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公开(公告)号：CN114097066A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201980098237.9
申请日：2019-07-10
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种数据驱动的错位参数配置与测量的系统及方法，所述方法包含：使用多个测量参数配置集来模拟选自旨在为相同的一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的多个测量模拟，由此产生所述至少一个多层半导体装置的模拟数据；识别选自所述多个测量参数配置集中的至少一个经推荐测量参数配置集；提供选自所述一批多层半导体装置中的多层半导体装置；将所述至少一个经推荐测量参数配置集提供到具有多个可能测量参数配置集的错位计量工具；使用所述至少一个经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置，由此产生所述至少一个多层半导体装置的测量数据；其后识别最终经推荐测量参数配置集；及使用所述最终经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的错位。
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公开(公告)号：CN116964438B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202180095179.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , A·V·希尔 , Y·瓦克宁 , Y·西蒙 , D·内格里 , V·莱温斯基 , Y·帕斯卡维尔 , A·戈洛塔斯万 , N·罗斯曼 , N·K·雷迪 , N·本大卫 , A·阿布拉莫夫 , D·雅科夫 , Y·于齐耶尔 , N·古特曼
IPC: G01N21/956 , G03F7/00 , H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/95
Abstract: 一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。
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公开(公告)号：CN113544830A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201980093658.2
申请日：2019-05-19
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种动态偏移测量改善方法，其包含：在第一半导体装置晶片上的多个位点处进行至少一次偏移测量，所述第一半导体装置晶片选自旨在为相同的一批次半导体装置晶片；分析所述偏移测量中的每一者；使用来自所述偏移测量中的每一者的所述分析的数据来确定所述多个位点中的每一者处的经改善偏移测量参数；其后改善用于所述多个位点中的所述每一者处的经改善偏移测量的偏移计量工具设置，借此产生经改善偏移计量工具设置；及其后在第二半导体装置晶片上的多个位点处使用所述经改善偏移计量工具设置来测量偏移，所述第二半导体装置晶片选自旨在为相同的所述批次半导体装置晶片。
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公开(公告)号：CN116964438A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202180095179.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , A·V·希尔 , Y·瓦克宁 , Y·西蒙 , D·内格里 , V·莱温斯基 , Y·帕斯卡维尔 , A·戈洛塔斯万 , N·罗斯曼 , N·K·雷迪 , N·本大卫 , A·阿布拉莫夫 , D·雅科夫 , Y·于齐耶尔 , N·古特曼
IPC: G01N21/956
Abstract: 一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。
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公开(公告)号：CN118311056A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410419802.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , A·V·希尔 , Y·瓦克宁 , Y·西蒙 , D·内格里 , V·莱温斯基 , Y·帕斯卡维尔 , A·戈洛塔斯万 , N·罗斯曼 , N·K·雷迪 , N·本大卫 , A·阿布拉莫夫 , D·雅科夫 , Y·于齐耶尔 , N·古特曼
IPC: G01N21/956 , H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/95 , G03F7/00
Abstract: 本申请涉及增强重叠计量的性能。一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片，在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层，包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特征上的第二目标特征。在使一或多个成像参数变化的同时捕获所述第一目标特征及所述第二目标特征的一序列的图像，此变化是在整个所述序列期间发生。处理所述序列中的所述图像，以便识别所述图像中所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应对称中心且测量所述对称中心随变化的图像参数的变化。在测量所述第一经图案化层与所述第二经图案化层之间的重叠误差时应用经测量变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113950644A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202080043109.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种在半导体装置制造中使用的多工具参数集校准及偏移测量方法包含：使用至少一第一参考偏移计量工具，使用第一测量参数集以测量一批次晶片的晶片上的至少两层之间的偏移，借此产生第一偏移数据集；将所述第一参数集及所述数据集传输到经校准测量参数集产生器(CSMPG)，所述CSMPG处理所述第一参数集及所述数据集，借此产生经校准测量参数集，从所述CSMPG传输所述经校准测量参数集以基于所述经校准测量参数集校准至少一个最初未校准的偏移计量工具。此后，使用至少所述最初未校准的偏移计量工具，使用用于所述测量的所述经校准测量参数集测量至少一个晶片的至少两层之间的偏移。
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公开(公告)号：CN114144867B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201980098179.X
申请日：2019-07-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , G05B19/418 , G05B21/02
Abstract: 本发明提供优化制造厂中的晶片运输及计量测量的系统及方法。方法包括：导出并更新提供晶片特定测量位点及状况的动态采样计划；导出对应于所述动态采样计划的所述晶片的计量测量的优化晶片测量路径；管理通过所述制造厂的FOUP(前开式晶片传送盒)运输，从而将晶片运输到测量工具，同时在将所述FOUP与所述相应晶片运输到所述相应测量工具之前或时，将所述动态采样计划及所述晶片测量路径提供到所述相应测量工具；及由所述相应测量工具根据所述经导出晶片测量路径来实行所述相应晶片的计量及/或检验测量。量子计算资源可用于解决对应特定优化问题，以减少所需时间、改进计算解决方案并改进制造厂合格率以及所生产晶片的准确性。
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公开(公告)号：CN118800674A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410783139.1
申请日：2019-07-10
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种数据驱动的错位参数配置与测量的系统及方法，所述方法包含：使用测量参数配置集来模拟选自旨在为相同的一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的多个测量模拟，产生所述装置的模拟数据；识别选自所述测量参数配置集的经推荐测量参数配置；提供选自所述批的多层半导体装置；将至少一个经推荐测量参数配置集提供到具有多个可能测量参数配置集的错位计量工具；使用所述经推荐集来测量选自所述批的至少一个多层半导体装置，由此产生所述装置的测量数据；其后识别最终经推荐测量参数配置集；及使用所述最终经推荐集来测量选自所述批的至少一个多层半导体装置的错位。
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公开(公告)号：CN116997863B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202180094683.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种产品，其包含：至少一个半导体衬底；多个薄膜层，其安置于所述至少一个衬底上；及叠加目标，其形成于所述薄膜层中的至少一者中。所述叠加目标包含：第一子目标，其具有第一对称中心且包含具有第一线宽的第一目标特征；及第二子目标，其具有与所述第一对称中心重合的第二对称中心且包含第二目标特征，所述第二目标特征具有大于所述第一线宽的第二线宽，且与所述第一目标特征邻近但不重叠。
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公开(公告)号：CN116997863A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202180094683.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种产品，其包含：至少一个半导体衬底；多个薄膜层，其安置于所述至少一个衬底上；及叠加目标，其形成于所述薄膜层中的至少一者中。所述叠加目标包含：第一子目标，其具有第一对称中心且包含具有第一线宽的第一目标特征；及第二子目标，其具有与所述第一对称中心重合的第二对称中心且包含第二目标特征，所述第二目标特征具有大于所述第一线宽的第二线宽，且与所述第一目标特征邻近但不重叠。
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