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公开(公告)号：CN111033382A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780093820.1
申请日：2017-10-22
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供系统及方法，其从至少一个计量成像目标中的每一ROI(所关注区域)的经分析测量计算叠加错位误差估计，且将所述经计算叠加错位误差估计并入在对应叠加错位估计中。所揭示实施例提供可以连续方式集成到计量测量过程中且此外依据叠加错位评估目标质量的分级及加权目标质量分析，所述分析形成用于评估来自例如生产步骤特性、测量参数及目标特性的不同源的误差的共同基础。接着，此类共同基础实现以下中的任一者：组合各种误差源以给出与测量保真度相关联的单个数目；在晶片级、批量级及过程级下分析各种误差；及/或通过减少测量次数而对于吞吐量以受控方式权衡所得准确度。
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公开(公告)号：CN111033382B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201780093820.1
申请日：2017-10-22
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供系统及方法，其从至少一个计量成像目标中的每一ROI(所关注区域)的经分析测量计算叠加错位误差估计，且将所述经计算叠加错位误差估计并入在对应叠加错位估计中。所揭示实施例提供可以连续方式集成到计量测量过程中且此外依据叠加错位评估目标质量的分级及加权目标质量分析，所述分析形成用于评估来自例如生产步骤特性、测量参数及目标特性的不同源的误差的共同基础。接着，此类共同基础实现以下中的任一者：组合各种误差源以给出与测量保真度相关联的单个数目；在晶片级、批量级及过程级下分析各种误差；及/或通过减少测量次数而对于吞吐量以受控方式权衡所得准确度。
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公开(公告)号：CN110301032B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201880011008.4
申请日：2018-02-07
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明展现系统及方法，其用于识别制造例如半导体晶片的产品期间的过程变异。在制造第一产品期间的预定阶段处，使用至少一个成像参数的不同值来获得所述第一产品的区域的图像。接着分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第一产品的第一对比度签名。在制造第二产品期间的相同预定阶段处，使用所述至少一个成像参数的不同值来获得对应于所述第一产品的所述区域的所述第二产品的区域的图像。分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第二产品的第二对比度签名。比较所述第一对比度签名与所述第二对比度签名以识别在所述第一产品及所述第二产品的制造之间是否发生过程变异。
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公开(公告)号：CN110301032A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880011008.4
申请日：2018-02-07
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明展现系统及方法，其用于识别制造例如半导体晶片的产品期间的过程变异。在制造第一产品期间的预定阶段处，使用至少一个成像参数的不同值来获得所述第一产品的区域的图像。接着分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第一产品的第一对比度签名。在制造第二产品期间的相同预定阶段处，使用所述至少一个成像参数的不同值来获得对应于所述第一产品的所述区域的所述第二产品的区域的图像。分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第二产品的第二对比度签名。比较所述第一对比度签名与所述第二对比度签名以识别在所述第一产品及所述第二产品的制造之间是否发生过程变异。
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