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公开(公告)号：CN111033382B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201780093820.1
申请日：2017-10-22
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供系统及方法，其从至少一个计量成像目标中的每一ROI(所关注区域)的经分析测量计算叠加错位误差估计，且将所述经计算叠加错位误差估计并入在对应叠加错位估计中。所揭示实施例提供可以连续方式集成到计量测量过程中且此外依据叠加错位评估目标质量的分级及加权目标质量分析，所述分析形成用于评估来自例如生产步骤特性、测量参数及目标特性的不同源的误差的共同基础。接着，此类共同基础实现以下中的任一者：组合各种误差源以给出与测量保真度相关联的单个数目；在晶片级、批量级及过程级下分析各种误差；及/或通过减少测量次数而对于吞吐量以受控方式权衡所得准确度。
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公开(公告)号：CN111033382A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780093820.1
申请日：2017-10-22
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供系统及方法，其从至少一个计量成像目标中的每一ROI(所关注区域)的经分析测量计算叠加错位误差估计，且将所述经计算叠加错位误差估计并入在对应叠加错位估计中。所揭示实施例提供可以连续方式集成到计量测量过程中且此外依据叠加错位评估目标质量的分级及加权目标质量分析，所述分析形成用于评估来自例如生产步骤特性、测量参数及目标特性的不同源的误差的共同基础。接着，此类共同基础实现以下中的任一者：组合各种误差源以给出与测量保真度相关联的单个数目；在晶片级、批量级及过程级下分析各种误差；及/或通过减少测量次数而对于吞吐量以受控方式权衡所得准确度。
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公开(公告)号：CN114144867B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201980098179.X
申请日：2019-07-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , G05B19/418 , G05B21/02
Abstract: 本发明提供优化制造厂中的晶片运输及计量测量的系统及方法。方法包括：导出并更新提供晶片特定测量位点及状况的动态采样计划；导出对应于所述动态采样计划的所述晶片的计量测量的优化晶片测量路径；管理通过所述制造厂的FOUP(前开式晶片传送盒)运输，从而将晶片运输到测量工具，同时在将所述FOUP与所述相应晶片运输到所述相应测量工具之前或时，将所述动态采样计划及所述晶片测量路径提供到所述相应测量工具；及由所述相应测量工具根据所述经导出晶片测量路径来实行所述相应晶片的计量及/或检验测量。量子计算资源可用于解决对应特定优化问题，以减少所需时间、改进计算解决方案并改进制造厂合格率以及所生产晶片的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114144867A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201980098179.X
申请日：2019-07-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , G05B19/418 , G05B21/02
Abstract: 本发明提供优化制造厂中的晶片运输及计量测量的系统及方法。方法包括：导出并更新提供晶片特定测量位点及状况的动态采样计划；导出对应于所述动态采样计划的所述晶片的计量测量的优化晶片测量路径；管理通过所述制造厂的FOUP(前开式晶片传送盒)运输，从而将晶片运输到测量工具，同时在将所述FOUP与所述相应晶片运输到所述相应测量工具之前或时，将所述动态采样计划及所述晶片测量路径提供到所述相应测量工具；及由所述相应测量工具根据所述经导出晶片测量路径来实行所述相应晶片的计量及/或检验测量。量子计算资源可用于解决对应特定优化问题，以减少所需时间、改进计算解决方案并改进制造厂合格率以及所生产晶片的准确性。
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公开(公告)号：CN110301032B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201880011008.4
申请日：2018-02-07
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明展现系统及方法，其用于识别制造例如半导体晶片的产品期间的过程变异。在制造第一产品期间的预定阶段处，使用至少一个成像参数的不同值来获得所述第一产品的区域的图像。接着分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第一产品的第一对比度签名。在制造第二产品期间的相同预定阶段处，使用所述至少一个成像参数的不同值来获得对应于所述第一产品的所述区域的所述第二产品的区域的图像。分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第二产品的第二对比度签名。比较所述第一对比度签名与所述第二对比度签名以识别在所述第一产品及所述第二产品的制造之间是否发生过程变异。
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公开(公告)号：CN107429995B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201680019827.4
申请日：2016-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·莱维 , D·坎戴尔 , M·E·阿德尔 , L·波斯拉夫斯基 , J·鲁滨逊 , T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , T·格林茨威格 , D·克莱因 , T·伊茨科维赫 , N·卡梅尔 , N·阿米尔 , V·拉马纳坦 , J·坎普 , M·瓦格纳
Abstract: 本发明揭示一种计量性能分析系统，其包含：计量工具，其包含一或多个检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述一或多个检测器。所述控制器经配置以从所述计量工具接收与计量目标相关联的一或多个计量数据集，其中所述一或多个计量数据集包含一或多个测定计量度量且所述一或多个测定计量度量指示与标称值的偏差。所述控制器经进一步配置以确定与所述标称值的所述偏差和一或多个选定半导体工艺变化之间的关系，及基于所述一或多个计量度量的值和所述一或多个选定半导体工艺变化之间的所述关系确定与所述标称值的所述偏差的一或多个根本原因。
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公开(公告)号：CN110301032A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880011008.4
申请日：2018-02-07
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明展现系统及方法，其用于识别制造例如半导体晶片的产品期间的过程变异。在制造第一产品期间的预定阶段处，使用至少一个成像参数的不同值来获得所述第一产品的区域的图像。接着分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第一产品的第一对比度签名。在制造第二产品期间的相同预定阶段处，使用所述至少一个成像参数的不同值来获得对应于所述第一产品的所述区域的所述第二产品的区域的图像。分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第二产品的第二对比度签名。比较所述第一对比度签名与所述第二对比度签名以识别在所述第一产品及所述第二产品的制造之间是否发生过程变异。
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公开(公告)号：CN107429995A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019827.4
申请日：2016-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·莱维 , D·坎戴尔 , M·E·阿德尔 , L·波斯拉夫斯基 , J·鲁滨逊 , T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , T·格林茨威格 , D·克莱因 , T·伊茨科维赫 , N·卡梅尔 , N·阿米尔 , V·拉马纳坦 , J·坎普 , M·瓦格纳
Abstract: 本发明揭示一种计量性能分析系统，其包含：计量工具，其包含一或多个检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述一或多个检测器。所述控制器经配置以从所述计量工具接收与计量目标相关联的一或多个计量数据集，其中所述一或多个计量数据集包含一或多个测定计量度量且所述一或多个测定计量度量指示与标称值的偏差。所述控制器经进一步配置以确定与所述标称值的所述偏差和一或多个选定半导体工艺变化之间的关系，及基于所述一或多个计量度量的值和所述一或多个选定半导体工艺变化之间的所述关系确定与所述标称值的所述偏差的一或多个根本原因。
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