列图案或所述第二阵列图案含有经编程缺陷以将所述第一阵列图案与所述第二阵列图案区分开。所述系统包含度量工具，所述度量工具经配置以获取所述第一阵列图案及所述第二阵列图案的一或多个图像，所述一或多个图像具有含有所述经编程缺陷的视场。所述系统包含包括一或多个处理器的控制器。所述一或多个处理器经配置以从度量接收所述第一阵列图案及所述第二阵列图案的所述图像，且确定与所述第一阵列图案或所述第二阵列图案相关联的度量参数。
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公开(公告)号：CN111433677B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201880077791.4
申请日：2018-12-10
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种叠加计量系统包含粒子束计量工具，所述粒子束计量工具用粒子束跨包含第一层目标元件及第二层目标元件的样本上的叠加目标扫描。所述叠加计量系统可进一步包含控制器，所述控制器从所述粒子束计量工具接收扫描信号、就对称性度量来确定所述扫描信号的对称性测量，且基于所述对称性测量来产生所述第一层与所述第二层之间的叠加测量，其中所述扫描信号的不对称性指示所述第二层目标元件相对于所述第一层目标元件的未对准，且所述叠加测量的值基于所述对称性测量。
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公开(公告)号：CN107924849B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201680045370.4
申请日：2016-08-04
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供焦点计量方法和模块，其使用基于空中图像的变换以共享自多个目标导出的测量信息和/或设计针对指定兼容目标的额外目标，此实现依据改变的生产条件简单调整焦点目标。方法包括：将两个或两个以上焦点目标定位在每一晶片场中；进行目标的焦点测量；将焦点测量变换为针对每一场的单组结果；使用基于目标的空中图像的目标之间的变换；及自单组结果导出焦点结果；及可能使用指定目标的空中图像参数自指定目标设计焦点目标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111033382A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780093820.1
申请日：2017-10-22
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供系统及方法，其从至少一个计量成像目标中的每一ROI(所关注区域)的经分析测量计算叠加错位误差估计，且将所述经计算叠加错位误差估计并入在对应叠加错位估计中。所揭示实施例提供可以连续方式集成到计量测量过程中且此外依据叠加错位评估目标质量的分级及加权目标质量分析，所述分析形成用于评估来自例如生产步骤特性、测量参数及目标特性的不同源的误差的共同基础。接着，此类共同基础实现以下中的任一者：组合各种误差源以给出与测量保真度相关联的单个数目；在晶片级、批量级及过程级下分析各种误差；及/或通过减少测量次数而对于吞吐量以受控方式权衡所得准确度。
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公开(公告)号：CN110870052A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880044567.5
申请日：2018-07-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供通过识别其中(若干)对应计量测量信号具有最小振幅不对称性的(若干)计量测量参数值而导出所述(若干)值的计量方法。如所揭示选择所述测量参数值明显降低测量不精准度。例如，可检测波长值及/或焦点值以指示最小振幅不对称性及/或最小相位不对称性。在某些实施例中，提供最小振幅不对称性的波长值也提供对焦点的最小信号灵敏度。开发的度量可进一步用于指示跨晶片及批次的工艺稳健性。在一些实施例中，可通过振幅不对称性的离焦横向化及具有最小振幅不对称性的参数值的检测而增强成像精准度。
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公开(公告)号：CN118311056A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410419802.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , A·V·希尔 , Y·瓦克宁 , Y·西蒙 , D·内格里 , V·莱温斯基 , Y·帕斯卡维尔 , A·戈洛塔斯万 , N·罗斯曼 , N·K·雷迪 , N·本大卫 , A·阿布拉莫夫 , D·雅科夫 , Y·于齐耶尔 , N·古特曼
IPC: G01N21/956 , H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/95 , G03F7/00
Abstract: 本申请涉及增强重叠计量的性能。一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。
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公开(公告)号：CN111433559B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201880078008.6
申请日：2018-09-24
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01B11/27 , G01N21/47 , G01N21/956 , G03F7/20 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供减少噪声且增强测量准确度的计量目标设计、设计方法及测量方法。所揭示的目标包括与测量方向正交的额外周期性结构，给定目标结构沿所述测量方向具周期性。例如，除成像或散射测量目标中的沿每一测量方向的两个或更多个周期性结构之外，还可引入第三正交周期性结构，此提供正交方向上的额外信息，并且可用于减少噪声、增强准确度且启用机器学习算法的应用以进一步增强准确度。可关于正交周期性结构逐切片分析信号，所述正交周期性结构可以过程兼容方式集成于成像及散射测量目标两者中。
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