公开(公告)号：CN116964438B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202180095179.1

申请日：2021-06-29

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·玛纳森 ,  A·V·希尔 ,  Y·瓦克宁 ,  Y·西蒙 ,  D·内格里 ,  V·莱温斯基 ,  Y·帕斯卡维尔 ,  A·戈洛塔斯万 ,  N·罗斯曼 ,  N·K·雷迪 ,  N·本大卫 ,  A·阿布拉莫夫 ,  D·雅科夫 ,  Y·于齐耶尔 ,  N·古特曼

IPC: G01N21/956 ,  G03F7/00 ,  H01L21/66 ,  G01N21/88 ,  G01N21/95

Abstract: 一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。

公开(公告)号：CN118311056A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410419802.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·玛纳森 ,  A·V·希尔 ,  Y·瓦克宁 ,  Y·西蒙 ,  D·内格里 ,  V·莱温斯基 ,  Y·帕斯卡维尔 ,  A·戈洛塔斯万 ,  N·罗斯曼 ,  N·K·雷迪 ,  N·本大卫 ,  A·阿布拉莫夫 ,  D·雅科夫 ,  Y·于齐耶尔 ,  N·古特曼

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66 ,  G01N21/88 ,  G01N21/95 ,  G03F7/00

Abstract: 本申请涉及增强重叠计量的性能。一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。

公开(公告)号：CN116964438A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202180095179.1

申请日：2021-06-29

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·玛纳森 ,  A·V·希尔 ,  Y·瓦克宁 ,  Y·西蒙 ,  D·内格里 ,  V·莱温斯基 ,  Y·帕斯卡维尔 ,  A·戈洛塔斯万 ,  N·罗斯曼 ,  N·K·雷迪 ,  N·本大卫 ,  A·阿布拉莫夫 ,  D·雅科夫 ,  Y·于齐耶尔 ,  N·古特曼

IPC: G01N21/956

Abstract: 一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。