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公开(公告)号：CN113924638B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201980096802.8
申请日：2019-05-06
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种用于半导体装置晶片的制造中的偏移的测量的方法，所述方法包含：在第一例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第一偏移指示；在第二例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第二偏移指示；响应于所述第一偏移指示与所述第二偏移指示之间的差而提供偏移测量差输出；提供基线差输出；及改善所述偏移测量差输出与所述基线差输出之间的差。
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公开(公告)号：CN115427793A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180029473.2
申请日：2021-04-22
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： Y·弗莱
Abstract: 本发明公开一种经配置以测量样本上的覆盖误差的计量系统。所述计量系统在第一方向及/或第二方向上同时或依序测量所述样本上的覆盖误差。所述计量系统包括照明子系统，所述照明子系统经配置以使用一或多个照明波瓣照明所述样本上的具有阴影线的覆盖目标。所述计量系统进一步包括物镜及检测器，所述检测器位于图像平面处，所述检测器经配置以对所述具有阴影线的覆盖目标成像。控制器经配置以引导照明源产生所述照明波瓣、接收所述具有阴影线的覆盖目标的图像及计算所述样本的第一层与所述样本的第二层之间的覆盖误差。
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公开(公告)号：CN114008754A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080041780.8
申请日：2020-03-27
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于计算形成于半导体装置晶片上的至少第一层、第二层与第三层之间的偏移的多层莫尔目标，其包含周期性结构堆叠的至少一个群组，所述至少一个群组各自包含：第一堆叠，其包含第一堆叠第一周期性结构(S1P1)，所述S1P1沿着第一轴具有S1P1间距；第二堆叠，其包含第二堆叠第一周期性结构(S2P1)，所述S2P1沿着第二轴具有S2P1间距；及第三堆叠，其包含第三堆叠第一周期性结构(S3P1)，所述S3P1沿着第三轴具有S3P1间距；所述第一轴平行于x轴或y轴，且所述堆叠中的至少一者包含第二周期性结构，所述第二周期性结构沿着至少一个第四轴具有第二周期性结构间距，所述至少一个第四轴平行于所述第一轴且与所述轴中的一者同轴。
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公开(公告)号：CN112789557A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880098352.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供计量目标、目标设计方法及计量测量方法，所述方法独立地或结合计量叠加估计来估计不对称像差的效应。目标包括具有相同粗略节距、相同1:1线与空间比且按相同精细节距分割成精细元件的一或多对分段周期性结构，其中所述分段周期性结构彼此不同之处在于其中一个分段周期性结构缺少其对应精细元件的至少一者及/或其中一个分段周期性结构包括依精细节距的倍数彼此分离的精细元件的两个群组。遗失元件及/或中心间隙使得能够从所述对应分段周期性结构的测量导出像差效应的估计。所述精细节距可经选定为对应于对应层中的装置精细节距。
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公开(公告)号：CN110741374A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201780091701.2
申请日：2017-06-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供光罩上及晶片上的计量目标设计，以及目标设计及处理方法。目标设计包括：粗间距周期性结构，其具有在子元件CD及/或高度上变化的细间距子元件；正交周期性结构，其垂直于测量方向，具有周期性循环条当中的正交未解析间距，所述周期性循环条提供用于实现良好印刷目标的校准参数。正交周期性结构可设计在光罩上且是未解析的，或以切割图案施加在处理层上，具有对于切割层覆盖的相对低灵敏度。所设计的目标可用于覆盖计量以及用于测量工艺参数，例如扫描仪像差及间距偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078074A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060081.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Z·林登费尔德 , Z·赵 , Y·弗莱 , D·坎戴尔 , N·卡梅尔 , A·玛纳森 , N·阿米尔 , O·卡米斯开 , T·耶其夫 , O·萨哈兰 , M·库柏 , R·苏里马斯基 , T·里维安特 , N·夕拉 , B·埃弗拉蒂 , L·撒尔通 , A·汉德曼 , E·亚希渥 , O·巴沙尔
