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公开(公告)号：CN110494966B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201880023805.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种计量系统，其包含图像装置及控制器。所述图像装置包含光谱可调照明装置及检测器，所述检测器用于基于响应于来自所述光谱可调照明装置的照明而从所述样本发出的辐射产生具有两个或两个以上样本层上的计量目标元件的样本的图像。所述控制器确定所述成像装置的层特定成像配置以在所选择的图像质量容限内成像所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件，其中每一层特定成像配置包含来自所述光谱可调照明装置的照明光谱。所述控制器进一步接收使用所述层特定成像配置产生的所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件的一或多个图像。所述控制器进一步基于所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件的所述一或多个图像提供计量测量。
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公开(公告)号：CN119317876A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380041347.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 公开一种用于产生包含具有呈反转顺序的结构的单元的重叠目标的重叠测量的重叠计量系统及方法。所述重叠计量系统可包含照明子系统及集光子系统。所述集光子系统可包含用以收集来自样本的测量光的一或多个检测器。根据计量配方，所述样本可包含具有第一单元类型的第一单元及第二单元类型的第二单元的重叠目标，其中所述第二单元类型包含相对于所述第一单元类型呈反转顺序的结构。所述计量配方可包含：接收检测信号；基于所述检测信号来产生每一单元的重叠测量；及基于指示每一单元的所述重叠测量的平均值的值来产生与所述重叠目标相关联的重叠测量。
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公开(公告)号：CN117546092A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280043764.1
申请日：2022-10-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于半导体计量的方法包含将第一及第二上覆膜层沉积于半导体衬底上及图案化所述层以界定叠对目标。所述目标包含：所述第一层中的第一光栅图案，其包含在第一方向上定向的至少第一线性光栅及在垂直于所述第一方向的第二方向上定向的至少第二线性光栅；及所述第二层中的第二光栅图案，其包含相同于所述第一线性光栅的至少第三线性光栅及相同于所述第二线性光栅的第四线性光栅。所述第二光栅图案分别在所述第一及第二方向上具有相对于所述第一光栅图案达第一及第二位移的标称偏移。撷取且处理所述衬底的散射测量图像以估计所述第一与第二层的图案化之间的叠对误差。
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公开(公告)号：CN109073981A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084437.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： V·莱温斯基 , E·哈贾 , T·伊茨科维赫 , S·雅哈仑 , M·E·阿德尔 , Y·帕斯卡维尔 , D·内格里 , Y·卢巴舍夫斯基 , A·玛纳森 , 李明俊 , M·D·史密斯
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供计量目标及目标设计方法，其中通过以辅助元件替换来自具有间距p的周期性图案的元件来定义目标元件以形成将所述间距p维持为单个间距的复合周期性结构，所述辅助元件与所述经替换元件具有至少一个几何差异。在与高级多重图案化技术的兼容性界限内构造目标会改善所述目标的保真度，且填充因数调制会使得能够对所述目标进行调整以产生足以在实现所述目标的工艺兼容性的同时提取叠对的计量敏感度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118311056A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410419802.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , A·V·希尔 , Y·瓦克宁 , Y·西蒙 , D·内格里 , V·莱温斯基 , Y·帕斯卡维尔 , A·戈洛塔斯万 , N·罗斯曼 , N·K·雷迪 , N·本大卫 , A·阿布拉莫夫 , D·雅科夫 , Y·于齐耶尔 , N·古特曼
IPC: G01N21/956 , H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/95 , G03F7/00
Abstract: 本申请涉及增强重叠计量的性能。一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。
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公开(公告)号：CN115917720A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202080101637.3
申请日：2020-09-04
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于制造半导体装置晶片的小波分析系统及方法，所述系统包含：不对齐计量工具，其可操作以测量晶片上的至少一个测量位点，从而产生输出信号；以及基于小波的分析引擎，其可操作以通过将至少一个小波变换应用于所述输出信号来产生至少一个经小波变换信号，且通过分析所述经小波变换信号来产生质量度量。
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公开(公告)号：CN110494966A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880023805.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种计量系统，其包含图像装置及控制器。所述图像装置包含光谱可调照明装置及检测器，所述检测器用于基于响应于来自所述光谱可调照明装置的照明而从所述样本发出的辐射产生具有两个或两个以上样本层上的计量目标元件的样本的图像。所述控制器确定所述成像装置的层特定成像配置以在所选择的图像质量容限内成像所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件，其中每一层特定成像配置包含来自所述光谱可调照明装置的照明光谱。所述控制器进一步接收使用所述层特定成像配置产生的所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件的一或多个图像。所述控制器进一步基于所述两个或两个以上样本层上的所述计量目标元件的所述一或多个图像提供计量测量。
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公开(公告)号：CN116964438B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202180095179.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , A·V·希尔 , Y·瓦克宁 , Y·西蒙 , D·内格里 , V·莱温斯基 , Y·帕斯卡维尔 , A·戈洛塔斯万 , N·罗斯曼 , N·K·雷迪 , N·本大卫 , A·阿布拉莫夫 , D·雅科夫 , Y·于齐耶尔 , N·古特曼
IPC: G01N21/956 , G03F7/00 , H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/95
Abstract: 一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。
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公开(公告)号：CN116868069B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202180094001.5
申请日：2021-10-01
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种用于在半导体装置晶片(SDW)的制造期间产生其质量参数值的系统及方法，所述方法包含：指定所述SDW上的多个测量位点集(MSS)，所述MSS中的每一者包含第一测量定向位点(FMS)及第二测量定向位点(SMS)，所述FMS及所述SMS为所述SDW上的不同测量位点；通过在第一测量定向上测量形成于所述MSS中的至少一者的每一所述FMS内的特征来产生第一测量定向质量参数数据集(FMQPD)；通过在第二测量定向上测量形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述SMS内的特征来产生第二测量定向质量参数数据集(SMQPD)；及至少部分基于所述FMQPD及所述SMQPD来产生至少一个工具诱发偏移(TIS)改进的质量参数值(TAQPV)。
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