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G03F9/7003 , G03F7/70633 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供导出计量度量对配方参数的部分连续相依性、分析所述导出的相依性、根据所述分析来确定计量配方，及根据所述确定的配方来进行计量测量的方法。所述相依性可以景观(例如敏感度景观)的形式来进行分析，其中以分析方式、以数字方式或以实验方式检测具有低敏感度的区域，及/或具有低或零不准确度的点或轮廓，且用于配置测量、硬件及目标的参数，以实现高测量准确度。工艺变化是就其对所述敏感度景观的效应进行分析，且这些效应用于进一步特性化所述工艺变化，以优化所述测量且使所述计量对于不准确度源更稳健，且相对于晶片上的不同目标及可用测量条件更灵活。
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公开(公告)号：CN116936393B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310920074.6
申请日：2017-02-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： B·布林戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Y·弗莱 , D·阿鲁穆特 , Y·拉姆霍特 , N·夕拉 , Y·德莱乌 , T·耶其夫 , E·亚希渥 , L·撒尔通 , T·里维安特
Abstract: 本公开涉及光学计量的准确度提升。本发明提供提升计量测量的准确度的方法、计量模块及目标设计。方法提供对多个测量处方及设置的灵活处置且使得能够使所述多个测量处方及设置与指示其与谐振区域及平坦区域的关系的图谱特征相关。单独地或以组合方式采用对处方的群集化、自身一致性测试、对经汇总测量的共同处理、噪声降低、群集分析、对具有偏斜单元的图谱及目标的详细分析，以提供测量准确度的累积提升。
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公开(公告)号：CN116897283A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280017626.6
申请日：2022-04-18
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/956
Abstract: 一种叠加计量系统可包含适合于测量样本上的叠加目标的叠加计量工具，所述叠加目标包含具有沿着一或多个测量方向分布的图案化特征的一或多个光栅结构。所述叠加计量工具可包含物镜及照明通路以用分布在一或多个照明分布当中的两个或更多个倾斜照明波瓣来照明所述叠加目标，使得对于所述测量方向中的每一者，所述叠加目标对由所述物镜收集的所述一或多个照明分布的衍射级排他地包含来自所述两个或更多个照明波瓣中的至少一者的0级衍射波瓣及单个一级衍射波瓣。所述叠加计量工具可进一步包含用以将所述样本成像的至少一个检测器以及用以基于所述图像来产生叠加测量的控制器。
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公开(公告)号：CN110383442B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880014361.8
申请日：2018-02-27
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供用于设计计量目标及相对于例如线性质(例如，线边缘粗糙度LER)的随机噪声来估计计量度量值的不确定性误差的方法。可通过具有对应目标的CDSEM(临界尺寸扫描电子显微镜)或光学系统，从所述线性质的分析及计量测量的不确定性误差导出目标元件的最小所需尺寸。鉴于发现在使用例如CPE(每曝光的可校正项)的更局域化模型时，随机噪声可能具有增大的重要性而强调此分析的重要性。所述不确定性误差估计可用于多种上下文中的目标设计、叠加估计增强及测量可靠性评估。
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公开(公告)号：CN108701625B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201780012673.0
申请日：2017-02-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： B·布林戈尔茨 , E·古列维奇 , I·阿达姆 , Y·弗莱 , D·阿鲁穆特 , Y·拉姆霍特 , N·夕拉 , Y·德莱乌 , T·耶其夫 , E·亚希渥 , L·撒尔通 , T·里维安特
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供提升计量测量的准确度的方法、计量模块及目标设计。方法提供对多个测量处方及设置的灵活处置且使得能够使所述多个测量处方及设置与指示其与谐振区域及平坦区域的关系的图谱特征相关。单独地或以组合方式采用对处方的群集化、自身一致性测试、对经汇总测量的共同处理、噪声降低、群集分析、对具有偏斜单元的图谱及目标的详细分析，以提供测量准确度的累积提升。
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